Способ определения деформаций
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 565205
Авторы: Архипов, Елинсон, Ждан, Мессерер, Сандомирский
Текст
01) 565205 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистимеских Республик(23) Приоритет 1 В 51) М. К осударственный комитет Совета Министров СССР оо делам и 5 обретенийи открытий(71) Заявитель адиотехники и электроники АН 54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФОРМАЦИ Изобретение относится к области тензометрии. Предлагаемый способ может быть применен для измерения очень малых деформаций и в тех случаях, когда необходимо изменять чувствительность тензометрического устройства без замены его тензочувствительного элемента.Известны способы определения деформаций с помощью полупроводниковых тензочувствительных элементов. Однако эти способы не позволяют измерять очень малые деформации, имея относительно низкую чувствительность. Возможность управления тензочувствительностью в этих способах отсутствует,В данном изобретении предлагается способ повышения чувствительносги к измеряемым малым деформациям и способ управления тензочувствительностью полупроводникового тензоэлемента в готовом приборе.Поставленная цель достигается путем использования в качестве тензочувствительного элемента полупроводникового датчика в состоянии замороженной проводимости и изменением коэффициента тензочувствительности полупроводника путем изменения уровня замороженной проводемости.Замороженной проводимостью (ЗП) называют высокопроводящее состояние полупроводниковых объектов, длительно сохраняющееся после выключения внешнего возбуждения (например, фотоактивного освещения),увеличивающего проводимость объектов. Характерные времена сохранения состояния ЗП5 составляют 10 - :10 сек. Это состояние крайне чувствительно к воздействиям, изменяющим параметры макроскопических потенциальных барьеров в полупроводнике, обусловленных наличием границ кристаллитов,10 дислокаций, конгломератов примесей и т. д.,при этом тензочувствительность полупроводника существенно зависит от величины проводимости в состоянии ЗП.На чертеже для температуры жидкого азо 15 та показана типичная экспериментальная зависимость коэффициента тензочувствительности к относительной деформацией е дляпленки СдЬ, находящейся в состоянии ЗП.Пленка деформировалась за счет изгиба20 слюдяной подложки. Из чертежа видно, чтокоэффициент К для состояния ЗП может достигать крайне высоких значений, превышающих 10. Не введенная в состояние ЗП пленкаобладает обычной тензочувствительностью,25 не превышающей 10. Путем варьирования засчет внешних воздействий проводимости в состоянии ЗП той же пленки Сс 15 величина Кможет изменяться в интервале значений10(К(10, при этом К растет с увеличени 30 ем уровня ЗП,80520 Гэ 2, Способ по п. 1, отличающийся тем,что тензочувствительность элемента изменяют путем изменения уровня замороженной 10 проводимосги. л - дл сгставитель И. ШаманТехред 3. Тараненко едактор Н, Кога ктор О, Тюри саз 1849/6 Изд.602 арственного коми по делам изобре 5, Москва, Жодписиое О Г 113 пография, пр. Сапунова, 2 Таким образом, введение полупроводникового объекта в режим ЗП, например, путем оптического возбуждения существенно увеличивает тензочувствительность и позволяет варьировать ее величину в широких пределах,Формула изобретения1. Способ определения деформаций с использованием полупроводникового тензочувствительного элемента, отлич а ющий ся тем, что, с целью повышения чувствительности, в качестве тензочувствительного элемента используется полупроводниковый датчик в 5 состоянии замороженной проводимости. Тираж 907ета Совета Министров СССепий и открытийРаушская наб., д. 415
СмотретьЗаявка
1921042, 10.05.1973
ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР
ЖДАН АЛЕКСАНДР ГЕОРГИЕВИЧ, МЕССЕРЕР МИХАИЛ АЛЕКСАНДРОВИЧ, САНДОМИРСКИЙ ВЛАДИМИР БОРИСОВИЧ, ЕЛИНСОН МАТВЕЙ ИЛЬИЧ, АРХИПОВ АЛЕКСЕЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/16
Метки: деформаций
Опубликовано: 15.07.1977
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-565205-sposob-opredeleniya-deformacijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения деформаций</a>
Устройство для определения типа проводимости полупроводниковых минералов
Номер патента: 868512
Опубликовано: 30.09.1981
МПК: G01N 25/32
Метки: минералов, полупроводниковых, проводимости, типа
...ударе зонда о минерал частьэнергии удара переходит в тепловую и разогревает приконгактную область минервла, Градиент температур, в свою очередь,вызывает появление термо-Экоторой определяется типом проТаким образом, ударно-спускнизм заменяет энергоемкий наобеспечивая градиент температу . ерале только в момент удара,На чертеже схематически изображенопредлагаемое устройство для определенияпроводимости минералов по знатсуМеньщени Составитель Н, наРедактор Т. Мермелштайн Техред С.Мигунова Корректор С. Шекмар 8310/59 0 Подписноенного комитета СССРений и открытий, Раушская наб., д. 4/ Тираж 91Государствелам изобретосква, Ж 3 ВНИИ 1303 илиад ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,з 8685Устройство включает в себя зойды 1 и 2,...
Способ контроля качества соединений элементов конструкции теплозащищенных полупроводниковых приборов
Номер патента: 938219
Опубликовано: 23.06.1982
Авторы: Беляков, Голубев, Грицевский, Груздев
МПК: G01R 31/26
Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, теплозащищенных, элементов
...Вп, =80 оС.Схема содержит резисторы 1 и 2, величина сопротивления каждого из ко. торых равна (1/2 Йп) - половине соб-. ственного теплового сопротивления терморегулятора, резистор 3 (Й) - контактное сопротивление терморегулятор-полупроводниковая структура, В.п - тепловое сопротивление, равное Йп, = 1/2 В., + В емкость 4, Сптеплоемкость термор.гуля 1 ора, резистор 5 и емкость 6 йт и Ст - тепловое сопротивление и теплоемкость полупроводниковой структуры, соответственно, Чт - мгновенный перегрев терморегулятора, Чп - мгновенный перегрев полупроводниковой структуры.1 В реальном теплозащищенном приборе выполняются следующие соотношения:й йт; СС,; "-т 1 где п - пк Сп а Тт = йт СтПусть в произвольный момент времени С = С; полупроводниковая...
Полупроводниковая структура и способ управления проводимостью полупроводниковой структуры
Номер патента: 1739402
Опубликовано: 07.06.1992
Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов
МПК: H01L 29/06
Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры
...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...
Упругий элемент для компенсации тепловых деформаций опорных узлов
Номер патента: 236136
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Киселев, Окад, Хотмахер
МПК: F16C 19/52, F16C 43/04
Метки: деформаций, компенсации, опорных, тепловых, узлов, упругий, элемент
...диаметр мембраны, выиолненныи под посадку наружного кольца подшипника.Во втулке 1 расположен упругий элемент 2, выполненный в форме стакана, на торце которого имеется хвостовик 3 с мембраной 4, охватывающей подшипник качения 5. Этот подшипник является одной из опор ротора (вала) б. Для предотвращения касания внутренним кольцом подшипника мембраны упругого элемента между его нару жным кольцом и мембраной установлена кольцевая шайба 7. Тзр: рованная1.оздает пред. рвиздезияУпругий металлический элемент выполняюткак одну деталь.Толщина мембраны и, следовательно,жесткость при заданных диаметральных рмерах определяется разностью размеров аДля получения достаточной податливостимембраны при малых диаметральных размерах подшипника (и мембраны)...
Способ определения типа проводимости полупроводникового материала
Номер патента: 932891
Опубликовано: 20.09.2001
Автор: Коршунов
МПК: G01N 21/17
Метки: полупроводникового, проводимости, типа
Способ определения типа проводимости полупроводникового материала, отличающийся тем, что, с целью его упрощения путем проведения бесконтактных измерений при исследовании вырожденных полупроводниковых материалов, измеряют спектральные зависимости эллипсометрических параметров анализируемого материала и эталонного невырожденного полупроводникового материала при длинах волн света, меньших длины волны, соответствующей красной границе полосы собственного поглощения эталонного материала, а о типе проводимости анализируемого материала судят по величине параметров при...
Предыдущий патент: Устройство для измерения крутящего момента на вращающихся валах
Следующий патент: Устройство для измерения статистических характеристик лентопротяжных механизмов
Случайный патент: "способ посева сеянцев березы