И л ячейка

(504 Н 03 аСРПр,ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ ЕЛЬСТВУ ехническии А.Мелконян агурин И.И,Радио ис,2.18(б).,Н Науральные схением. - М.:с150,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ АВТОРСКОМУ СВИ(57) Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в цифровых интегральных устройствах автоматики и вычислительной техники. И 2 Л-ячейка содержит ключевой многоколлекторный транзистор .1 типа п-р-п, входные диоды Шоттки 3, многоэмиттерный транзистор 4 типа р-п-р, транзистор 5 типа п-р-п, инжекционный транзистор 2 типа р-п-р, общую шину 7. ИЛ-ячейка имеет увеличенную надежность за счет повышенной устойчивости к коротким замыканиям выхода на шину питания. 2 ил.Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в цифровых интегральных устройствах автоматики и вычислительной тех 5 чики.Цель изобретения - увеличение надежности ИЛ-ячейки путем повышения устойчивости к коротким замыканиям выхода на шину питания.На фиг.1 приведена принципиальная электрическая схема ИЛ-ячейки; на фиг,2 - структура ИЛ-ячейки, поперечный разрез. 15 1ИЛ-ячейка содержит ключевой мно гоколлекторный транзистор 1 типап-р-п, инжекционный транзистор 2 типа р-и-р и входные диоды Шоттки 3,многоэмиттерный транзистор 4 типар-и-р и транзистор 5 типа п-р-п,Эмит.теры многоэмиттерного транзистора 4соединены с коллекторами многоколлек.торного транзистора 1 и подключены квыходам 6 ячейки, база транзистора 4подключена к общей шине 7, а коллектор соединен с базой транзистора 5,коллектор которого соединен с базоймногоколлекторного транзистора 1, аэмиттер подключен к шине 7, базатранзистора,1 через диоды Шоттки соединена с входами ячейки,Ячейка работает следующим образом,Пусть на входах - логический нуль. 35 Это означает, что ток через транзистор 2 протекает к входу через диод Шоттки 3 и транзистор 1 заперт, Следовательно, на выходе - логическая единица. В этом состоянии транзис торы 4 и 5 также заперты и не влияют , на работу ячейки. Запертое состояние транзистора 4 обеспечивается тем, что на входе последующего каскада также имеются диоды Шоттки и, поскольку 45 сумма падений напряжения на переходе база - эмиттер транзистора 4 и диоде 3 Шоттки больше падения напряжения на переходе база - эмиттер транзистора 1, по током последующего каскада открывается ключевой транзистор 1 этого каскада, а не транзистор 1 предыдущего каскада, Закрытое состояние транзистора 5 обеспечивается отсутствием его базового тока. В этом 55 состоянии короткое замыкание выхода б на шину питания +Е не опасно для транзистора 1, так как он заперт, Оно не опасно также для транзистора 4, так как он, как и транзистор 2,реализован с толстой базой.Пусть теперь на входах - логическая единица. Это означает, что токнаправляется на базу транзистора 1и открывает егоПоэтому на выходе 6получаем логический нуль. При этомтранзисторы 5 и 4 не влияют на работу ячейки, так как они заперты.Если в этом состоянии произойдет короткое замыкание выхода 6 на шину питания, то откроется транзистор 4, аследом и транзистор 5, Входной токпротекает через транзистор 5 на общую шину. Поэтому транзистор 1 запрется и тем самым предотвратится егопробой током короткого замыкания. Поустранении короткого замыкания, навыходе ячейки транзистор 4, а следоми транзистор 5 закроются и схема вер"нется в исходное состояние, т,е.транзистор 1 откроектся. В первоначальный момент короткого замыканиячерез открытый транзистор 1 протечетток до тех пор, пока не сработает обратная связь через транзисторы 4 и 5и не закроет транзистор 1, Посколькувремя срабатывания обратной связималенькое (20-30 нс), то за это время транзистор 1 не успевает пробиваться,Таким образом, дополнительныетранзисторы 5 и 4 в нормальном состоянии совершенно не влияют на работу ИЛ-ячейки, но в случае короткогозамыкания на выходе запирают ключе"вой многоколлекторный транзистор итем самым предотвращают его пробой,Ф о р м у л а изобретенияИЛ-ячейка, содержащая ключевой многоколлекторный транзистор п-р-и типа с инжекционным питанием, коллекторы которого соединены с соответствующими выходами ячейки, а база через соответствующие входные диоды Шоттки подключена к входам ячейки, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения надежности, в нее введены многоэмиттерный транзистор р-и-р типа и транзистор п-р-и типа, при этом эмиттеры многоэмиттерного транзистора подключены к выходам ячейки, база - к общей шине, а коллектор - к базе транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор - с базой многоколлекторного транзистора.1386951 Составитель А,Янов Техред Л.Сердюкова Корректор С.Черни актор П. Ге Подписноеета СССР тираж 928 ВНИИПИ Государственного к по делам изобретений и 13035, Москва, Ж, Раушск