Костюнина

Номер патента: 1735414

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Костюнина, Левунин, Прошин, Уфимцев

МПК: C22B 43/00

Метки: азотнокислых, извлечения, растворов, ртути

...20 С,Данные извлечения ртути из азотнокислого раствора (время отстоя 40 мин) приведены в табл.2. П р и м е р 3. Обрабатывали раствор, содержащий 2,3,5,7 и 9 моль/л азотной кислоты и 1 г/л ртути при температуре раствора 20 С смесью, содержащей гипофосфит натрия и гидразиннитрат, до получения их концентрации в растворе 5 и 1 г/л соответственно.Данные извлечения ртути при времени выдержки и отстоя осадка 50 мин приведены в табл.З,П р и м е р 4, Исследовали влияние концентрации гидразина при постоянной концентрации гипофосфита натрия 5 г/л, концентрации ртути 1 г/л и азотной кислоты 2,5,7 и 9 моль/л. Температура 20+2 С. Время восстановления и отстоя раствора 60 мин.Данные извлечения ртути в зависимос 1 и от ряда параметров приведены в...

Номер патента: 1571737

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина

МПК: H02M 7/217

Метки: оптоэлектронный, переменного, постоянное

...кванты света. Конденсатор 12 заряжаетсядо напряжения, близкого к амплитудеУь, которое и является (положительным) напряжением преобразователя.Кванты света со светодиода 2, поступая на фотодиод 3, работающий в Фотогальваническом (вентильном) режиме,генерируют,в нем вентильное напряжение, знаком "минус" прикладываемоек затвору МДП-транзистора 4 с и-каналом и знаком "плюс" к затвору ИДПтранзистора 13 с р-каналом, В результате МДП-транзисторы 4 и 13 закрыты.Таким образом, при положительнойполуволне Уэнергия с входа устрой ства поступает на выходной вывод 8. При отрицательной полуволне ПЗ 5 (на выводе 5) ток через светодиод 2 не протекает и, следовательно, вентильное напряжение на фотодиоде 3 равно нулю. В результате МДП-транзисторы 4 и 13...

Номер патента: 1460762

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Матсон

МПК: H02M 7/25

Метки: переменного, постоянное, регулируемый

...порог открывания МДП-транзистора 2, в результате чего Б , (при Б=сопят) можетбыть увеличено (при Е, О) или уменьшено (при Е, с 0), Для получениянеобходимо, чтобы 11В ++11 , т.е. чтобы порог открывания ТЦПтранзистора 2 был меньше амплитудногозначения 11 .МДП-транзистор 6 выполняет функцию выпрямительного элемента. Помимор - и-перехода исток-подложка, зарядконденсатора 10 осуществляется напря"жением Б+Ц и через канал открытогоМДП-транзистора б, При Йх+11 3в МДП-транзисторе 6 индуцируется канал, он открывается и начинает проводить ток с малыми потерями, заряжаяконденсатор 10,Преобразователь обладает широкимифункциональными возможностями и можетбыть использован как основной узелв разнообразных и сложных преобразовательных...

Номер патента: 1415378

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Дрожжев, Игумнов, Костюнина, Щербакова

МПК: H02M 7/25

Метки: переменного, постоянное

...МДП- транзистор 17. Знаком "плюс" вентильное напряжение с фотодиода 6 поступает на затворы МДП-транзисторов 14 и 16, открывая МДП-транзистор 14 и закрывая МДП-транзистор 16, Таким образом, МДП-транзисторы выполняют функции коммутационных ключей.При отрицательных полуволнах входного напряжения токи в светодиодах 1 и 2 не протекают и МДП-транзисторы 13,14,16 и 17 находятся в своих исходных состояниях.При наличии первой положительнойфполуволны входного напряжения в основном будет заряжаться лишь конденсатор 15 (через светодиоды 1 и 2) до напряжения, близкого к амплитуде входного напряжения Б. Затем при появлении отрицательной полуволны входного напряжения через диод 3 и МДП-транзистор 16 будет заряжаться конденсатор 1 тоже до напряжения...

Номер патента: 1415377

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина

МПК: H02M 7/217

Метки: оптоэлектронный, переменного, постоянное

...представлена гринципи 5альная схема преобразователя,Преобразователь содержит МДП-транзистор 1 с индуцированным р-каналом,исток которого соединен с анодамисветодиода 2 и фотодиода 3 оптронной пары 4. К общему выводу 5 подключены первые выводы балластных резисторов 6 и 7. Второй вывод балластного резистора 6 соединен с первым вы" 15ходным вьводом 8 и с катодом светодиода 2. Второй вьвод балластногорезистора 7 соединен с вторым выходнью вьводом 9, а так же со стокоми подложкой транзистора 1, Входнойвывод 10 подключен к истоку транзистора 1.Устройство работает следующим образом.Между входным 10 и общим 5 выводами прикладывается входное переменное напряжение. При его положительной полуволне на входном выводе 10с помощью светодиода 2 и...

Номер патента: 1379914

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Громов, Гусев, Игумнов, Костюнина

МПК: H02M 7/217

Метки: переменного, постоянное

...напряжения 1 в, обрдзучт, суммируясь, три участка: ток - подложка, исток - подложка и встроецции кдвял - подложка, 55 При полгжительной полуволне входного ндпрякециявх отрицательное напряжение с вьходд умножителя 6 через открытый Г.П-транзистор 1 с индуи 1 Оваццым л-каналом поступает нд затворМДП-транзистора 2 с встроенным каналоми устраняет пос.чений. Резистор 3является цдгрузочцим, а резисторслужит для повппецця стабильности ицадекности работы по затвору МЯ 1 трдцзисторд 2. Коцдецсятор 5 выполняет Луцкни сглаживания выпрямленногонапряжения,11 реобрдзовдтель работает следуяимобразом.Входное переменное цяпряжение ,прикладывается между входным потешияльным виводом 7 и шиной 9 нулевогопотенциала, Нд выходе умцожителя 6вырабатывается...

Номер патента: 1372534

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Дрожжев, Игумнов, Костюнина, Щербакова

МПК: H02M 3/335

Метки: постоянного

...к выходному выводу 15 и катоду диода 4, анодкоторого подключен к катоду диода 5,затвору МДП-транзистора 8, второму 45выводу резистора 12 и выходной (генераторный) секции ПЭТ 3. Выход задающего генератора 2 подключен к однойобкладке входной секции (секции возбуждения) ПЭТ 3, вторая обкладка которой подключена к общему выводу 14.Частота выходного напряжения за-,дающего генератора 2 должна быть равна резонансной частоте ПЭТ 3.Преобразователь работает следующим образом. Выходное напряжение с генератора2 поступает на входную секцию ПЭТ 3,который повьппает его амплитуду. Диод 4 и конденсатор 9 преобразуют переменное напряжение с выхода ПЭТ 3 в постоянное выходное напряжение преобразователя. С помощью диода 5 реализуется вольтодобавка...

Номер патента: 1352593

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Юровский

МПК: H02M 3/07

Метки: постоянного

...выводу.Схемы генераторов прямругольныхФимпульсов хорошо известны. В рассматриваемом устройстве может быть использован генератор, собранный посхеме мультивибратора, Первый и второй выходы генератора 2 импульсовявляются выводами с различных плечмультивибратора: когда на первом выходе имеет место положительное напряжение (равное напряжению входногоисточника 1), то на втором выходенапряжение практически равно нулю,и наоборот. В предлагаемом устройстве номера выходов генератора 2 импульсов могут быть взяты произвольно. Постоянное напряжение Увходного источника являетсянапряжением питания для генератора 2 импульсов. Преобразователь работает следующим образом,При отсутствии положительного напряжения на первом выходе генератора.2 импульсов...

Номер патента: 1345338

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Игумнов, Костюнина, Масловский, Морев

МПК: H03K 19/091

Метки: инвертор, инжекционным, питанием

...подключены соответственно к эмиттеру и крллектору транзис- ЗОтора 6, эмиттер транзистора 1 подключен к эмиттеру транзистора 3, коллек-.тор которого подключен к выходу 11и первому выводу конденсатора 7,второй вывод которого подключен к выходу 10, коллекторам транзисторов 1и 5 и базе транзистора 3, вход 12подключен к базам транзисторов 2, 5и 6, коллектор транзистора 4 подключен к эмиттеру транзистора 5 и шине 13,4 ОИнвертор с инжекционным питаниемработает следующим образом,При наличии положительного входного сигнала (высокий уровень навходе) на входе 12 р-и-Р-транзистор 452 закрывается, а и-р-п-транзисторы5 и 6 открываются, В этом режиме навыходе 10 напряжение практически равно нулю, Конденсатор 7 заряжается поцепи: шина 8,.эмиттер -...

Номер патента: 1332512

Опубликовано: 23.08.1987

Авторы: Игумнов, Изъюрова, Костюнина, Масловский

МПК: H03F 3/195

Метки: усилитель

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиотехнике, в частности к усилителям, выполненным на МДП-транзисторах,Цель изобретения - повышение стабильности коэффициента передачи.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема усилителя.Усилитель содержит полевой транзистор 1 с встроенным каналом, пер вый 2, второй 3, третий 4 и четвертый 5 резисторы, первый 6 и второй 7 дополнительные резисторы, входной 8 и выходной 9 разделительные конденсаторы, конденсатор 10. 15Усилитель работает следующим образом.Полевой транзистор 1 фактически представляет иэ себя два элемента: полевой транзистор и...

Номер патента: 1320897

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина

МПК: H03K 19/092

Метки: логических, уровней

...к клемме 20 источника опорного напряжения.На клемме 18 присутствует положительное напряжение источника питания Е а на клемме 19 - отрицательное напряжение источника питания Е. Транзистор 1 вместе с диодами 7 и 8, резисторами 9 и 10 образуют входную часть устройства, являющуюся структурой ТТЛ или диодно-транзисторной логики. Транзисторы 2 и 3 вместе с резисторами 1 - 13 образуют выходную часть устройства, являющуюся структурой ЭСЛ, Связь между входной и выходной частями устройства осуществляется с помощью анодного оптрона 4. фотодиод 6 в оптроне 4 работает в фотогальваническом режиме1 При закрытом транзисторе 1 ток через светодиод 5 протекать не будет, следовательно, фотодиод 6 не выраба 0897 2 тывает ЭДС. При открытом...

Номер патента: 1298863

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Масловский

МПК: H03K 3/353

Метки: триггер

...инжектируются дырки, которые экстрагируясь переходомсток - подложка, образуют на стокеизбыточный заряд, обуславливающий появление инжекционного напряжения Г,.Максимальная .величина У, определяется равновесной высотой потенциаль 3 2ного барьера р-п-перехода, которая для кремниевых структур примерно равна 0,7 В. Для успешной работы триггера необходимо, чтобы пороговые на-. пряжения (напряжения отсечки) Ц 1 ЩП- транзисторов 2 и 3 были меньше 0,7 В.При открытом состоянии МДП-транзистора 2 от источника питания протекает ток по цепи шина 3 - исток- подложка МДП-транзистора 1 - сток - исток МДП-транзистора 2. В результате на стоке МДП-транзистора 1 появляется напряжение У , которое, поступая на затвор МДП-транзистора 2, поддерживает его...

Номер патента: 1293824

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Масловский

МПК: H03F 3/04

Метки: инжекционным, питанием, усилитель

...содержит первый 1, второй 2 и третий 3 транзисторы, диод 4, источник 515 входного сигнала и источник 6 питания. Источник 6 питания смещает эмиттерные переходы первого и третьего транзисторов 1 и 3 н прямом направлении. Первый и третий транзисторы 1 и 3 являются питающими и выполняют 25 функции инжекторов. Между коллекторами первого 1 и третьего 3 транзисторов присутствует напряжение, примерно в два раза большее, чем инжекционное напряжение на одиночном питающем транзисторе (инжекторе), Таким образом, на выходе устройства может иметь место напряжение, составляющее удвоенную величину равновесного б",рьера р-и-перехода (без учета35 падения напряжения на базах транзисторов). Следовательно, в предлагаемом усилителе напряжение питания...

Номер патента: 1277320

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Громов, Дрожжев, Игумнов, Костюнина

МПК: H02M 7/19

Метки: переменного, постоянное

...7 замкнут. При отрицательной полуволне ключи изменяют свои состояния на противоположные. Такие состояния ключей 6 и 7 осуществляются с помощью световых сигналов светодиодов 8 и 9. При отрицательной полуволне входной ток может протекать только по диоду 10. В этом случае 1 ЩП- транзисторы находятся в своих исходных состояниях (МЦП-транзистор 11 от. крьгг, а МДП-транзистор 13 закрыт), поскольку напряжения между их истоками и затворами практически равны нулю, При положительной полуволне входного напряжения ток протекает через параллельно включенные светодиоды 8 и 9 и заряжает конденсатор 3. В этом случае кванты света, испускаемые светодиодами 8 и 9, попадают на 3 фотодиоды 12 и 14 и генерируют в них вентильное напряжение. Поскольку вен....

Номер патента: 1272417

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина

МПК: H02M 3/07

Метки: постоянного

...элемента, В рассматриваемом варианте преобразователя (как и в известном), являющемся устройством повышения уровня малого напряжения, используется сложение малых выходных (инжекционных) напряжений каждого из (четырех) биполярных транзисторов. При подаче на вход сборки положительного напряжения каждый транзистор, входящий в нее, работает в инжекционном режиме. Максимальная величина инжекционного напряжения на транзисторе в основном определяется высотой потенциального барьера коллекторного перехода и для кремниевых транзисторов примерно равна 0,7 0,8 В. Изменяя количество транзисторов в сборке, можно реализовать необходимое выходное напряжение;"Постоянное входное напряжение положительной полярности является напряжением питания для...

Номер патента: 1252936

Опубликовано: 23.08.1986

Авторы: Громов, Игумнов, Королев, Костюнина

МПК: H03K 19/00

Метки: логических, уровней

...запертом ИДП-транзисторе 1 токстока не протекает, поэтому и т ок в цепибазы выходного транзистора 2 равен нулю,При открытом входном МДП-транзисторев цепи его стока будет протекатьток, который является и током эмиттера транзистора 5. Преобразуясь транзисторами 5 и 6, работающими в инжекционном режиме, этот ток будет протекать в цель базы транзистора 9 и поддерживать его в открытом состоянии.Ток коллектора транзистора 9 является током эмиттера транзистора 7.Преобразуясь транзисторами 7 и 8, работающими в инжекционном режиме, этотток будет протекать в цепь базы выходного транзистора 2, поддерживаяего открытое состояние. 293 б2Поскольку входной МДП-транзисторв открытом состоянии обладает значительным остаточным...

Номер патента: 1248017

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Игумнов, Костюнина, Масловский, Шведов

МПК: H02M 7/217

Метки: оптоэлектронный, переменного, постоянное

...3 оптрона 1 подключен к затвору МДП-транзистора 6, а его анод подключен к истоку МДП-транзистора 6.Преобразователь работает следующим образом.Между выводами 7 и 8 прикладывается входное переменное напряжение (синусоидальное напряжение первичного источника) Б. Между выводами 9 и11 снимается первое выпрямленное напряжение (первый выход преобразователя), а между выводами 10 и 11 второе выпрямленное напряжение (второй выход преобразователя) Резистор 4 является нагрузкой первого выхода, а резистор 5 - нагрузкой второго выхода преобразователя.При отрицательной полуволне Уна выводе 7 через светодиод 2 ток протекать не будет. Напряжение на .нагрузках преобразователя появляется при положительной полуволне 0на выводе 7, Первый выход...

Номер патента: 1226653

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Масловский

МПК: H03K 19/091

Метки: инвертор, инжекционным, питанием

...образом.При открытом управляемом р-и-р транзистора 3 между первой и второй шинами 6 и 7 питания протекает ток по цепи: первая шина питания 6, эмиттер-база питающего р-п-р транзистора 1, эмиттер-коллектор уп равляемого р-и-р транзистора 3, база-эмиттер питающего п-р-п транзистора 2, вторая шина питания 7. Этот ток порождает избыточный заряд основных носителей в коллекторах питающих р-и-р и п-р-п транзисторов 1 и 2 (дырок в коллекторе питающего р-и-р транзистора 1 и электронов в коллекторе питающего п-р-и транзистора 2). За счет этого заряда между выходом 9 и общей шиной 10 появляется инжекционное напряжение. Такое состояние инвертора сохраняется при закрытом управляемом п-р-и транзисторе 4. При этом выходное (инжекционное)...

Номер патента: 1221705

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Масловский

МПК: H02M 7/155

Метки: переменного, постоянное

...нагрузки 6 дополнительного источника, Между коллекторами транзисторов 1 и 2 включено сопротивление нагрузки 5 инжекционного источника напряжения. Между выводами 3 и 4 прикладывается входное переменное напряжение первичного источника Гх,.Преобразователь работает следующимобразомПри отрицательной полуволне 11 на выводе 3 и положительной - иа выводе 4 эмиттерные переходы транзисторов 1 и 2 смещены в обратном направлении и ток через них не протекает. Напряжение на нагрузках 5 и 6 появляется при приложении положительной полуволны У к выводу 3 и отрицательной - к выводу 4. В этом случае эмиттерные р-п-переходы транзис торов 1 и 2 смещаются в прямом направлении и через них протекает ток.Поскольку сопротивление нагрузки 6 включено...

Номер патента: 1193796

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Лапшин

МПК: H03K 19/08

Метки: инвертор

...инвертора.На чертеже приведена схема предлагаемого устройства. 30Инвертор содержит входную 1 и выходную 2 шины, шину 3 питания, общую шину 4, управляемый 5 и нагруэочный 6 МДП-транзисторы с индуцированными каналами р-типа, биполярный р - и - р-транзистор 7, конденсатор35 8 и диод 9, катод которого и эмиттер транзистора 7 подключены к шине 4, анод диода - к базе транзистора 7 и к одной иэ обкладок конденсатора, вторая обкладка которого подключена к шине 1 и затвору транзистора 5, исток которого подключен к шине 4, а сток - к шине 2 и истоку транзисто-ра б, сток ко-.орого соединен с его затвором и шиной 3, биполярныйр - и - р"транзистор 10, база которого подключена к коллектору транзисто. - ра 7, эмиттер - к истоку транзистора 96 26,...

Номер патента: 1146793

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Масловский

МПК: H03F 17/00

Метки: оптоэлектронное

...при этом база иколлектор транзистора являются выходами 12 .известное оптоэлектронное устройствообладает низкой стабильностью вследствиеизменения тока покоя светодиода.Цель изобретения - повышение стабильности.Цель достигается тем, что в оптоэлектронное устройство, содержащее основнойоптрон, выполненный на паре светодиод -фотодиод, транзистор и источник смещения,фотодиод основного оптрона катодом подключен к коллектору транзистора, а анодом - к базе транзистора, при этом базаи коллектор транзистора являются выходами, введены дополнительный оптрон, выполненный на паре светодиод - фотодиод, иконденсатор, причем параллельно соединенные конденсатор и светодиод дополнительного оптрона включены последовательно сосветодиодом основного...

Номер патента: 1138862

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Щербакова

МПК: H02M 3/07

Метки: постоянного

...второй группы, коллекторыр-Ь-р-транзистора первой группы и .и-р-п-транзистора второй группы подключены к соответствующим обкладкамфильтрующего конденсатора, эмиттерЬ-р-о-транзистора второй группы подключен к отрицательному выводу источника входного напряжения, а эмиттерр-ь-р-транзистора первой группы через дополнительно введенный резистор;Подключен к положительному выводуисточника входного напряжения и черездополнительно введенный конденсаторк выходу генератора импульсов.На фиг, 1 представлена схема преобразователя постоянного напряжения;на фиг. 2 - зависимость выходного напряжения отвходного для предлагаемого преобразователя,Преобразователь (фиг. 1) содержитвходной источник 1 постоянного напряжения, генератор 2 импульсов,фильтрующий...

Номер патента: 1094150

Опубликовано: 23.05.1984

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Лапшин, Масловский

МПК: H03K 19/00

Метки: уровней

...тем,что в преобразователь уровней, содер жащий входной МДП-транзистор, затворкоторого подключен к входу преобразователя, исток - к общей шине иэмиттеру выходного транзистора типап-р-п, коллектор которого подключенк. выходу преобразователя, первый вывод резистора подключен к шине питания, введены два транзистора типар-п-р, коллектор первого транзистораподключен к второму выводу резистора, база - к стоку входного МДП-транэистора, эмиттер - к коллектору второго транзистора, база которого подключена к общей шине, а эмиттер - кбазе выходного транзистора.На чертеже представлена принципиальная схема преобразователя уровней.Преобразователь уровней содержитвходной МДП-транзистор 1, затвор которого подключен к входу 2 преобразо"вателя,...

Номер патента: 1088127

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Масловский

МПК: H03K 19/091

Метки: инвертор, инжекционным, питанием

...питанием.Инвертор содержит транзисторы и-р-и- и р-п-р-типа, первая и вторая шины 1 и 2 питания подключены соответственно к эмиттеру питающего р-и-р"транзистора 3 и эмиттеру питающего п-р-и-транзистора 4, к коллектору которого подключен эмиттер управляемого и-р-и-транзистора 5, коллектор которого подключен к коллектору питающего р-и-р-транзистора 3 и к выходу 6 устройства, база управ ляемого и-р-и-транзистора 5,подключена ко входу 7 устройства, эмиттер управляемого р-и-р-транзистора 8 подключен к базе питающего р-и-р-транзистора 3, коллектор - к базе питающего и-р-и-транзистора 4, а база - к базе управляемого п-р-п-транзистора 5, эмиттер которого подключен к общей шине 9.Устройство работает следующим образом.При открытом...

Номер патента: 1078618

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Игумнов, Изъюрова, Костюнина, Лапшин, Масловский

МПК: H03K 17/78

Метки: оптоэлектронное, переключающее

...и коллектором п-р-п-тран эистора, базЫ биполярных транзисторов соединены между собой, с затворами МДП-транзисторов и входной клеммой устройства, а подложки МДП транзисторов соединены с истоками,Увеличение амплитуды выходного сигнала обеспечивается подачей на выходную клемму как положительного вентильного напряжения, так и отри цательного с помощью введения двух дополнительных МДП-транзисторов с Определенными связями, что расширяет функциональные возможности устройс т. ва. 65 На чертеже представлена электрическая схема оптоэлектронного переключающего устройства.Устройство состоит из оптрона,образованного светодиодом 1 и фотодиодом 2, биполярных транзисторов 3и 4, МДП-транзисторов 5 и б, входной клеммы 7 и выходной клеммы 8.Транзистор...

Номер патента: 1035801

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина, Лапшин

МПК: H03K 19/08

Метки: варианты, его, инвертор

...2, а транзистор 9 закрывается.Таким образом, одновременная подача входного сигнала на затвор МДП-гранзистора 2 и на базу биполярного транзистора 9 приводит к уменьшению времени включения инвертора и, слеповательно, к повышению его быстродействия,Устройство по второму варианту работает следующим образом. аПоставленная цель достигается тем,что в инвертор, содержащий входнуюи выходную шины, шину питания, общуюшину, управляющий и нагрузочный МДПтранзисторы, конденсатор и диод, включенный между общей шиной и первой обкладкой конденсаторадополнительно введщ 30биполярный транзистор, эмиттер которогоподключен к обшей шине, коллектор - квходной шинеа база - к аноду,пиода и,первой обкладке конденсатора, втораяобкладка которого соединена с...

Номер патента: 790128

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Громов, Игумнов, Костюнина

МПК: H03K 3/286

Метки: триггер

...зависимости тока подложки от величины напряжения на шине питания.В схеме триггера сток и исток МДП-транзистора 1 со встроенным и-каналом подключены к общей, шине 2, затвор - ко входной шине 3, а подложка - к выходной шине 4. Между выходной шиной 4 и шиной 5 питания включен резистор б.Из кривых зависимости тока подложки ,Д от величины напряжения на шине питания Е при трех значениях напряжения на затворе Оъ транзистора 1 (фиг. 2) для случая, когда сопротивление резистора б равно нулю, видно, что МДП-транзистор 1 при таком790128 Формула изобретения ГпМ фУГ Я Составитель Л. ПетроваРедактор О. Малец ТехредМ.Табакович Корректор С. Цома раж 995ударственногм изобретенива, Ж, Ра П 9058/57 Т ВНИИПИ Го по дел 113035, МосписноСР комитета Си...

Номер патента: 726479

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Ермаков, Костюнина

МПК: G01N 31/08

Метки: животных, зеараленона, количественного, тканях

...если содержание микотоксина в пробе превышает 10 мкг, то получают хроматограмму стандартов большей концентрации (10-20 мкг). Концентрацию Фв образце рассчитывают по формуле:АХРгде Х - содер;ание зеараленона в исследуемой пробе, мг/кг;А - количество токсина в навеске,мкг;Р в . вес пробы, гЧувствительность определения зеараленона в органах и тканях животных при навеске 10 г составляет 100 мкг/кг (0,1 мг/кг). Абсолютная чувствительность обнаружения стандартного вещества в тонком слое силикагеля (силуфола) составляет 0,25 мкг.Степень извлечения зеараленбна зависит от.соотношения между массой образца и объемом органического растворителя, а также от времени экст ракции. Если 10 г пробы встряхивать в течение 2 ч с 60 мл ацетона, то...

Номер патента: 358395

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Горбунова, Государственный, Кольчугинский, Костюнина, Лайнер, Лузенберг, Лунева, Обработки, Серго, Сплавов, Темкин, Трудового, Шевакин, Щендр, Яковлева

МПК: C22C 9/04

Метки: меди, основе, сплав

...Н. Г, Яковлева, Т, Г. Ги Л. А. Щендряковно-исследовательский и проектный цветных металлов и Кольчугински намени завод по обработке цветных м. Серго Орджоникидзе евакин, Д,кин, А. А. тюнина, рбунова нный на обработк Красного аявители Государст сплавов Трудовогоинститут и ордена металлов ПЛ ОСНОВЕ МЕД носится к изыскапню оплади, предназначенных для совой промышленности, на основе меди, содержа- и, титаи.сплав отличается от иавестсодержанием циника и нановы,шае аве никеля, чтава.ный сплав имеавв %: у,юли,й х Предел прочности кг/ммфТемпература испытания, ие своиства сплурах приведены тно Относител ное удлинениесужение,меди, вкл ичающийластичноскель притов в %: 22 20 21 26 22 211213,5 12,51946670 31 - 40 1 - 4 0,35 в 1,7 0,02 - 0,2...