Формула

Лазерное вещество на основе кристалла иттрий-алюминиевого граната, активированного ионами гольмия и сенсибилизированного ионами тулия и хрома, имеющее химическую формулу
(Y1-x-yTmxHoy)3(Al1-zCrz)5O12,
где 0,0025 y 0,02 и 0,01 z 0,06, отличающееся тем, что, с целью повышения КПД лазера в режиме импульсно-периодической генерации, концентрация ионов тулия взята в интервале 0,03 x 0,04.

Описание

Изобретение относится к квантовой электронике и, в частности, к твердотельным лазерам.
Цель изобретения повышение КПД лазера в режиме импульсно-периодической генерации.
Причиной уменьшения КПД генерации лазера на кристалле иттрий-алюминиевого граната с ионами Cr, Тm, Ho (Y1-x-yTmxHoy)3(Al1-zCrz) 5O12, где 0,0025 y 0,02; 0,01 z 0,06, при увеличении частоты следования импульсов является падающая температурная зависимость коэффициента усиления среды. Эта зависимость обусловлена процессом нелинейного тушения рабочего уровня, скорость которого возрастает с температурой и пропорциональна концентрации ионов Tm. С увеличением средней мощности накачки растет температурный перепад в активном элементе, который в кристаллах с концентрацией Tm x > 0,05 приводит к падению коэффициента усиления и КПД генерации.
Выбор концентрации Tm из интервала 0,03 x 0,04 позволяет при сохранении высокой эффективности преобразования поглощенной энергии в интерсию населенностей снизить скорость нелинейного тушения рабочего уровня и исключить его существенное влияние на температурную зависимость коэффициента усиления среды. В результате температурный перепад в активном элементе при работе в импульсно-периодическом режиме не приводит к падению КПД генерации.
В таблице приведены зависимости энергии генерации активных элементов размером 5 х 50 мм различных составов от частоты следования импульсов. Энергия накачки составляет 200 Дж.
Из данных таблицы видно, что у кристаллов, отвечающих предложенному составу, не обнаруживается падения энергии генерации с ростом частоты следования импульсов.
Изобретение относится к квантовой электронике и, в частности, к твердотельным лазерам. Цель изобретения - повышение КПД генерации. Вещество способно генерировать при комнатной температуре с высокой частотой повторения импульсов (10 Гц) и КПД 0,6%. Такой результат достигается выбором концентрации ионов Tm из интервала 0,03 x 0,04. 1 табл.

Рисунки

Заявка

4766936/25, 25.09.1989

Антипенко Б. М, Киселева Т. И, Никитичев А. А, Письменный В. А, Сухарева Л. К

МПК / Метки

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

Опубликовано: 20.10.1996

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1679929-lazernoe-veshhestvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Лазерное вещество</a>

Похожие патенты