Плотников

Вращающийся чашечный резец

Загрузка...

Номер патента: 1123176

Опубликовано: 10.01.2014

Авторы: Моргунский, Вишнев, Сидоренко, Плотников

МПК: B23B 27/12, B23B 27/22

Метки: вращающийся, резец, чашечный

Вращающийся чашечный резец по авт.св. 794886, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы режущей чашки, кольцо установлено на шпинделе эксцентрично относительно оси вращения последнего.

Вращающийся чашечный резец

Загрузка...

Номер патента: 1123175

Опубликовано: 10.01.2014

Авторы: Сидоренко, Вишнев, Плотников

МПК: B23B 27/12, B23B 27/22

Метки: вращающийся, резец, чашечный

Вращающийся чашечный резец по авт.св. 552145, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности стружкодробления и стойкости ножа, резец снабжен экраном, установленным между стружкодробящим ножом и боковой поверхностью чашки с возможностью контакта с последней и с зазором по отношению к поверхности ножа менее толщины стружки.

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1225430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Хатько, Ясников, Плотников, Румак

МПК: H01L 21/316

Метки: тонкого, подзатворного, создания, диэлектрика

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление...

Способ создания тестовых моп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1338720

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Румак, Плотников, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: создания, тестовых, моп-структур

Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества подзатворного диэлектрика МОП-структуры, нанесение электрода на окисел структуры осуществляют при температуре кристаллизации двуокиси кремния в -кристобалит.

Способ создания радиационно-стойких моп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1240295

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Хатько, Ясников, Яковлев, Плотников, Румак, Алиев, Малышев

МПК: H01L 21/82

Метки: моп-структур, создания, радиационно-стойких

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.

Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1356895

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Корешков, Шевчук, Хатько, Румак

МПК: H01L 21/316

Метки: межкомпонентной, мдп, схем, интегральных, изоляции

Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путем повышения зарядовой стабильности изоляции, перед локальным окислением проводят отжиг в диапазоне температур окисления в атмосфере химически инертного газа в течение 10-60 мин, а локальное окисление осуществляют в два этапа предварительным формированием подслоя двуокиси кремния, последовательной...

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1233731

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Румак, Плотников, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: создания, диэлектрика, подзатворного, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)и(2+0,25)·

Способ создания подзатворного диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1282767

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Ясников, Румак, Хатько, Плотников

МПК: H01L 21/316

Метки: подзатворного, создания, диэлектрика

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Способ создания моп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1223789

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Ясников, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: моп-структур, создания

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.

Способ изготовления моп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1575841

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Хатько, Петрашкевич, Крищенко, Румак, Плотников, Ясников, Домород

МПК: H01L 21/324

Метки: моп-структур

Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при...

Способ создания тонких слоев оксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Ясников, Хатько, Шевчук, Румак

МПК: H01L 21/316

Метки: слоев, оксида, тонких, кремния, создания

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1147205

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Хатько, Плотников, Румак

МПК: H01L 21/316

Метки: создания, диэлектрика, подзатворного, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

Шахтная плазменно-дуговая электропечь

Загрузка...

Номер патента: 772243

Опубликовано: 20.09.2009

Авторы: Чередниченко, Савостьянов, Муха, Орлов, Гутенберг, Плотников, Носиков

МПК: C22B 9/21

Метки: электропечь, плазменно-дуговая, шахтная

1. Шахтная плазменно-дуговая электропечь, содержащая вертикальную шахту для размещения шихтовых материалов, горн и ванну-накопитель, примыкающие к нижней части шахты плазменно-дуговые нагреватели и металлоприемник, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности работы печи при высоких температурах, обеспечения восстановления реакционноспособных, а также тугоплавких металлов, получения удлиненных слитков постоянного сечения для последующего рафинирования капельным оплавлением, печь снабжена кристаллизатором с механизмом вытяжки слитка, водоохлаждаемая стенка которого служит порогом между кристаллизатором и ванной-накопителем, при этом печь герметизирована шлюзовыми затворами,...

Вакуумная электропечь

Загрузка...

Номер патента: 764396

Опубликовано: 20.09.2009

Авторы: Плотников, Орлов, Носиков, Варшицкий, Муха, Чередниченко, Гутенберг

МПК: C22B 9/22

Метки: электропечь, вакуумная

Вакуумная электропечь, содержащая две обогреваемые источниками энергии камеры с разным уровнем остаточного давления, камеру плавления с устройством для подачи расходуемого электрода и ванной-накопителем для предварительного рафинирования и камеру окончательного рафинирования с водоохлаждаемым кристаллизатором для формирования слитка, разделяемые перегородкой, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения рафинирования реакционноспособных и тугоплавких металлов за один переплав и с высокой скоростью, электропечь снабжена, по меньшей мере, одним водоохлаждаемым литниковым устройством, расположенным вертикально между камерами плавления и окончательного рафинирования, причем верхняя часть...

Сплав на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 1340197

Опубликовано: 10.10.2008

Авторы: Плотников, Прудников, Афанасьев, Сушкова

МПК: C22C 21/04

Метки: основе, алюминия, сплав

Сплав на основе алюминия, преимущественно для изготовления стеклометаллических зеркал, содержащий кремний, кобальт и свинец, отличающийся тем, что, с целью повышения качества паяного соединения со стеклом ЖЗС-18, он содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%: Кремний 18-20 Кобальт 18-20 Свинец 0,5-1,0 Алюминий Остальное

Эрлифт для очистки емкости от осадка

Загрузка...

Номер патента: 1508670

Опубликовано: 20.07.2006

Авторы: Зайцев, Плотников, Томилин, Симак, Подсекина, Переплетчиков

МПК: F04F 1/18

Метки: емкости, осадка, эрлифт

Эрлифт для очистки емкости от осадка, содержащий размещенный на дне емкости коллектор с всасывающими отверстиями, сообщенную с ним подъемную трубу с воздухоотделителем, воздухоотводящий и сливной патрубки, последний из которых направлен к поверхности емкости, фильтр и воздуховод, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса очистки, коллектор выполнен в виде изогнутой по спирали трубы и снабжен установленными в отверстиях соплами, оси которых направлены по касательной к оси трубы, воздухоотводящий патрубок направлен к поверхности емкости, фильтр размещен над поверхностью емкости, а патрубки введены в фильтр.

Теплообменник для систем кондиционирования воздуха

Загрузка...

Номер патента: 1524659

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Плотников, Слотин, Плетнер

МПК: F28D 7/08

Метки: теплообменник, кондиционирования, воздуха, систем

1. Теплообменник для систем кондиционирования воздуха, содержащий цилиндрический кожух с подводящим и отводящим воздушными патрубками на торцах и пучок теплообменных труб, расположенных по дугам окружностей, закрепленных в трубных досках и подключенных к раздающему, промежуточному и собирающему коллекторам теплоносителя, отличающийся тем, что, с целью повышения компактности и упрощения монтажно-демонтажных работ, теплообменник выполнен из разборных элементов, при этом трубный пучок выполнен в виде симметрично расположенных секций, раздающий и собирающий коллекторы объединены в общий корпус с окнами против трубных досок секций, а промежуточный коллектор выполнен с отсеками, сообщенными...

Механизм регулирования турбохолодильника

Загрузка...

Номер патента: 1510483

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Плотников, Слотин, Плетнер

МПК: F25B 11/00

Метки: механизм, турбохолодильника

Механизм регулирования турбохолодильника, содержащий корпус с направляющим аппаратом с лопатками, размещенными на подвижном и неподвижном дисках, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности и упрощения конструкции путем обеспечения внутреннего прямого регулирования расхода, направляющий аппарат дополнительно содержит две параллельные кольцевые мембраны со сферической отбортовкой по наружному и внутреннему диаметрам, которые закреплены по внутреннему диаметру на корпусе, а по наружному - на подвижном диске, а также распорные втулки, размещенные между мембранами на их наружном и внутреннем диаметрах, причем последняя снабжена кольцевым выступом с высотой, равной...

Устройство управления поджигом газоразрядной лампы

Загрузка...

Номер патента: 1839859

Опубликовано: 20.06.2006

Авторы: Толстошев, Плотников, Кабанов, Кретов, Дедушкевич, Корнеева, Рязанов

МПК: H01S 3/13

Метки: газоразрядной, поджигом, лампы

Устройство управления поджигом газоразрядной лампы накачки лазера, включающее датчик углового положения вращающегося зеркала оптикомеханического затвора и блок слежения и формирования временного сдвига подачи импульса на поджиг газоразрядной лампы накачки, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности излучения, блок слежения и формирования временного сдвига импульса состоит из двух счетчиков, двух ключей, генератора, триггера, схемы сравнения и схемы ввода числа, определяющего временный сдвиг импульса упреждения, причем входы счетчиков через ключи соединены с генератором, управляющие входы которых подключены к выходам триггера, счетный вход которого соединен с датчиком углового положения зеркала, а выходы счетчиков соединены с...

Устройство для увлажнения воздуха

Загрузка...

Номер патента: 978660

Опубликовано: 20.05.2006

Авторы: Михайлов, Борисова, Якушин, Плотников, Шадрин

МПК: F24F 3/14

Метки: воздуха, увлажнения

Устройство для увлажнения воздуха по авт. св. №841463, отличающееся тем, что, с целью повышения качества увлажнения воздуха, в цилиндрическом насадке между отверстиями и коническим наконечником установлена перегородка, образующая с последним полость, и выполнены в зоне последней дополнительные отверстия, а вовнутрь полости введена трубка для отвода воздуха.

Стенд для испытаний холодильных агрегатов

Загрузка...

Номер патента: 934793

Опубликовано: 10.04.2006

Авторы: Нистратов, Плотников, Халанский, Степанова, Солдатов, Марченко, Лёвин

МПК: G01M 3/26

Метки: испытаний, агрегатов, стенд, холодильных

Стенд для испытаний холодильных агрегатов, содержащий замкнутый циркуляционный контур с напорной магистралью, в который включены бак с жидкостной и воздушной полостями, U-образный дифференциальный манометр с двумя ветвями и выпускным краном, а также испытуемый агрегат с выходным каналом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности замера характеристик и исключения сброса жидкости в атмосферу, испытуемый агрегат имеет второй выходной канал, соединенный с первым посредством многоходового крана, соединенного также с одной из ветвей U-образного дифференциального манометра, причем в напорной магистрали установлен гидрокомпенсатор с клапаном сброса избытка воздуха, размещенный выше...

Способ защиты силовой турбины газотурбинного двигателя от раскрутки

Номер патента: 1396666

Опубликовано: 27.07.2004

Авторы: Плотников, Кузнецов, Усышкин

МПК: F01D 21/02

Метки: раскрутки, силовой, защиты, газотурбинного, двигателя, турбины

Способ защиты силовой турбины газотурбинного двигателя от раскрутки путем измерения частот вращения вала турбины и вала нагрузки и формирования сигнала на отключение двигателя, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, дополнительно определяют ускорение частот вращения вала турбины и вала нагрузки, а сигнал на отключение двигателя формируют при одновременном наличии положительного знака ускорения частоты вращения вала турбины и отсутствии положительного знака ускорения частоты вращения вала нагрузки.

Устройство для сканирования источников излучений

Номер патента: 1521076

Опубликовано: 27.11.2001

Авторы: Смирнов, Плотников

МПК: G01T 1/167

Метки: сканирования, излучений, источников

Устройство для сканирования источников излучений, включающее механизм перемещения источника, коллиматор, детекторы, отличающееся тем, что, с целью увеличения производительности измерений, коллиматор выполнен из двух деталей, торцовые части которых, образующие щель, имеют форму усеченных конусов с совпадающими осями и направленными встречно вершинами, при этом по осям выполнены сквозные отверстия для перемещения сканируемого источника, а детали установлены с возможностью перемещения одна относительно другой вдоль оси конусов, кроме того, коллиматор снабжен механизмом регулировки ширины щели, а детекторы расположены по всей внешней кольцевой поверхности щели коллиматора.

Установка для изготовления ковра из минерального волокна

Номер патента: 1674458

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Захарова, Коровина, Плотников

МПК: B28B 1/52

Метки: ковра, минерального, волокна

Установка для изготовления ковра из минерального волокна, включающая плавильную печь, камеру волокноосаждения, камеру термообработки и проходящий через камеры сетчатый конвейер, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества ковра за счет уменьшения витания волокон в камере термообработки, она снабжена установленными перед последней элементами отрезки кромок ковра и их поперечной резки, роликовым конвейером с расположенными по обе его стороны патрубками вакуумного отсоса и смонтированными между камерами отклоняющими роликами сетчатого конвейера.

Установка для изготовления ковра из минерального волокна

Номер патента: 1550842

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Иванов, Томилин, Плотников, Малинин, Ковылов, Белякова

МПК: B28B 1/52, C03B 37/14

Метки: минерального, ковра, волокна

1. Установка для изготовления ковра из минерального волокна по авт. св. N 733299, отличающаяся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, она снабжена размещенной за подпрессовочным устройством камерой термообработки с сетчатым транспортером и расположенными по обе стороны его рабочей ветви нагревательными элементами, воздухоподводящими окнами и двойным сводом, нижний из которых выполнен из перфорированных листов и размещенного между ними слоя огнеупорной газопроницаемой теплоизоляции, а верхний свод - с отверстиями для отвода продуктов термического разложения.2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что она снабжена смонтированным после камеры волокноосаждения...

Способ регенерации сорбентов и устройство для его осуществления

Номер патента: 1646104

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Ланцова, Голдобина, Агалаков, Хабиров, Фоменков, Коноплева, Ястребов, Нестеров, Кузнецов, Плотников

МПК: B01J 49/00, B01J 47/10

Метки: сорбентов, регенерации

1. Способ регенерации сорбентов, включающий заполнение и контактирование плотного слоя сорбента с растворами, соответствующими операциями промывки, десорбции и конверсии, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени регенерации и соотношения объемов раствор: сорбент, регенерацию осуществляют путем циклического чередования режимов контактирования раствора и сорбента в статических условиях и динамических, создаваемых принудительным отделением раствора и сорбента при помощи вакуума или повышенного давления.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что объем фракций растворов поддерживают равным порозности сорбента за счет объемного дозирования.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся...

Способ переработки кремнийи углеродсодержащих материалов

Номер патента: 1176610

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Бочкарев, Чапыгин, Назаров, Булгаков, Дьяков, Огурцов, Плотников

МПК: C22B 7/00

Метки: кремнийи, переработки, углеродсодержащих

Способ переработки кремний- и углеродсодержащих материалов, преимущественно отходов карбида кремния, включающий хлорирование газообразным хлором при нагревании с получением углерода и парогазовой смеси, содержащей тетрахлорид кремния, вывод смеси из реакционной зоны и последующую конденсацию тетрахлорида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты получаемых продуктов, перед хлорированием исходные материалы обрабатывают четыреххлористым кремнием при температуре 800 - 1500oC, хлорирование проводят в течение 5-60 мин, вывод парогазовой смеси осуществляют при температуре 700 - 800oC, а вывод углерода - при температуре 80 - 250oC.

Микроэвм с запоминающим устройством динамического типа

Номер патента: 1403862

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Борисенков, Комарченко, Лопатин, Плотников, Щекин, Матвеев

МПК: G06F 15/00

Метки: типа, устройством, запоминающим, микроэвм, динамического

МикроЭВМ с запоминающим устройством динамического типа, содержащая процессор, устройство сопряжения, устройство управления синхронизацией и оперативное запоминающее устройство, причем устройство управления синхронизацией содержит JK-триггер, два мультиплексора и три элемента И-НЕ, выход первого элемента И-НЕ соединен с первым входом второго элемента И-НЕ, стробирующий вход первого и с первого по третий разряды первого информационного входа второго мультиплексоров подключены к шине нулевого потенциала микроЭВМ, вход установки в "0", синхровход и K-вход JK-триггера соединены соответственно с выходом установки ответа ошибки, выходом внутренней фазы и выходом счетного режима устройства...

Способ определения кислорода в пленках кремния

Номер патента: 1280999

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Плотников, Сахаров, Жарковский

МПК: G01N 31/22, G01N 21/77

Метки: кислорода, кремния, пленках

1. Способ определения кислорода в пленках кремния, включающий нанесение пленки кремния, определение количества материала пленки и последующую количественную регистрацию, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, параллельно наносят контрольную пленку на подложку, не реагирующую со щелочами, весовым методом регистрируют количество нанесенной пленки, обрабатывают раствором щелочи, определяют в ней кремний спектрофотометрическим методом и по разности веса пленки и количества кремния судят о количестве кислорода.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний переводят в молибденокремниевый комплекс с последующим его восстановлением.

Зубчатая муфта

Номер патента: 1037714

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Уткин, Плотников, Соловьев, Айрапетов, Лагутин, Робер, Толока

МПК: F16D 3/18

Метки: муфта, зубчатая

Зубчатая муфта, содержащая обойму с внутренними эвольвентными зубьями и входящие с ней в зацепление зубчатые втулки с наружными эвольвентными бочкообразными зубьями, отличающаяся тем, что, с целью повышения износостойкости путем уменьшения зазоров по боковым поверхностям зубьев обоймы и втулок, боковые поверхности зубьев втулок в сечениях, касательных к основному цилиндру, выполнены с радиусом кривизны, равным радиусу кривизны эвольвент в этих сечениях.