Патенты опубликованные 23.05.1982

Страница 47

Устройство для прошивки запоминающих матриц

Загрузка...

Номер патента: 930378

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Алексеев, Горшков, Журавлев, Киселев

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, матриц, прошивки

...магнитных сердечников и прошивают их.Устранение продольного изгиба проводапри прошивке вследствие того, что проталкивающая сила распределена по длине провода, находящегося в отверстиях сердечников, позволяет повысить надежность и 5 быстродействие прошивки запоминающихматриц на магнитных сердечниках. 30Устройство для прошивки запоминающихматриц, содержащее основание с установленными на нем бобинами с прошивочнымипроводами, пропущенными через направляющие, электромеханическим преобразовате 35лем, электрический вход которого соединенс выходом блока управления, подложку длямагнитных сердечников, о т л и ч а юш е е с я тем, что, с целью повышения46быстродействия и надежности прошивкизапоминающих матриц, оно содержит платформу,...

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Загрузка...

Номер патента: 930379

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Гомон, Гудименко, Кононенко, Косинов, Кузьменко, Сафронов

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...4, Расстояние между канавкамипревышает диаметр технологических струнне менее чем в два раза,В соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матрицна БМП осуществляют следующим образом.В начальной стадии изготовления матрицы натягивают в два слоя первую группу технологических струн 4, укладывая их в канавки верхней и нижней частей оправки, чем одновременно обеспечивается определенный шаг их укладки. Затем на оправку с уложенными струнами укладывают путем намотки виток к витку провод числовой обмотки 5, ориентируя егр в поперечном по отношению к струнам направлении. При этом, в зависимости от схемы матрицы, витки числового провода могут чередоваться с витками киперной обмотки, технология намотки которой не...

Устройство для плетения обмоток запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Загрузка...

Номер патента: 930380

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Виксман, Довбий, Лысый, Тульчинский, Филимонов

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, обмоток, пленках, плетения, цилиндрических

...обмотка, состоящаяиз нескольких виткоа провода ( 56),должна иметь выводные концы необходимой длины. Для формирования выводовобмоток служит поворотный диск 18 исвязанная с ним хвостовиком 24 конуснаяголовка 25.В исходном положении диск 18 размешеннымина нем держателем 20 челнока 2 1 находится в позиции, обеспечивающей плетение обмотки из провода 22путем поочередного прокладывания егочелноком 21 от диска 18 через образованный между нитями основы 10 зев напротивоположную сторону нитей основы 10и после зева обратно к диску 18.После вплетения между нитями основы 10 необходимого числа витков провода 22 челнок 21 остается в держателе20 диска 18. Дальнейшее плетение обмотки прекращается, включается однооборотная кулачковая муфта 28 и вал...

Блок считывания информации для доменного запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 930381

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Иванов, Косов, Проскуряков, Савельев

МПК: G11C 7/00

Метки: блок, доменного, запоминающего, информации, считывания, устройства

...туда которого. соответствует линейнопредварительного усилителя воспроиз- усиленной амплитуде информационныхведения, сигналов "1" или "0", но . усиленНа чертеже представлена блок-схема ных в более благоприятных условиях публока считывания информации для догь. 1 О тем сложения с эталонным сигналомменного запоминающего устройства. "1" на первом сумматоре,Блок считывания информации для Кроме того, усиленный эталонныйдоменного запоминающего устройства сигнал "1" поступает на вход делитесодержит первый вход 1, соединенный ля напряжения 6,а затем на вход формис первым входом первого сумматора 2, 15 рователя 10 уровня дискриминации, чтовторой вход которого подключен к входу .обеспечивает отслеживание уровня дискдополнительного...

Способ определения напряженности поля коллапса решетки цилиндрических магнитных доменов

Загрузка...

Номер патента: 930382

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Иевенко, Кожухарь, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, решетки, цилиндрических

...полеНо, и сканирующий узел 5, позволяющий перемещать образец 6 относительно плоского высокочастотного контура 1, который плотно прилегаетк поверхности диска образца 6 состороны исследуемой ТИП,Определение напряженности поляколлапса решетки ЦМД протекает следующим образом.Образец 6 занимает исходное положение в кювете сканирующего узла 5.Высокочастотный контур 1 вводитсяв начальное положение отсчета сканирующего узла 5. Обычно площадь контура выбирается равной площади чйпазапоминающего устройства (ЗУ), Если необходимо аттестовать образец в це.лом, выбирают контур площадью10 -10 мм , равной площади исслед 4дуемого образца. Для аттестации пленки на однородность контур должениметь меньшую площадь ( 1 мм ).В зазоре полюсных наконечников3...

Переключатель цилиндрических магнитных доменов для одноуровневого доменного запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 930383

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, доменов, запоминающего, магнитных, одноуровневого, переключатель, устройства, цилиндрических

...пленку 1, на которой расположены 1-образные 2 шевронные 3 и С-образные 4 Ферромагнитные аппликации, образующие входные 5 и выходные 6 каналы продвижения ЦМД, а также основная 7 и дополнительная 8 токопроводящие шины. Вектор 9 управляющего поля Нупр вращается по часовой стрелке.Переключатель ЦМД работает следующим образом.А. Режим переключения ЦМД из входных каналов в выходные каналы продвижения ЦМД. На фиг. 2 (а-е) показано .расположение доменов во входном и выходном каналах. При положении вектора управляющего поля НПР (фиг. 2 б) в управляющую шину входного канала подается импульс тока 1 длительностью, равной половине периода вращения НпР, и такой полярности, при которой домен может растянуться только по верхней границе...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 930384

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее

...с переключателями 8 и 16. Каналы 4 и 5 соединены с датчиками 25 и 26 считывания ЦМД.Предложенное ЗУ работает следующим образом.8 режиме записи от генератора 7в канал 4 поступает. информация ввиде налиция "1" или отсутствияЦМД (нОн). При положении А векторауправляющего магнитного поля Н О ЦМД оказываются под переключателями8 и 16, соответственно и под перемычками 10 и 18. В этот момент пошинам 15, 20, 21 и 24 подают импульс тока длительностью, равной пом ловине периода поля Ну, В моментВ вектора Н ЦМД из-под перемычек10 и 18 переходят соответственнопод перемычки 14 и 19. Таким образом осуществляется запись ЦМД-ин 2 в Формации в регистры 3 с одновременным стиранием (выбрасыванием) старойЦМД-информации регистров 3.Считывание...

Устройство для выборки элементов памяти в накопителе

Загрузка...

Номер патента: 930385

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Калошкин, Мамедов, Подопригора, Савотин, Сухопаров

МПК: G11C 11/40

Метки: выборки, накопителе, памяти, элементов

...работц устройства.Устройство содержит первую шину 1 питания, шину 2 управления двухэмиттерный п-р-и транзистор 3 с двумя эмиттерами 4 и 5, адресную шину 6, шину 7 выборки элементов памяти при записи, и-р-и транзистор 8, нагрузочный резистор 9, р-и"р транзистор 1 О, шину 11 выборки элементов памяти при считывании, вторую шину 12 питания, источник 13 питания.Устройство работает следующим об- разом.В режиме покоя ток выине б и напряжение на шине 2 равны нулю. Напряжение на шине 11 (Ци) равно напряжению шины 1 (О), а напряжение на щине 7 равно нулю, так как транзистор 3 закрыт. Поступление в шину 6 адресного тока приводит к включению транзисторов 10 и 8. Потенциал шины 11 понижается до величины, рав-. ной остаточному напряжению между...

Регистр сдвига

Загрузка...

Номер патента: 930386

Опубликовано: 23.05.1982

Автор: Киляков

МПК: G11C 19/02

Метки: регистр, сдвига

....15 тор 20. Ячейка 2 памяти содержит об"мотку реле 21 с контактами 22 и 23,обмотку реле 24 с контактами 25 и.26, обмотку реле 27 с контактами 2832 (контакты 28 и 19 входят в составячейки 1 памяти), накопительный элемент, например конденсатор 33, пассивный элемент, например резистор 34контакты 35 и 36 (обмотка реле начертеже не показана).Регистр сдвига работает следующим,образом,Перед вводом первого кода срабатывает реле (обмотка на чертеже непоказана), который своими контактами.35 и 36 отключает конденсатор 331который разряжается через резистор34, После возврата этого реле в исходное состояние от. броска зарядного тока срабатывает реле 27 и переносит код с шин входа на реле 21 и24, Вследствие срабатывания реле 21или 24, которые своими...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 930387

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Верлань, Максимович

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...ключи 27-30. Воспроизведение записанной инфррмации производится аналогично процессу записи, только на каждом шаге воспроизведения на дифференциальный усилитель 10 подаются через усилители 33, 5 10 и 34 напряжения с 1-ой и (1+1)-ойячеек 37 памяти. Напряжения с. этихячеек памяти поступают на вход входного диФФеренциального усилителя 10,на выходе которого Формируется сигнал, равный их разности. Этот сигнал поочередно через такт генератора 13 посредством ключей 4 и 5 поступает на первый и второй интеграторы 6 4 7Каждый интегратор интегрирует сигнал в течение только од"ного шага квантования, причем, если первый интегратор 6 интегрирует сигнал, то второй интегратор 7 в те 15 чение этого шага восстанавливает своймашинный нуль, и...

Запоминающее устройство с самоконтролем

Загрузка...

Номер патента: 930388

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Доля, Кириченко

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, самоконтролем

...соединеныс выходом регистра 1 адреса, а выходырегистров 9 и 10 подключены к входамблока 12 определения неисправной комбинации, выход узла 13 блокировкиобращения выдает на схему И 14 кодадреса неисправной комбинации.Блок 3 и секции 4 управляются об,щим дешифратором 2 адреса. При обра. щении по любому адресу следует обращение в блок 3 (для чтения или записи информации) и секцию 4 (только .для чтения хранящейся информации), Секция 4 используется для хранения 35контрольного кода адреса ячейки, вкоторую следует обращению.Блок 12 определения неисправнойкомбинации содержит элемент 20 сравнения, первый регистр 21 (кода сравнившихся разрядов), второй регистр ао22 (признаков сравнения разрядов),блок 23 выдачи кода,Устройство работает в...

Виброопора для подвижного узла прибора

Загрузка...

Номер патента: 930389

Опубликовано: 23.05.1982

Автор: Трунов

МПК: G12B 3/06

Метки: виброопора, подвижного, прибора, узла

...удерживает каждуюиз втулок в середине соответствующейрабочей поверхности цапфы при отключении питания электромагнитов виброопоры. Жесткость этой упругой связимала и не препятствует движению уз 45лов подвижных втулок при их осевыхколебаниях, возбуждаемых электромаг-,нитами. Электрическая схема питанияэлектромагнитов синусоидальным напряжением включает в себя фазовращатель 25 (например емкость), сдвигающий на М /2 Фазу питающего электромагнит 30 напряжения, а ширина 2 В каждой из рабочих поверхностей ступенчатой цапФы равна 0,707 от удвоенной амплитуды колебаний А подвижных каменных втулок. Вентили 26 и 27 обеспечивают поочередную подачу полуволн синусоидального напряжения питания виброопоры в обмотки электромагнита 30.,а вентили 28 и 29 -...

Панель для теплоизоляции внутренней поверхности энергетического оборудования

Загрузка...

Номер патента: 930390

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Коновалова, Корегин, Мальцев, Стариков

МПК: G21C 11/08

Метки: внутренней, оборудования, панель, поверхности, теплоизоляции, энергетического

...фиг. 1 показано аксонометрическое изображение профилированныхэлементов 2-образной формы с распо 40ложенными между ними теплоиэоляционными блоками; на фиг. 2 - панельтеплоизоляции с защитной сеткой сеткой и схемой расположения анкеров;на фиг. 3 - сечение А-А на фиг. 2;1на фиг. 4 - защитные листы с гофрами и отверстиями для сброса газа врежиме падения давления; на Фиг. 5 сечение Б-Б нафиг. 4.Теплоизоляция состоит из теплоизоляционных блоков 1, профилирован- фных элементов 2-образной формы 2,предварительно закрепленных с помощью анкерных болтов 3 к защищаемойповерхности 4. С целью уменьшенияметаллоемкости и увеличения термического сопротивления профилированные элементы 2-образной формы вырезаются и края, прикрепляемые к защи 0...

Заливочный компаунд

Загрузка...

Номер патента: 930391

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Кириллова, Кузьменков, Кулямина, Печковский, Хорьков, Штейнберг

МПК: H01B 3/10

Метки: заливочный, компаунд

...образом. Тугоплавкий напол- тью нагрева 5-7 град/мин с выдержкой нитель смешивают с водным раствором 1 ч при температуре полного отверждехлорфосфата магния. Полученную массу ния. Температура получения плотной подвергают термообработке при 300-камнеподобной массы 500 С.500 С до образования плотной камне- П р и м е р 2, То же, что и в приподобной массы. Обработка при темпера"мере 1, но берут 20 г (65 мас.3 ) туре ниже 300 С не обеспечивает до- электрокорунда ЭБИ, 6-2 г хлорфосстаточной прочности материала. Термо", фата магния ( 20 мас.Ж ) и 4,5 мл вообработка выше 500 С приводит лишь 1 е ды ( 15 мас.Ж). Температура полного к незначительному повышению прочнос" , отверждения 450 С тиП р и м е р 3. То же, что и в приП р и м е р 1....

Устройство для нанесения лака на проволоку

Загрузка...

Номер патента: 930392

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Гогин, Лядова

МПК: H01B 13/16

Метки: лака, нанесения, проволоку

...для нанесения15 лака на проволоку, содержащее основание с размещенными на нем калибрующими пластинами, расположенными одна над другой, емкость для лака с регулируемыми отверстиями в донной части,гю расположенную над калибрующими пластинами 21.Недостатком известиявляется необходимость а, связанных с эасырах калибрующих, пластвие, нестабильностью а, наносимого на про/6 ж 758 Подписное ВНИИ ак лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,емкость 5 для лака с регулируемыми отверстиями в донной части и фитили 6.Устройство работает следующим образом.5Лак, содержаций растворитель, поступает из емкости на калибруюцие пластины и пропитывает их, создавая требуемую толщину наносимого на проволоку слоя. С течением времени раст О воритель...

Высоковольтный подвесной изолятор

Загрузка...

Номер патента: 930393

Опубликовано: 23.05.1982

Автор: Лемякин

МПК: H01B 17/02

Метки: высоковольтный, изолятор, подвесной

...изолирующая деталь выполнена со" ставной, Это повышает технологичность и надежность изолятора.На чертеже показан предлагаемый изолятор.Высоковольтный подвесной изолятор содержит составную изолирующую деталь, состоящую из частей 1 и 2, и арматуру в виде шапки 3 и стержняИзолирующая деталь 1 выполнена с кольцевым углублением 5, а шапка 3 выполнена в средней части с колы 1 е" вым выступом Ь. Изолируюцая деталь 1 охватывает частично шапку 3 с кольцевым зазором, в котором размещен герметизирующий элемент 7. Наружный393 Формула изобретения Составитель В. Шермин Редактор А. Козориз Техред Л. Пекарь КорректорЮ, Макаренк485/69 Тираж 758 НИИПИ Государственного комит ,по делам изобретений и откр 13035, Москва, (-35, Раушска Зака Под а СССРФил 3 930...

Керамический высоковольтный изолятор

Загрузка...

Номер патента: 930394

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Александрина, Бахметьева, Ерошев, Павлова

МПК: H01B 17/26

Метки: высоковольтный, изолятор, керамический

...и изгиба на разных участках изолятора, возникающихвследствие разных скоростей охлаждения наружной и внутренней ветвей.Уменьшение толщины стенки внутреннейветви ведет к сокращению этой разницы и, как следствие, к увеличениютермостойкости. В то же время уменьше 35ние ширины торца внутреннеи ветвиизолятора отрицательно сказывается натермостойкости металлокерамическогосоединения. Этим вызвана необходимость создания буртика на торце внут 40реннего цилиндра, являющегося местомсоединения с металлическими элементами, толщина стенки которого в1,2-2 раза превосходит толщину стенки внутренней ветви предлагаемого45изолятора.Введением кольцевой канавки 4на наружной поверхности достигаетсяуменьшение толщины стенки в местесоединения наружной ветви...

Способ получения электроизоляционного покрытия на металлах

Загрузка...

Номер патента: 930395

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Заев, Соколовская, Филимонова

МПК: H01B 19/04

Метки: металлах, покрытия, электроизоляционного

...Толщина покрытия, мкм 2,0 - 3,5 Электрическое сопротивление покрытия по ГОСТ12119-66,0 и Не менее 500 До 6,0 Электрическое сопротивление покры"тия при измерениимегомметром100 в,Ом 310 -1,10 3 930395 4Поставленная цель достигается тем, 2,5-35 мин при энергетической освечто согласно известному способу получе- щенности 1-1,210 Вт/м.ния электроизаляцвонного покрытия на Электроизоляционные покрытия пометаллах путем нанесения наповерхность лучают в соответствии с условиями,металла электроизоляционного состава,представленными в табл. 1.в качестве последнего используют композицию следующего состава, вес,3: Термообработку ИК-потоком произво"Формалин 6,0-,9,5 дят при энергетической освещенности, .Циклогексанол 1, 0-1,8 Вт/м: 1,010 - в...

Устройство для изготовления резистивного элемента проволочного резистора

Загрузка...

Номер патента: 930396

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Иванов, Передрей, Телегин

МПК: H01C 17/00

Метки: проволочного, резистивного, резистора, элемента

...11. Микропровод 2гический брак. закрепляется на каркасе и включаетсяБолее близким по технической сущнос- процесс намотки.Лак, находящийся в поти является устройство для изготовления лости 10, смачивает каркас и при цвижерезистивных элементоВ проВолочных Резис нии расклацчика 3 в направлении стрелкиторов, содержащее оправку для каркаса гЗ 2, наносится на каркас тонким слоем.раскладчик микропровода, емкость для Плавность перехоца от плоскости 10 клака, в которой выполнено отверстие 121 отверстию 7 и малость зазора гарантиВ процессе намотки микропровода- рует соосность расположения каркаса 8на каркас происходит приклеивание его. в отверстии 7. Толщина пленки лака неОднако известное устройство также не ли-З 0 превышает зазора Ь =0,5(2 -...

Каркас катушки

Загрузка...

Номер патента: 930397

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Абрамов, Гордеев, Коровкин, Скляров

МПК: H01F 5/02, H01R 9/00

Метки: каркас, катушки

...Это позволяет свести к минимуму воздушный зазор межпу корпусом катушки и магнитопроводом. Зазор возникает в результатеувеличения размеров окна каркаса катушки по сравнению с сечением магнитопрввоца в том случае, когда каркас катушкинадевается на криволинейный участок манитопровоца. Отсутствие воздушного зазора уменьшает потери мощности рассеиванияя.Держатели 3 контактов снабжены технологическими отверстиями 12 для ориентации первых при автоматической сборке каркаса катушкиСборка .каркаса катушки производитсяв следующей последовательности.Верхняя часть 9 каркаса катушки устанавливается под цвумя параллельнымипроволоками. Над проволокой, с помощью технологических отверстий 12, ориентируются держатели 3 контактов, таким образом, чтобы они...

Высокочастотный трансформатор

Загрузка...

Номер патента: 930398

Опубликовано: 23.05.1982

Автор: Лауринавичюс

МПК: H01F 19/04

Метки: высокочастотный, трансформатор

...создано постоянное магнитное поле.В, получается трансформатор с вентильными свойствами, Меняя величину постоянного магнитного поля, можно реализовать условия размерного резонанса геликонных волн, При этом ВЧ сигнал с направлением циркулярной поляризации, совпадающей с направлением циклотронного вращения электронов, взаимодействует с полупроводником, а сигнал с противоположным направлением циркулярной поляризации "обыкновенная" волна с обраэцомвзаимодействовать не будет. ВЧ сигнал через высокочастотный трансформатор, в зависимости от направления циркулярной поляризации передается от входа к выходу или поглощается в обратном направлении передачи.Использование предлагаемого устройства позволяет упростить конструкцию и. настройку...

Импульсный трансформатор

Загрузка...

Номер патента: 930399

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Виленский, Легеза, Межуев, Хименко

МПК: H01F 19/08

Метки: импульсный, трансформатор

...ипересечения и концы 4, 5 и 6, 7 изолированы прокладкой 16, В рабочемотверстии 11 размещена обрабатываемая заготовка 17. Первичная массив"ная обмотка 1 включена в цепь емкостного накопителя С через коммутатор К.Предлагаемый импульсный трансформатор работает следующим образом.В момент замыкания коммутатора Кв цепи, образованной емкостным накопителем С и первичной массивной обмоткой 1, возникает затухающий колебательный разряд, Ток, протекаоцийпо первичной обмотке 1, наводит токив сегментахи 3 вторичной обмотки,которые замыкаются на перемычки 9, 10и углубления 12, 13, образующие рабочее отверстие 11. Ток, протекающийпо среднеи части перемычек, в своюочередь наводит ток в заготовке 17,который,электродинамически взаимодействуя с током...

Электрический реактор с продольным подмагничиванием

Загрузка...

Номер патента: 930400

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Валеев, Петров

МПК: H01F 29/14

Метки: подмагничиванием, продольным, реактор, электрический

...например, 2, включен 0 фная параллельно и согласно с другой обмоткой переменного тока 3, размещенной на двух соседних стержнях 5, и охватывающей обе обмотки подмагницивания 4, причем каждый слой двух соседних стержней 5 с обмотками подмагничивания 4 выполнен из четырех пластин электротехнической стали 7- 10, расположенных попарно ( 7 и 8, 9 и 10 ) по высоте стержней 5 таким образом, что направления проката накрест лежащих пластин 7, 10 и 8, 9 параллельны друг. другу и образуют угол с от-носительно центральных осей симметрии стержней 5, а направления проката пластин каждого слоя участков ярм 1, размещенных между упомянутыми соседними стержнями 5 с обмотками подмагницивания 4, образуют угол р с продольными осями симметрии ярм 1, причем...

Трехфазный управляемый реактор

Загрузка...

Номер патента: 930401

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Бикташев, Бродовой, Брянцев, Соколов

МПК: H01F 29/14

Метки: реактор, трехфазный, управляемый

...основных обмоток 2 и обмотки 3 подмагии.чивания размещены попарно и райномерно на ярмах магнитопровода 1 и соединены согласно в пределах участков одного ярма между двумя соседними стержф 5 нями и встречно на противоположных участках другого ярма. Устройство работает следующим образом.К эквипотенциальным выводам основ ных обмоток, сдвинутых одна относи-, тельно другой на 180 эл, град, подключается источник постоянного тока Сек,:,:; обмотки 3 подмагничивания соединены последовательно, что приводит55 при подключении обмотки 2 к сети переменного тока и индуктированию на ко цах ее гармоник ЭДС кратных трем,Подключение к обмотке 3 подмагничивания дросселя ч обеспечивает замыкание токов нулевой последовательностикратных трем) через обмотку 3,...

Маломощный трансформатор и способ его изготовления

Загрузка...

Номер патента: 930402

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Гольдман, Редекоп, Шумаков

МПК: H01F 27/26, H01F 30/10, H01F 41/02 ...

Метки: маломощный, трансформатор

...плотными, что не поддаются дальнейшейдеформации при окончательном прессовании, цто в свою очередь не позволяет создать цельную конструкциютрансформатора.Для того, чтобы в процессе окончательного прессования магнитопро 4вода обмотки не подвергались большим давлениям площадь сечения канавок для обмоток в заготовках магнитопровода делают больше, чем само сечение обмотки, и выбирают эту площадь из следующих соображений: при уплотнении заготовок магнитопровода, например на 10, площадьсечения окна уменьшается тоже на 104, а чтобы высокое давление окончательного прессования не передавалось на обмотку, а также, чтобы был высокий коэффициент заполнения окна медью, необходимо в заготовках магнлтопровода иметь площадь сечения канавок на 9- 1 О...

Способ изготовления витых ленточных магнитопроводов

Загрузка...

Номер патента: 930403

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Баскин, Новосад, Савчук

МПК: H01F 41/02

Метки: витых, ленточных, магнитопроводов

...материалом 1 толщиной 0,5 - 2,00 мм производят с удельным 1 о давлением прессования, достаточным для плотного обжатия витков магнитопровода в монолит и фиксации этого состояния после отверждения композиции. Отвержденная композиция плотно обжимает витки 2 магнитопровода и фиксирует их в этом состоянии после разрезки монолита дисковыми абразивными кругами.Пример 1. Электротехническую фосфатированную сталь разрезают на ленты, производят навивку магнитопровода, отжигают его и калибруют. После этого магнитопровод опрессовывают термореактивным полимерным материалом, например АГ - 4 С, при 200 С. Удельное давление прессования при этом составляет 31,5 МПа. Толщина опрессовки 0,5 мм, время выдержки под давлением 1 мин. Магнитопровод...

Способ изготовления обмоток трансформаторов с сечением некруглой формы

Загрузка...

Номер патента: 930404

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Дорошенко, Курзов, Станишевский, Терехович

МПК: H01F 41/04

Метки: некруглой, обмоток, сечением, трансформаторов, формы

...изображено получение обмотки прямоугольного сечения предлагаемым способом.Способ осуществляется следующим об разом,На цилиндрическую оправку устанавливают гильзу, образованную несколькими слоями термореактивной пленки, на которую ведут намотку провода с прокладкой меж930404 А+В Формула изобретения ЬА = 2- 12 - Я-); ЬВ =(2 - Д); Составитель В. Пы хред А. Бойкас раж 758дарственного ком изобретений и Ж - 35, Раушска т, г. Ужгород,шкинаКорректорПодписноеитета СССРоткрытийя наб д. 4/5ул. Проектная едактор А. Козоризаказ 3334/70ВНИИПпо113035, Мфилиал ПНП Швыдка Т Госу лам ква, Пате слойной изоляции. Радиус оправки К рассчитывают по формуле где А и В - стороны, окна катушки, К- радиус оправки.Намотку проводят проводом, В качестве...

Намоточная головка

Загрузка...

Номер патента: 930405

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Демидов, Кузнецов, Лазарев, Мурашевич, Шишков

МПК: H01F 41/04

Метки: головка, намоточная

...муфт 20 или 21, встроенных в зацепление при помощи зубчатых колес 22 и 23 между первой парой зубчатых 10 колес 24 и 25.Далее от шпинделя 6, через червяк 4,червячное колесо 5, зубчатые колеса 24 и 22, гистерезисную муфту 20, зубчатые колеса 25, 30 и 31 вращение передается при помощи вала 28 кулачку 27, который через ролик 50 перемещает каретку 47 с кронштейном 48, тем самым перемещая поджатый пружиной 16 к кронштейну 48 механизм 9 поддержания заданного шага по криволинейным направляющим 15 вместе со шпинде 2 о лем 6 поводковый механизм 7 с направляющей фильерой 8. Происходит намотка первого слоя обмотки в секции.При достижении заданного количествавитков в слое 17 программного управления переключает гистерезисную муфту 20 и...

Способ отбраковки конденсаторов с оксидным диэлектриком

Загрузка...

Номер патента: 930406

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Дьяконов, Муждаба, Нетупский, Ханин

МПК: H01G 9/04

Метки: диэлектриком, конденсаторов, оксидным, отбраковки

...угла диэлектрических потерь, Это возможно благодаря тому, что одно из измерений проводится при одновременном приложении к конденсатору и напряжения инфразвуковой частоты и напряжения постоянного смещения, что позволяет впервые выявить характерную только для потенциальноненадежных конденсаторов способность:резкое снижение потерь в этих условиях.Природу обнаруженной аномалии удается раскрыть, учитывая реальную картинустарения оксидного диэлектрика, - ростполевых кристаллов от границы разделаМе - Ме 05 (Ме:Та,МЬ и др.). Одним изфакторов, стимулирующих кристаллизацию,является наличие в окисле низковалентныхкатионов металла. Последнее приводит кобразованию вблизи границы Ме - Ме 05высокопроводящего по сравнению с основным окислом слоя....

Контактное устройство

Загрузка...

Номер патента: 930407

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Бардин, Босин, Вантюсов

МПК: H01H 1/58

Метки: контактное

...приност силовых кораспределение токо рственныи университП. Огарева чает диэма управпусе 3 рарычаги 4, соединены оворота в нных прентактов 5 ой поверх 9304073ности силового вывода тиристора,6 - шток, 7 - пружина, 8 - контактный диск, 9 - диэлектрическое основание.Работа контактного устройства заключается в следующем.После остановки конвейера, подавшего очередной тиристор к позиции электрических измерений траверса 1 механизма управления начинает опускаться в вертикальной плоскости, перемещая контакты к выводам тиристора. Контактный диск 8 с диэлектрическим основанием 9 свободно надевается на силовой штырь и упирается на управляющий электрод произвольного ориентирования. Корпус 3 опускается до полного замыкания силовых контактов 5 по всей...