H01S 3/16 — из твердых материалов

Номер патента: 1064835

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Янчук

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерной, пассивных, среды, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла фторида лития с F-2 центрами окраски, включающий облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентраций F-2 центров окраски, монокристалл облучают дозой (0,02 1) 109. Рентген при поддержании температуры кристалла -25 +25oС.

Номер патента: 658638

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Лобанов, Максимова, Мартынович, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, окг, элемент

...содержащем ионыла, хорошо растворимого в воде. ОН, выше,Известен активный элемент, на основе . Проведены испытаййя работы двух ак-.монокристалла, содержащего центры окра- тивных элементов в оптическом квантовомски. Активный элемент, изготовленный из 40 усилителе на длине волны 928 нм, Измеремонокристалла фторида лития, содержащий ны коэффициенты усиления и полученнйеэлектронные центры окраски, обладает ши- данные сопоставлены с результатами исслерокой полосой люминесценции в ближней . дования активного элемента из монокриинфракрасной области спектра и позволяет сталла фторида лития, не содержащегоплавно перестраивать частоту ОКУ и ОКГ в 45 ионы гидроксила. Испытания проведены.напределах этой полосы, установке, схема которой представлена...

Номер патента: 1331394

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Непомнящих, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА на основе кристалла фтористого лития LiF с примесью магния, включающий выращивание кристалла из расплава, облучение его ионизирующим излучением для создании центров окраски, отличающийся тем, что, с целью повышения фотоустойчивости рабочих центров окраски и расширения диапазона генерируемых длин волн, кристалл выращивают в инертной или восстановительной атмосфере, а его облучение производят при одной из температур в диапазоне 80 300oС.

Номер патента: 1414266

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Иванов, Иншаков, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: излучения, когерентного, кристалле, лития, фтористого, центрах

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА F+2 -ЦЕНТРАХ В КРИСТАЛЛЕ ФТОРИСТОГО ЛИТИЯ, включающий облучение кристалла ионизирующим излучением и накачку его излучением импульсных газоразрядных ламп, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии излучения путем увеличения концентрации рабочих центров окраски при одновременном упрощении способа, облучают кристалл ионизирующим излучением при температуре 78 243 К.

Номер патента: 1276207

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Ахвледиани, Иванов, Михаленко, Хулугуров, Шкадаревич

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерной, среды

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ на основе кристалла фторида лития с примесью магния, включающий облучение кристалла ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью получения генерации в области 0,64 0,72 мкм и увеличения срока службы лазера в указанном диапазоне, кристалл облучают при температуре от 196 до 40oС дозами 108 109 P, после чего выдерживают его при температуре 90 100oС в течение 1,5 2 ч.

Номер патента: 1028100

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Волкова, Исянова, Князев, Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: C30B 17/00, H01S 3/16

Метки: лазеров, оптических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ на основе монокристаллов фторида лития, включающий выращивание монокристалла на воздухе из расплава исходного материала на затравку путем его охлаждения с последующим облучением монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой прочности отптического элемента без снижения концентрации рабочих центров, исходный материал берут в виде мелкодисперсных частиц, которые получают предварительным выращиванием кристаллов фторида лития из расплава в вакууме, измельчением их на воздухе и отмучиванием.

Номер патента: 807961

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Лобанов, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития с примесями, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью оптимизации энергетических параметров активного элемента, монокристалл перед облучением ионизирующим излучением подвергают термической обработке в температурном интервале 250 - 450oС в течение не менее 2 ч.

Номер патента: 845721

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Иванов, Кузаков, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО на основе фторида натрия с центрами окраски, отличающееся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров, излучающих при комнатной температуре, в него введена окись европия Eu2O3 в следующей концентрации 1 10-1 2 10-2 мас.

Номер патента: 986268

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, активных, варианты, его, лазер, лазера, приготовления, элемент, элементов

1. Активный элемент лазера на основе монокристалла, содержащего центры окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения выходных характеристик лазерного излучения и расширения возможностей управления ими, он выполнен с изменяющейся концентрацией центров окраски в направлении, перпендикулярном к рабочей оси активного элемента.2. Активный элемент лазера на основе монокристалла, содержащего центры окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения выходных характеристик лазерного излучения и расширения возможностей управления ими, он выполнен в форме цилиндра, а центры окраски в нем имеют градиент концентрации по окружности.3. Способ приготовления активных элементов твердотельных лазеров,...

Номер патента: 762692

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Иванов, Лобанов, Максимова, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, лазера, элемент

АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЛАЗЕРА на основе фторида лития, содержащего ионы гидроксила, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления при комнатной температуре, он дополнительно содержит ионы магния.

Номер патента: 1805812

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Еськов, Рандошкин, Тимошечкин

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

...частности, лазерное вещество можетдополнительно содержать церий и иметьсостав, соответствующий формулеСахМЬмСенМЬибац 012-р, где 0,01 м0,18;0,001 н 0,04.В таблице приведены примеры различного состава лазерного вещества.Недостатком лазерного вещества на основе кальций-германий-галлиевого граната является сегрегация расплава впроцессе выращивания кристаллов по методу Чохральского, Введение в состав вещества ниобия вместо германия позволяетповысить параметр кристаллической решетки граната и за счет этого его изоморфнуюемкость. Область конгруентного плавлениякристаллов имеет место; если содержание кальция и ниобия связаны соотношением и - (х/3) (1,5 + 0,3 г), где 0,60г0,65, суммарное содержание катионов 7,90х+ + у+ и+ ц8,00, содержание...

Номер патента: 1762721

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Безродный, Деревянко, Ищенко, Карабанова, Луцык, Погорелый, Сломинский

МПК: H01S 3/113, H01S 3/16

Метки: лазерный, элемент

ЛАЗЕРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий полимерную матрицу с внедренным в нее органическим красителем, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса работы, увеличения эффективности генерации лазера, полимерная матрица выполнена из полиуретана, полученного реакцией поликонденсации веществ, содержащих гидроксильные и изоцианатные функциональные группы следующего состава, мас.%:Гидроксилсодержащий олигомер - 45 - 67Изоцианатсодержащий отвердитель - 33 - 55

Номер патента: 1366016

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Аввакумова, Бессонова, Бодячевский, Минаев, Севастьянов

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО на основе монокристалла оксида алюминия с добавкой титана, отличающееся тем, что, с целью увеличения энергии генерации, долговечности и радиационной устойчивости, оно имеет следующую структурную формулу:(Al2-x-y Tix) AlgO3-05y,где x = 0,0002 - 0,003;y = 0,0005 - 0,001.

Номер патента: 1823752

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Алимпиев, Гульев, Мокрушников, Самойлова, Юркин

МПК: H01S 3/16

Метки: активная, лазера, среда, твердотельного

...В частности на переходе Г, - "1 до 1,051 мкм,Спектр люминисценции монокристачла 1.аВеА 1019:Мс 1занимает широкую область 0 85 1 45 мкм и сдвинут на 2 5 нм в коротковолновую область относительно 1.аМА 10:ХбСпектр поглощения нового материала состоит из большого количества линий, что обеспечивает эффективное поглощение излучения ламп накачки. Квантовый выход люминисценции = 1, время жизни верхнего4лазерного уровня Р - 100 мк сек,Монокристалл 1.аВеА 10:Мд" выращен методом Чохральского из раствор-расплава. Активная среда твердотельного лазера, состоящая из матрицы на основе монокристалла алюмината лантана щелочноземельного элемента, активированного неодимом, отличающаяся тем, что, с целью расшиШихту состава, мол.,4: Вео 18,18; 1.а,0,...

Номер патента: 1679929

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Антипенко, Киселева, Никитичев, Письменный, Сухарева

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

Лазерное вещество на основе кристалла иттрий-алюминиевого граната, активированного ионами гольмия и сенсибилизированного ионами тулия и хрома, имеющее химическую формулу(Y1-x-yTmxHoy)3(Al1-zCrz)5O12,где 0,0025 y 0,02 и 0,01 z 0,06, отличающееся тем, что, с целью повышения КПД лазера в режиме импульсно-периодической генерации, концентрация ионов тулия взята в интервале 0,03

Номер патента: 1435118

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Алешкин, Барышников, Григоров, Коломиец, Мартынович, Назаров, Скобкин, Червяцов, Южалин

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерных, окраски, основе, центрами

Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла Al2O3 с центрами окраски, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, дополнительно облучают кристалл лазерным излучением с длиной волны 0,4 - 0,63 мкм и плотностью мощности 3 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1227078

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Григоров, Мартынович, Назаров, Токарев

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, лазерных, окраски, сред, центрах

Способ получения лазерных активных сред на центрах окраски на основе монокристаллов путем их облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона лазерных активных сред, облучают нейтронным излучением дозой от 3 1017 до 1,2 1019 нейтрон/см2 монокристалл окиси алюминия.

Номер патента: 1515981

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волкова, Иванов, Иншаков, Хулугуров, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерный, материал, пассивных, элементов

Лазерный материал для активных элементов и пассивных затворов на основе монокристаллического фтористого лития с примесными ионами гидроксила OH и рабочими F+2-центрами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь, он дополнительно содержит примесь натрия в количестве 0,5 - 3 мас.%.

Номер патента: 1463098

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Лобанов, Лурье, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центров, активной, лазера, окраски, создания, среде

Способ создания F-2-центров окраски в активной среде лазера на основе LiF, включающий обучение -квантами в интервале доз 5 105 - 106 Gy, отличающийся тем, что, с целью формирования осесимметричного профиля поглощения F-2-центров окраски в активной среде, перед облучением -квантами проводят облучение электронами в интервале доз 106 - 5 106 Gy...

Номер патента: 1412546

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Балашов, Бондарчук, Васильев, Герасюк, Ермикова, Мысовский, Парфианович, Рейтеров, Чепурной, Чуфистов, Шкадаревич, Шляк, Янчук

МПК: H01S 3/11, H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазера, пассивных, элементов

Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 368 5 К до установления неизменного значения коэффициента оптического поглощения во времени.

Номер патента: 990052

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Волкова, Исянова, Лобанов, Максимова, Парфианович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

Способ изготовления активного элемента твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента в непрерывном режиме за счет повышения оптической устойчивости центров окраски, монокристалл после облучения ионизирующим излучением дополнительно подвергают термической обработке в температурном интервале 230-300°С в течение 30-60 мин.

Номер патента: 807960

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерного

1. Способ получения лазерного материала на основе монокристаллов LiF, включающий создание в них центров путем облучения монокристаллов, отличающийся тем, что, с целью смещения спектров генераций каждого типа центров, при одновременном изменении отношений коэффициентов оптического поглощения в максимумах центров в интервале от 0,01 до 1,03, облучают монокристаллы -излучением с экспозиционными дозами от 3·106 до 1,68·108 рентген.2. Способ по п.1,...

Номер патента: 1261534

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Овчинников

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных -центров окраски в монокристалле фторида лития, включающий охлаждение и облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения величины поглощения неактивных центров окраски при одновременном упрощении создания -центров окраски, перед охлаждением монокристалл облучают при комнатной температуре в интервале доз 5·108 - 5,1·108 P, затем охлаждают его до температуры -20°С - 0°С, ограничивающей подвижность анионных вакансий, и облучают при этой...

Номер патента: 893102

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерных, монокристаллов, окраски, основе, приготовления, содержащих, фторидов, центры, щелочных

1. Способ приготовления лазерных материалов на основе монокристаллов щелочных фторидов, содержащих центры окраски, включающий выращивание монокристалла из расплава соли щелочного фторида и создание в монокристалле рабочих центров окраски путем его облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью устранения сопутствующих центров окраски, поглощающих и испускающих излучение в спектральной области лазерной генерации рабочих центров окраски перед выращиванием монокристалла, расплав соли выдерживают в контакте с графитом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что расплав соли выдерживают в течение 3-5 час в контакте с графитом.

Номер патента: 1264795

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Григоров, Исянова, Лобанов, Максимова, Парфианович, Проворов, Цирулникк, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, лазера, твердотельного, элемент

Активный элемент твердотельного лазера на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы активного элемента при одновременном повышении частоты следования импульсов генерации, монокристалл фторида лития дополнительно содержит Mg++ O---комплексы.

Номер патента: 812131

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Лобанов, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: активная, среда

Номер патента: 1245207

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, примесями, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями, включающий термическую обработку и последующее облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации -центров окраски и создания -центров окраски, монокристалл перед термической обработкой предварительно облучают ионизирующим излучением в интервале доз 5·107 - 108 P и проводят его термическую обработку в течение 30-60 мин в температурном интервале 220-250°С, затем монокристалл охлаждают...