Патенты с меткой «термоэлектронной»

Номер патента: 77209

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Малков

МПК: H01J 9/14

Метки: снижения, термоэлектронной, эмиссии

...или молибденовым сопротивлением,В качестве защитной газовой среды в печи применяют водород. Шихту набивают в угольные или графитовые патроны и в таком виде загружают в печьПолученные карбиды подвергают мокрому размолу в мельницах из нержавеющей стали с шатрами из твердого сплава или (что лучше) в мельнице, футеров анной твердым сплавом, с шарами из твердого,спла ва. Жидкостью при размоле служит спирт,Высокая твердость футеровки и шаров, а также высокий удельный вес шаров, достигающий 14,5,обеспечивают высокую степень помола (размер зерен ниже двух микрон).Тонко размолотые карбиды в виде суспензия с нитролако; и апетономоо )77209 ЗС 6 наносят пульверизацией,или инымпутем тонким слоем на детали электронных ламп (сетки, аноды и т....

Номер патента: 383112

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ворожейкин, Дудкин, Набоков

МПК: H01J 9/42

Метки: термоэлектронной, эмиссии

...и в состоянии максимальной активности катода спад эмиссии может обратиться .в нуль, В этом случае 1 оТ ((1 П) причем, чем ниже температура, тем больше глубина спада эмиссии в соответствии с выражением 11, и в области характеристической температуры О. глубина спада может быть намного больше, чем при рабочей температуре,т.е,Начальное значение У,О, определяется подобно уравнению 1 экстраполяцией У,Ои 40е Ми - еяи) Р, - " )огас со 0 и Оц У( температур величины эмиссии при характеристической температуре Й дает заниженное значение эмиссии по сравнению с действительным, так как при такой экстраполяцииУ исходят из неизменности отношения - ""сос Е Таким образом, основной недостаток известного способа определения эмиссии по недокальной...

Номер патента: 705565

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Мельников, Охонская

МПК: H01J 61/00

Метки: давления, дуговых, низкого, переменного, разрядах, термоэлектронной, эмиссии

...тока, которое соответствуетвеличине тока термоэлектронной эмиссиипри нулевом поле.Предлагаемый способ позволяет значительно упрости-ь определение тока тер 2 омоэмиссии, и использовать его при оценке режимов работы катодов, разработкеновых конструкций и составов эмиссионных покрытий катодов газораэрядных25 3 705 устройства, на фиг, 2 - графическая иллюстрация способа.Устройство состоит из исследуемого газораэрядного источника 1, линзы 2, монохроматора 3, фотоэлектронного умножителя 4, двухлучевого осциллографа 5.Устройство работает следующим образом. Исследуемый газоразрядный источник 1 помешают перед линзой 2, зажигают разряд, спектр прикатодной области рйзряда проектируют через линзу на входную щель монохроматора 3, на...

Номер патента: 1034093

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Ждан, Кульварская

МПК: H01J 1/14

Метки: термоэлектронной, эмиссии

...1 затрудняет получение безбарьерного контакта к эмиссионному покрытию, так как работы выхода металла керна Ф (И 1, Мо и др.) лежит, как правило, в пределах 4-5 эВ.Термоэмиссионная способность катода будет определяться не работой выхода покрытия Ч, а высотой контактного барьера между полупроводниковым покрытием и керном. Следовательно для увеличения токоотбора с катода необходимо уменьшить высоту контактного барьера. Эффективное понижение высоты барьера может быть достигнуто путем подсветки катода от постороннего источника света. При осуществлении подсветки со стороны полупроводникового эмиссионного покрытия (например, через отверстие в аноде) должно быть наложено определенное ограничение на энергию квантов облучающего катод света, а...