Согласующее устройство

СОЮЗ СОВЕТСНИХ ЦИАЛИСТИЧЕСН СПУБЛИН(594 Н 0 СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ;(22) 20.05,85 (46) 07,10,86, Бюл (71) Московск У 3 удового ии ордена ени инжен-физиче Шагурин И,И.Радио и2 ь 33 а.Н., Науьные сх М.: Сов ис,519 мыск Красного Знамкий институт(56) Алсксеенко А,Г. иМикросхемотехника, М,:связь, 1982, с.94, рисАваев Н.А., Дулин Вмов Ю,Е. Большие интегс инжекционным питаниемое радио, 1977, с.187б32627 И А(54) СОГЛАСУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к импульсной технике, в частности к интегральным схемам на элементах с нн 2жекционным питанием (И Л), и может быть использовано при создании БИС в качестве элемента согласования схем ТТЛ и КМДП логики с И Л, Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности, повышение быстродействия и расширение функциональных возможностей согласующего устройства, Устройство содержит транзисторы (Т)1, 2 и 5, источник 3 тока, выход 4, шину 6 питания, дополнительные вхо"12 б 2719 111+ Кх 11 + К(х-Р) 20Если Р = х, то 1 =1. Еспи 11где 1 - ток источника 3 тока, тотранзистор 2 открывается, на выходе4 появляется низкий потенциал, упг2 равляющий И Л элементами.Выбирая величину источника 3 токасоответствующим образом, можно программировать согласующее устройствона выполнение различных функций.При 30 1 г---- с 1 с 1 согласующее устК+ 1гройство выполняет функцию логическо-,1 гго элемента ХИ, При --- с 1 а1+К(х-Р+1) 35 с1+К(х-Р) Согласующее устройство работает следующим образом.При низком потенциале на входах 10.1-10.Х диоды 9.1-9.Х закрыты,транзисторы 8.1-8.Х находятся в насыщении. Транзистбры 1 и 5 работают в активной области и образуют токовое ды 10,1-10.Х. Для достижения поставленной цели в устройство введены источнчк 7 тока, дополнительные 8.18.Х, диоды 9,1 - 9,Х. Наличие начального всплеска тока у Т 1 ускоряетвыключение Т 2 и не приводит к появлению помехи.на выходе устройства,Изобретение относится к импульсной технике, а именно к интегральным схемам на элементах с инжекционным питанием (И Л), и может найти применение при создании БИС в качестве элемента согласования схем ТТЛ игКМДП логики с И Л.Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности, увеличение быстродействия и расширение функциональных возможностей согласующего устройства.На чертеже показана принципиальная схема согласующего устройства,Согласующее устройство содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, эмйттеры которых соединены с общей шиной, первый коллектор первого транзистора 1 через источник 3 тока подключен к общей шине и базе транзистора 2, коллектор которого соединен с выходом 4, второй коллектор и база транзистора 1 соединены соответственно с базой и эмиттером третьего транзистора 5, коллектор которого подключен к вине 6 питания и через дополнительный источник 7 тока соединен с его базой и базами четвертого, пятого и дополнительных транзисторов 8,1-8.Х, коллекторы которых через сОответствующие диоды 9.1-9,Х подключены к входам и дополнительным входам 10.1-10.Х, а эмиттеры подключены к соответствующим дополнительным коллекторам транзистора 1. Задержка переключения устройства определяется только перезарядом емкости базы Т 2, Устройство обладает высокой технологичностью, может бытьизготовлено по стандартной биполярной технологии, имеет большой диапазон изменения тока питания. 1 ил. зеркало, Ток первого коллектора транзистора 2 равен где 1 - ток источника 7 тока;К - отношение площади дополнительного коллектора транзистора 1 к площади первого коллектора;х - количество дополнительныхколлекторов транзистора 1.При подаче высокого потенциала наР входов 9 ( 7)1,5 В) Р диодов 9открываются, Р транзисторов 8 начинают работать в активной области,Выходной ток равен согласующее устройство выполняет функцию мажоритарного элемента Р из Х.Особенностью согласующего устрой ства является то, что после того,кактранзисторы 8.1-8.Х выйдут из насыщения ( 71,5 В), входной ток мало зависит от входного напряжения вплоть1262719 Составитель ,А,ЯновТехред А.Кравчук Корректор Л.Патай Редактор А.Шандор Заказ 5446/58 Тираж 816 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4. до напряжения пробоя коллекторных пе- реходов транзисторов 8,1-8.Х чтог позволяет согласовывать И Л схемы по входу не только с ТТЛ логикой, но и с КМДП схемами с напряжением питания 5 1.5-30 В. Потребляемая мощность и быстродействие согласующего устройства при этом не зависят от величины высокого входного логического уровня.В предлагаемом устройстве после прихода положительного перепада нап- ряж .ния на входные шины потенциал базы транзистора 5 увеличится, что приведет к увеличению тока транзистора 1. Однако из-за наличия включенной отрицательной обратной связи второй и дополнительные коллекторы транзистора 1 ограничат увеличение этого тока, кроме того, из-за наличия транзисторов 8,1-8.Х узловая емкость базы транзистора 5 имеет большое значение, что также ограничивает величину изменения потенциала базы. После того, как коллекторные пере ходы транзисторов 8.1-8,Х закроются, схема войдет в нормальный режим работы с большим значением тока первого коллектора транзистора. Транзистор 2 закроется. На выходе 4 появит ся высокий потенциал.Наличие начального всплеска тока у транзистора 1 ускорит выключение транзистора 2 и не приведет к появле"Ю нию импульса помехи на выходе согла З 5 сующего устройства. Задержка переключения предлагаемого устройства определяется только перезарядом емкости базы транзистора 2. Формула изобретения Согласующее устройство, содержащее вход, пять транзисторов, источник тока первый вывод которого подключен к общей шине и эмиттером первого и второго транзисторов, причемпервый коллектор первого транзисторасоединен с базой второго транзистора, коллектор которого подключен квыходу, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью уменьшения потребляемоймощности, увеличения быстродействияи расширения функциональных возможностей, в него введены )иоды, дополнительный источник тока и дополнительные транзисторы, второй коллек,тор и база первого транзистора подключены соответственно к базе иэмиттеру третьего транзистора, коллектор которого подключен к шине питания и через дополнительный источник тока соединен с его базой и базами четвертого, пятого и дополнительных транзисторов, коллекторы которых через соответству 1 ощие диодысоединены с входом и дополнительными входами, а эмиттеры подключены ксоответствующим дополнительным коллекторам первого транзистора, второйвывод источника тока подключен к базе второго транзистора,