H03K 19/091 — интегральные инжекторные логические схемы или объединенные транзисторные логические схемы

Номер патента: 1262719

Опубликовано: 07.10.1986

Автор: Алюшин

МПК: H03K 19/091

Метки: согласующее

...к входам и дополнительным входам 10.1-10.Х, а эмиттеры подключены к соответствующим дополнительным коллекторам транзистора 1. Задержка переключения устройства определяется только перезарядом емкости базы Т 2, Устройство обладает высокой технологичностью, может бытьизготовлено по стандартной биполярной технологии, имеет большой диапазон изменения тока питания. 1 ил. зеркало, Ток первого коллектора транзистора 2 равен где 1 - ток источника 7 тока;К - отношение площади дополнительного коллектора транзистора 1 к площади первого коллектора;х - количество дополнительныхколлекторов транзистора 1.При подаче высокого потенциала наР входов 9 ( 7)1,5 В) Р диодов 9открываются, Р транзисторов 8 начинают работать в активной области,Выходной ток...

Номер патента: 1262720

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Алюшин, Волков, Головлев, Лубянов

МПК: H03K 19/091

Метки: «и-не, ишл, логический, элемент

...5.1-5.И логического элементаток Т,э затекает в базу транзистора 1,он открывается, иа нсех выходах поддерживается низкий потенциал.Таким образом, предложенный элемент выполняет функции логическогоэлемента И-НЕ с разветвлением по выходу с помощью диодов Шоттки,Транзисторы 2,1-2.И уменьшаютстепень насьпцения транзистора 1 и,тем самым, увеличивают его быстродействие.В предложенном логическом элементе за счет протекания тока черен резистор 3,1 -З.И коллекторный переходтранзистора 1 находится под меньшимпрямым смещением, следовательно егостепень насыщения меньше, а быстродействие вьше (весь ток источника25 тока 1 э затекает н эмиттеры транзисторов 21-2.И, так как их переходыбаза-эмиттер находятся под большимпрямым смещением).При падении...

Номер патента: 1269253

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: схема, типа, четность

...пороговых элементов в их базы инжектируются токи на "0,5" дискре те меньше требуемого значенияВ эмиттеры переинжектирующих транзисторов 21-24 инжектируются такие значения тока, с учетом коэффициентов передачи по току, при которых их коллектор.45 ные токи равны двум дискретным, однако на чертеже считается, что их коэффициенты передачи по току равны единице. На фиг.2 приводится топологический чертеж фрагмента схемы; вклю чающий транзисторы 1, 2, 3, 13, 21, 16, 10, 19, 20 24 и 25.Схема контроля и четность реализует функцию четности в зависимости от значения контрольного разряда в 55 следующим образом1 при в = 1, Р = 1 при четном числе "1",Р = 0 при нечетном числе " 1" при В = 0 реализуется функция нечет- ности Р = 1 при нечетном числе...

Номер патента: 1277383

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Громов, Касаткин, Лавров, Хочинов

МПК: H03K 19/091

Метки: мультиплексор

...падение напряжения на прямосмещенном базоэмиттерном переходе транзистора, при котором он остается закрытым; Е - напряжение шины 11). 1 ри этом во всехгруппах 5 только в одной 1-й пареоказываются "заземленнымибазыранзисторов 8 и эмиттеры транзисто 50 55 Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в интегральных схемах цифровой автоматики и вычислительной техники,1 О 15 20 25 30 35 40 45 ров 7, эти транзисторы открыты. Во всех остальных (К) парах групп 5 отсутствуют базовые токи транзисторов и эмиттерные токи транзисторов 7, следовательно, транзисторы 8 закрыты, а транзисторы 7 находятся в режиме с "оборванным" эмиттером и отключенным источником базового тока и также закрыты и независимо отинформации на...

Номер патента: 1290513

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: типа, уровня, эсл-и

...первом случае напряжение наэмиттере транзистора 1 меньше, чем13 ймакскэн сЬ.синр 2 мансгде Ун - максимальное напряжениенасыщения между первым коллектором и эмиттером транзистора 2.Реально, устойчивая работа (запирание) транзистора 9 обеспечивается при напряжении, близком к нулю напряжение на эмиттере транзистора2, В этом случае весь ток второгоколлектора транзистора 3 протекаетчерез базо-эмиттерный переход транзистора 1, а транзистор 2 заперт.Ток, задаваемый третьим коллекторомтранзистора 3, течет на базу транзистора 9, который формирует на выходе 10 устройства сигнал низкогоуровня,Если напряжение, поданное на эмиттер транзистора 2, меньше напряжения, поданного на эмиттер транзистора 1, то весь ток второго коллекторатранзистора 3...

Номер патента: 1316081

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Алюшин, Волков, Головлев

МПК: H03K 19/091

Метки: согласующее

...управлять элементами И Л и ИШЛ,Достоинством согласующего устройства является то, что после того,как1диод 10 закроется, входной ток устройства не зависит от входного напря;жения вплоть до напряжения пробояколлекторного перехода транзистора1, что позволяет согласовать злемен 2ты И Л и ИШЛ не только с ТТЛ, но ис КМДП логикой с напряжением питания1,5-30 В и более,В предлагаемом устройстве диод 10исключает насыщение транзистора 1 принизком потенциале ца шине 71поэтому импульс помехи на шине 8не появляется. Транзистор 4 и диоды9 и 11 обеспечивают фиксацию потенциала базы транзистора 3 на уровне0,2-0,3 В при высоком потенциале нашине 7. Диод 11 обеспечивает поддержание такого потенциала при высокихтемпературах, так как отводит...

Номер патента: 1327286

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: согласования

...логического уровня. В этом случае п-р-п-транзистор 3 закрыт, п-р-и-транзистор 2 открыт, следовательно, р-и-р-транзистор 1 будет инжектировать ток. Закрытый и-р-и-транзистор 3 не влияет на состояние п-р-и- транзисторов 6 7 управление которыми осуществляется п-р-и-транзисторами 4 и 5. Предположим, что в начальный момент времени на информационный вход 12 подается сигнал высокого логического уровня. Следовательно, п-р-и-транзистор 4 будет насыщен, а и-р-и-транзистор 5 закрыт, поэтому и-р-и-транзистор 6 будет закрыт, а и-р-и-транзистор 7 . - открыт, на выходе 11 устройства установится сигнал низкого логического уровня, При появлении на информационном входе 12 сигнала низкого логического уровня, закроется л-р-и-транзистор 4, после чего...

Номер патента: 1338012

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Ерохин, Рогозов, Чернов

МПК: H03K 19/091, H03K 3/29

Метки: д-триггер, интегральный, четырехзначный

...до прихода тактового импульса. Изменение входногосигнала не влияет на состояние триггера,С приходом тактового импульса устройство переходит в режим записи,Подача на транзистор 6 сигналавысокого логического уровня приводитк его отпиранию.С отпиранием транзистора 6 черезвремя задержки, равное времени срабатывания транзисторов 1 и 7 (транзистор 11 здесь выполняет функциюэлемента задержки, назначение которого будет пояснено ниже), происходитэапирание транзисторакоторый уже не отбирает с эмиттеровтранзисторов 8,9,10 токи, токи с40 эмиттеров указанных транзисторов отбираются через коллекторы входноготранзистора 5; так как транзистор 6насыщен, то происходит запирание всехтранзисторов 12-17 бистабильных ячеек,Обязательным условием...

Номер патента: 1345338

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Игумнов, Костюнина, Масловский, Морев

МПК: H03K 19/091

Метки: инвертор, инжекционным, питанием

...подключены соответственно к эмиттеру и крллектору транзис- ЗОтора 6, эмиттер транзистора 1 подключен к эмиттеру транзистора 3, коллек-.тор которого подключен к выходу 11и первому выводу конденсатора 7,второй вывод которого подключен к выходу 10, коллекторам транзисторов 1и 5 и базе транзистора 3, вход 12подключен к базам транзисторов 2, 5и 6, коллектор транзистора 4 подключен к эмиттеру транзистора 5 и шине 13,4 ОИнвертор с инжекционным питаниемработает следующим образом,При наличии положительного входного сигнала (высокий уровень навходе) на входе 12 р-и-Р-транзистор 452 закрывается, а и-р-п-транзисторы5 и 6 открываются, В этом режиме навыходе 10 напряжение практически равно нулю, Конденсатор 7 заряжается поцепи: шина 8,.эмиттер -...

Номер патента: 1348995

Опубликовано: 30.10.1987

Автор: Алюшин

МПК: H03K 19/091

Метки: согласующее

...б и 7, собщей шиной 11, вторыми выводами источников 4 и 5, эмиттерами транзисто 1 он 2 и 3, Коллектор транзистора 2соединен с вторым выводом диода 8,лс 1 тцым выводом источника 5, базойтранзистора 3. Коллектор транзистораотед цец с выходной шиной 10. Первый вывод диода 6 соедицен с входнойшиной 9.Согласующее устройство работаетследующим образом.При ццзком потенциале ца шице 9диод 6 закрыт. Трацзисторы 1 и 2 об -ратуют токовое зеркало, причем диод1 открыт, а диод Я закрыт, Ток кол.ктор грацзпсто 1 та 2 где Ь ц Б - площади эмиттерцых переходов транзисторов1 и 2 соответствеццо.Если 1 меньше Н транзистор 3 от 2крыт, на шине 1 О поддерживается низкий потенциал.11 ри высоком входном потенциале ." лее 0,7-1 В) диоды 6 и 8 открыты, диод 7...

Номер патента: 1368976

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: согласования

...и 7 закрыты, соответственно закрыты и транзисторы 1 и 15. Открытый транзистор 13 задает базовый ток транзистора 2 и на выходе 19 устройства согласования формируется низкий уровень напряжения.При изменении уровня входного напряжения от низкого до высокого запирается транзистор 13. Током коллекторов транзистора 11 начинают отпираться транзисторы 3 и 7. Причем транзистор 3 отпирается быстрее, за счет большей площади первого коллектора транзистора 11 и соответственно большего тока перезаряда емкости база-эмиттер транзистора 3. Открытый транзистор 3 через диод Шоттки 5 бьг стро рассасывает избыточный заряд в базе транзистора 2 и запирает этот транзистор. Через резистор 6 протекает базовый ток транзистора 1, который открывается и заряжает...

Номер патента: 1370777

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: буферный, каскад, л-типа

...срабатывания транзисторов 2, 4. Отпирание транзистора 4 приводит к эапиранию транзистора 3, Однако транзистор 5 не закроется, а будет поддерживаться в открытом состоянни транзистором 4 до прихода на вход устройства сигнала высокого логического уровня.Особенность работы устройства заключается в том, что коллекторный ток транзистора 3 на порядок больше коллекторного тока транзистора 4. Такое соотношение между токами можно получить путем задания требуемого соотношения между входными токами транзисторов 3 и 4, а также изменением коэффициентов их передачи (изменением площадей коллекторных областей). Поэтому в течение длительности короткого импульса, сформированного на коллекторе транзистора 3, базовый ток ВГИПИ Заказ 428/55Произв. попнгр....

Номер патента: 1383483

Опубликовано: 23.03.1988

Автор: Касаткин

МПК: H03K 19/091

Метки: согласования

...- 0,2 В, что соответствует логическому 0 стандартных ТТЛ- схем. Так как на базу транзистора 19 поступает в этом случае низкий уровень напряжения, равный уровню напряжения на выходе 4, то транзистор 19 открыт, его коллекторный ток определяется выражениемк 21 ора транзистора 21; е резистора 8.ального значения Вр гней) сопротивление ается таким образом, 1 на выходе 4 (для еспечивался необходи огической 1,г е 1 к 2 - ток коллект К 8 - сопротивлени Из условия миним(определяется техноло резистора 8 рассчитыв чтобы при логической ТТЛ - схем) 2,4 В) об мый вытекающий ток лд Таким образом, так как транзистор 1 закрывается, а транзисторы 5 и 21 открываются, на выходе 4 устройства формируется сигнал логической 12,4 В). При этом, по мере...

Номер патента: 1386951

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Мелконян, Мкртчян

МПК: H03K 19/091

Метки: ячейка

...Запертое состояние транзистора 4 обеспечивается тем, что на входе последующего каскада также имеются диоды Шоттки и, поскольку 45 сумма падений напряжения на переходе база - эмиттер транзистора 4 и диоде 3 Шоттки больше падения напряжения на переходе база - эмиттер транзистора 1, по током последующего каскада открывается ключевой транзистор 1 этого каскада, а не транзистор 1 предыдущего каскада, Закрытое состояние транзистора 5 обеспечивается отсутствием его базового тока. В этом 55 состоянии короткое замыкание выхода б на шину питания +Е не опасно для транзистора 1, так как он заперт, Оно не опасно также для транзистора 4, так как он, как и транзистор 2,реализован с толстой базой.Пусть теперь на входах - логическая единица. Это...

Номер патента: 1401595

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Коробейников, Кузьмичев, Фурсин

МПК: H03K 19/091

Метки: вентиль, диодами, интегральной, логики, шоттки

...тока4 О 53 элеменга 9 при переходе выходного напряжения от О к 1 перезаряжает выходную емкость вентиля, Таким образом, ц предлагае. мом вентиле ванду инерционности тока коллектора шунтирчющеГО р - ир транзисто ра 6 удается увеличить суммарный ток, г)ерезаряжающий во время переходных пронес. сов выходцуо емкость вентиля, и соот етственно поьысить быстродействие и увеличить крутизну фронтов,Ем кость а иод - катод диода Шотти 4 В поедля аемом вентиле работает как ус)юряющяя: при переходе нагря:кения на Выходе вентиля Отк О зя счет протекания тока прц ЗакрЫтОМ ЛИОВЕ ИоттКИ 4 ЧЕРЕЗ ТЗ(1.О ЕМ- . кость уме(эьшзется врмя перезарядки выходной емкости Вентиляувеличение укаэанной емкос), Ирнвслит к говышению быстродействия. Лоэгому, при...

Номер патента: 1406777

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Глоба, Колосов, Рогозов, Чупрякова

МПК: H03K 19/091

Метки: мажоритарный, типа, элемент

...функционально в схематической ентеграции, суть которого заключается в совмещении н одном элементе выполнения нескольких Функций.В данном случае транзисторы 1 О и 12выпь:.няют функцию не только пороговых детекторов, но и инверторов, также, как и транзисторы 9 и 11,Мажоритарная схема два из трехреализует выходную функцию Р правильно, если хотя бы два из трех входящих сигналов идентичны, причем на выходах 13 и 14 устройства (М ,1,) указывается, какой из входных сигналов не совпадает с двумя другими.Рассмотрим работу схемы при Рг, = РБ .-:том случае транзисторы- 3 закрыты, поэтому через их коллекторы не отбираются токи, инжектируемые в базы транзисторон 7, 10 и 12..е рвый Транзисторы 7, 1 Г) и 2 насыщены (Р = 0), что приводит к закрытию...

Номер патента: 1422386

Опубликовано: 07.09.1988

Автор: Богданович

МПК: H03K 17/567, H03K 19/091

Метки: ключ, электронный

...транзистора 2 с второй 50входной шины 10 через диод 4 первыйтранзистор 1 запирается, второй транзистор 2 открывается и возникают токи его коллекторов. Ток первого кол-лектора открывает третий транзистор 553, который током своего первого коллектора еще больше открывает транзистор 2. Возникает лавинообразный процесс включения ключа за счет положительной обратной связи, которая осуществляется первыми коллекторамитранзисторов 2 и 3, оба транзисторапереходят в режим насыщения При этомток нагрузки в основном, минуя высокоомные базовые области, протекаетчерез цепи эмиттер - вторые коллекторы второго 2 и третьего 3 транзисторов, для чего площади вторых коллекторных переходов делаются в несколько раз больше, чем площади первых коллекторных...

Номер патента: 1422396

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Ерохин, Рогозов, Чернов

МПК: H03K 19/091

Метки: сумматор-вычитатель, четырехуровневый

...в базы транзисторов12, 16, 17 и выход разности - по триуровня тока, в выходы переноса и заема - по одному уровню тока, Этообеспечивается геометрией и взаимнымрасположением инжектора и базы транзистора. Введение коллекторов обратной связи (первые коллекторы) в транзисторы 1, 2, 3, 7, 10, 12, 15, 16и 17 обеспечивает коэффициент переда.чи этих транзисторов, равный единице, т.е. входной ток транзистора равен выходному,Суммартор-вычитатель работаетследующим ббразом.По входам 4 и 5 подается четырехуровневый сигнал двух слагаемыхили уменьшаемого и вычитаемого: 0;1,; 21; 31 а по входу 6 " двухуровневый сигнал переноса или заема0; 1Если сумма входных сигналов 1, ++ 1 + 1 = 1,Бщ меньше или равнатрем (31,), в транзистор 7 задаетсяток 71, - 1, , на...

Номер патента: 1422397

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Бобров, Царев

МПК: H03K 19/091

Метки: квадрата, числа

...- к входу восьмого отражателя 17, второйвыход третьего детектора 8 и четвертый выход пятого отражателя 11 - квходу десятого отражателя 19, третийвыход первого отражателя 4 - к входуседьмого отражателя 15, четвертый вы.ход первого отражателя 4 - к входушестого отражателя 12, второй выходвторого детектора 5 - к входу пятогодетектора 13, четвертый выход второго отражателя 6 - к входу одиннадцатого отражателя 20.Устройство работает следующим образом,Двухразрядный четырехзначный кодаргумента подается на входы 1 и 2младшим и старшим разрядом соответственно, и квадрат аргумента Формируется четырехразрядным четырехзначи 1 мкодом на выходах 21 (младший разряд),22 23 и 24 (старп 1 ий разряд).Схемы включения вентилей, номеракоторых взяты в...

Номер патента: 1429314

Опубликовано: 07.10.1988

Автор: Ерохин

МПК: H03K 19/091

Метки: нормализатор, уровня

...транзистор 1, включенныйпо схеме токового отражения, имееткоэффициент усиления, равный единице.Это обеспечивается соотношением площадей областей выходного коллектораи коллектора обратной связи. Питающийтранзистор 10 задает в эмиттеры переинжектирующих транзисторов 5-9 и соответственно 0,51, 21, 1,51, 1, и21, где 1 - единичный уровень тока,Это обеспечивается геометрией и вза"имным расположением эмиттера и коллекторов питающего транзистора 10.При подаче входного тока в входнуюшину 2 устройства в зависимости отего величины: 0,51 в, (0,5-1,5) 1 в,55(1,5-2,5)1, ) 2,51 на выходе нормализатора ток соответствует 01 в, 21 О,о4 2Если входной ток 1 с 0,51, входной транзистор 1 отводит не весь ток, задаваемый в базы транзисторов 3 и 4,...

Номер патента: 1457158

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Сидоров, Туляков

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционный, логический, элемент

...что при высоком 20потенциале на входе 11 и при включении транзистора 1, коллекторнаяцепь которого начинает питать эмиттерную цепь транзистора 9, образуется цепь положительной обратной связи(ПОС): база транзистора 10 - базаи второй коллектор транзистора 1эмиттер транзистора 9 - база транзистора 10, которая позволяет форсировать включение транзистора 10, При 30наличии на входе 11 сигнала низкогоуровня цепь ПОС не действует,Полагая, что на вход 4 поступаютсигналы Хна вход 6 - сигналы Хна вход 11 - сигналы Х, на вход З 512 - сигналы Х на выходе 8 формиру.ются сигналы У, покажем логику функционирования предлагаемого элемента.Если на входе Хфиксирован сигналлогического нуля, а на входе Х фиксирован сигнал логической единицы,то по входам Х и...

Номер патента: 1471305

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Брайцара, Ерохин

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционный, сумматор-вычитатель

...транзистора 16, включенного по схеме токового отражения. Следовательно, такой же по величине ток будет зада" ваться в выходную шику 17 разности, откуда через коллекторы входных транзисторов 2 и 3 отводится ток, равный сумме операндов, поступающих на шины 5 и 6 (вычитаемое и заем).В результате в выходной шине 17 формируется ток, равный разности входных операндов И=А-(В+С). Ток, равный по величине входному току, поступившему во входную шину 4, отводится входным транзистором 1 от базы транзистора 12, включенного по схеме токового отражения. Следовательно, такой же ток будет задаваться его коллектором в базу транзистора 13, включенного по схеме токового детектора, От его базы также отводится через коллекторы транзисторов 2 и 3 ток, равный...

Номер патента: 1525906

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Оробенко, Рогозов, Тяжкун, Чернов

МПК: H03K 19/091

Метки: л-типа, схема, четность

...реализуются соответстФункции Р 5 Р 6РД Р(РР РРЗ А Р Р Схема контроля на четность реализует функцию четности в зависимостиот значения контрольного разряда следующим образом: При В= Р 1 при четном числе ;,Р=О при нечетном числе"1". При В=О реализуется функция нечетности 1=1 при нечетном числе "1".В дальнейшем будем рассматриватьпринцип работы схемы при В=1,Предположим, что на входы 26-33устройства подается следующая комбинация входных сигналов (нечетное число единиц);1 А=О А=А=А 6=1А,-Д, - О.В этом случае коллекторные токитранзисторов 1,2,4,5,6,9 равны входным токам (единице), так как токовыеповторители имеют коэффициенты передачи, равные единице по всем коллекторам, а транзисторы 3,7,8 закрыты,так как их входные токи открываются15...

Номер патента: 1539992

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Брайцара, Ерохин

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционный, сумматор

...п-р-и-транзисторов 12и 20, Аналогично, если сумма операн"дов, поступивших на входные шины 855и 9,=С+П 431, то откРыт и-Р-итранзистор 21 и шунтирует базы и-р-итранэисторов 13 и 22. Если сумма входных операндов, поступивших навходные шины 6 и 7, ), 41 , -р-итранзистор 19 закрыт и от базы п-р-итранзистора 14 п-р-и-транзистором 12отводится ток, равный 41 р. При этомв базу и-р-и-транзистора 20 инжектором задается ток Р =1 , а его коллектором такой же по велйцине ток отводится из Ьазы р-и-р-транзистора 24,Если сумма входных операндов, поступивших на входные шины 8 и 9, Е ==С+0 ъ 41, то и-р-и-транзистор 21закрыт и от базы и-р-п-транзистора 14и-р-п-транзистором 13 отводится ток,равный 41, При этом в базу и-р-итранзистора 23 инжектором...

Номер патента: 1554137

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Игумнов, Масловский, Шишков

МПК: H03K 19/091

Метки: инжекционным, переключающее, питанием

...транзистора 2 подключенакк коллектору третьего транзистора 3 и четвертой выходной шине 10.Переключающее устройство с инжекйионным питанием работает следующимОбразом.Выходы устройства, подключенные кшинам 8 и 10, являются инвертирующими,а выходы, подключенные к шинам 5 и 9, -40неинвертирующими. При поступлении логического "Оп на вход устройства (шина 6) транзистор 3 закрыт, в результате токи через эмиттерные переходытранзисторов 1 и 2 практически не про 45текают, Таким образом, инжекционныенапряжения на коллекторных переходахтранзисторов 1 и 2 в этом режиме равны нулю, чем и определяется нулевойуровень напряжения на шинах 5 и 9.На шину 8 через эмиттерный переход50транзистора 1 поступает практическивсе напряжение Е источника питания.На...

Номер патента: 1647885

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Лапшин, Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: буферное

...12 низкие уровни напряжения Окэн, и - р - и-транзисторы 3 и 2, включенные в режиме повторителя тока, формируют 5 ток ц коллектора и - р - и-транзистора 2 меньший, чем в 1. В результате и - р - и, транзистоо 1 остается открытым. Величина и определяется тском вг и соотношением площадей основного и дополнительного 10 коллекторов и - р - и-транзистора 2, при этом через коллекторы и - р - и-транзистора 3, соединенные с выходами 11 и 12 устройства, ток не протекает из.за низкого уровня выходного напряжения. 15Если произойдет короткое замыкание одного из выходов 11 или 12 увтройства на шину питания, то возрастет напряжение на одном из коллекторов и - р - и-транзистора 3. Площадь коллекторов и - р - и-транзисто ра 3, соединенных с выходами,...

Номер патента: 1721821

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Лупоносова, Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: буферная, схема

...оказывается ниже порога срабатывания защиты, В результате имеет место перегрузка по току и по мощности.Целью изобретения является повышение термостабильности в работе,Поставленная цель достигается тем, что в устройство, содержащее три диода Шоттки, два и-р-и-транзистора и инжектор, причем входы устройства через обратно включенные первый и второй диоды Шоттки связаны с базой первого п-р-п-транзистора, коллектором второго и-р-и-транзистора и первым коллектором инжектора, второй коллектор которого соединен с анодом третьего диода Шоттки, коллекторы первого и-р-и-транзистора являются выходами устройства, а эмиттер второго и-р-и-транзистора соединен с общей .шиной и базой инжектора, эмиттер которого соединен с шиной питания, введен...