Согласующее устройство

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ с.,Р 00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании БИС в качестве согласующего устройства, Цель изобретения - увеличение быстродействия ипомехоустойчивости, а также увеличение порога переключения и уменьшениевходного тока, Устройство содержитдиоды 9-11, транзисторы 1-4, Для достижения поставленной цели в устройство введены транзистор 14, источниктока 15 и новые связи. 1 з.п. ф-лы,2 ил,Изобретение относится к импульсцой микроэлектронике и может найти применение при создании БИС в качестве элемента согласования схем ТТЛ и КЩП логики со схемами интегральной инжекционцой логики (И Л)йили интегральной Шоттки логики (ИШЛ),11 елью изобретения является увеличение быстродействия и помехоустойчивости, а также увеличение порога 10 переключения и уменьшение входного тока.На фиг, 1 показана принципиальная схема согласующего устройства;на фиг. 2 - то же, вариант выполне 15ния,Согласующее устройство (фиг.1)содержит с первого по четвертый транзисторы 1-4, первый 5 и второй 6 источники тока, входную 7 и выходную 8шины, с первого по третий диоды Шоттки 9-11, шину 12 питания и общую шину 13.База, коллектор и эмиттер трацэис 25тора 1 соединены соответственно санодами диодов 9 и 10 и через источник 5 тока с шиной 12 питания, шиной7 и катодом 10 диода, базой транзистора 2 и анодом диода 11, Коллектортранзистора 2 соединен с катодом диода 11 и через источник 6 тока с общейшиной 13, базой транзистора 3, эмиттером транзистора 4, база и коллекторкоторого соединены с катодом Диода9, эмиттеры транзисторов 2 и 3 соединены с общей шиной 13, коллектортранзистора 3 соединен с шиной 8,Согласующее устройство работаетследующим образом,При низком потенциале на шине 7весь ток игточника 5 тока втекаетчерез диод 9 во входную цепь. Транзистсры 1, 2 и 4, а также диоды 9 и11 закрыты.Источник 6 тока открывает тран 45зистор 311 а выходной шине 8 поддерживается низкий потенциал.При высоком потенциале на шине 7(Ц1,0 В) диод 10 закрыт, транзисторы 1, 2 и 4 работают в активной области и образуют токовое зеркало. Потенциал на базе транзистора3 ранен 1316081 2да 9 соответственно. Транзистор 3 закрыт. На выходной шине 8 поддерживается высокий потенциал.Таким образом, изменение потенциала на шине 7 приводит к изменению состояния транзистора 3, открытый коллектор которого может непосредственно управлять элементами И Л и ИШЛ,Достоинством согласующего устройства является то, что после того,как1диод 10 закроется, входной ток устройства не зависит от входного напря;жения вплоть до напряжения пробояколлекторного перехода транзистора1, что позволяет согласовать злемен 2ты И Л и ИШЛ не только с ТТЛ, но ис КМДП логикой с напряжением питания1,5-30 В и более,В предлагаемом устройстве диод 10исключает насыщение транзистора 1 принизком потенциале ца шине 71поэтому импульс помехи на шине 8не появляется. Транзистор 4 и диоды9 и 11 обеспечивают фиксацию потенциала базы транзистора 3 на уровне0,2-0,3 В при высоком потенциале нашине 7. Диод 11 обеспечивает поддержание такого потенциала при высокихтемпературах, так как отводит тепловые токи иэ базы транзистора 2.Задержк переключения устройстваопределяется временем переэаряда узловых емкостей без транзисторов 1 и3 на величину 0,2-0,3 В.Для увеличения порога переключения согласующего устройства с 1,0 до1,5-1,8 В и уменьшения входного тока в 10-100 раз согласующее устройство фиг, 2 дополнительно содержитпятый транзистор 14 и третий источник 15 тока, причем база, коллекторц эмиттер транзистора 14 соединенысоответственно с шинами 7 и 12, коллектором транзистора 1, третий источник 15 включен параллельно переходу база - эмиттер транзистора 2,Для надежного запирания транзистора 2 при низком потенциале на шине 7 величина источника 15 должнабыть в 2-10 раэ больше источника 5.Таким образом, предлагаемое устройство обладает большой помехоустойчивостью.55 Гце 111- бр 1)бэ дш Эпения нацряжеций на переходах базаэмиттер транзисторов 2, 1 и 4 и диоФормула изобретения 1, Согласующее устройство, содержащее входную шину, три диода, четы/56 Тираж 901ВНИИПИ Государственногпо делам изобретений035, Москва, Ж, Рау каз 23 Подписноекомитета СССРоткрытийкая наб д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная,ре транзистора, база первого транзистора соединена через первый источниктока с шиной питания, эмиттер соединен с базой второго транзистора,эмиттер которого соединен с общей шиной,а коллектор через второй источник тока соединен с общей шиной и подключен к базе третьего транзистора,эмиттер которого соединен с общей шиной,а коллектор подключен к выходной шине, коллектор четвертого транзисторасоединен с катодом первого диода,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что,с целью увеличения быстродействия ипомехоустойчивости, анод первого дио да соединен с базой первого транзистора и анодом второго диода, катодкоторого соединен с коллектором первого транзистора, эмиттер которого 81 4соединен с анодом третьего диода, катод которого соединен с коллектором второго транзистора и эмиттером четвертого транзистора, база которого соединена с его коллектором, а катод второго диода подключен к входу устройства. 2, Устройство по п, 1, о т л и чающее с я тем, что, с целью увеличения порога переключения и уменьшения входного тока, введены третий источник тока и пятый транзистор, переход база - эмиттер которого включеН между входной шиной и катодом второго диода, а коллектор соединен с шиной питания, база второго транзистора через третий источник тока соединена с общей шиной.