H01C 7/06 — содержащие средства для снижения до минимума изменений величины сопротивления при изменении температуры

Номер патента: 323806

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гальперин, Солдатова

МПК: H01C 7/06

Метки: высокоомных, композиционных, резисторов

...до минимума количество проводящих компоцецтов, повысив тем самым предельную величину сопротивлеиия. Одновременно благодаря большому коэффициенту расширения композиции создается возчожность использования болеЕ цысокоомцых проводящих компонентов с соотиетствеицо большим отрицательным ТКС (цаиример, слабо црокалеццые сажи), что также 5 с посооствует повышешпо величины сопротивлеиия омозици,11 ебольшое количество мицеральцого иаполцителя может при иеобходимости вводиться для корректировки величииы ТКС.10 Для получешя мелкодисперсцого оргацического 1 аолцителя смолу предварительио из.мельчшот в шаровой мельнице и насыпают тонким слоем 1 - 2 л,я иа противень, который помещают в термостат и выдерживают в тре буемом режиме в зависимости от вида...

Номер патента: 333610

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Круглев, Крыжановский

МПК: H01C 7/06

Метки: пленочный, резистор

...на основе кермета, содержащего двуокись кремния и мелкодисперсный проводящий материал.Известный резистор имеет недостаточно низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) .Цель изобретения - уменьшение ТКС резистораа.Указанная цель достигается тем, что в качестве упомянутого токопроводящего материа ла используют молибден, Причем молибден вводят в количестве, равном 40 - 60 мол. %.Предлагаемые пленочные резисторы могут быть получены на поверхности диэлектриков путем обработки покрытия, состоящего из смеси двуокиси кремния и трехокиси молибдена, в, атмосфере водорода при 400 - 800 С, Исходное покрытие 80 - МоОз наносится на диэлектрик двумя способами: гидролизом смеси этилового эфира ортокремниевой кислоты Я(ОС 2 Н 5)4 и...

Номер патента: 347807

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Павлов, Рудовол

МПК: H01C 7/06

Метки: объемного, резистор, типа

...и отличается от известных тем, что в 10качестве токопроводя щей фазы использовансложный карбид металлов Ю и Ч групп периодической системы.Компоненты токопроводящей фазы взяты вследующих количественных соотношениях 15(вес. %):Металл 1 Ч группы 1 - 94Металл Ч группы 1 - 94Углерод общ. 4 - 25Углерод своб. 001 - 25 20Для расширения температурного интервалаработы резистора до 200 - 250 С, увеличениямощности рассеивания при уменьшении габаритов, повышения механической прочносги истабильности, а также для расширения диапазона номиналов в сторону низких значений всостав предлагаемого низкоомного объемногорезистора наряду со связующим материалом(например, алюмо-силикатно-борно-бариевогосостава стекло) входит сложный карбид типа ЗО пример 2Т 1...

Номер патента: 347808

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, пленочных, резисторов

...аявитель МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРО 2 редмет изоб ен Мате нове сп тем, что коэффи помина до 25 в а осщийся рного ренпя рения риал для пленочных р лава вольфрам-рений , с целью уменьшения циента сопротивления ов резисторов, сплав с. оо зисторовотличаю температ и расш содержит Изобретение относится к технологии изготовления радиоаппаратуры,Известный материал для пленочных резисторов на основе сплава вольфрам - рений характеризуется высоким температурным коэффициентом сопротивления и узким диапазономноминалов резисторов, изготовленных из этогоматериала,Цель изобретения - уменьшение температурногого коэффициента сопротивления и расширение номиналов резисторов.Для этого предлагаемый материал содержитрения до 25 вес. %.Материал на...

Номер патента: 347809

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Дубовик, Куценок, Павлов, Рудовол, Самсонов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: taeaacfoiflv, материалi, резистивньш, ч•

...росту удельно Изооретение относится к технологии изготовления радиодеталей и может быть использовано при производстве постоянных и переменных резисторов.Известный резистивный материал на основе тугоплавких соединений карбидов металлов 1 Ч, Ч и Ч 1 групп периодической системы, характеризуется высоким температурным коэффициентом сопротивления и узким диапазоном рабочих температур,Цель изобретения - снижение температурого коэффициента сопротивления и расширеие диапазона рабочих температур.Для этого в состав предлагаемого материала входят цитриды элементов 111 группы периодической системы (бора, алюминия), при этом исходные компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес. %):Бор (алюминий) 1,5 - 4,5 Азот43 - 2,0Углерод...

Номер патента: 347810

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: композиционных, материал, резисторов

...диапазоном номиналов, значительным разбросом параметров и температурной нестабильностью.Цель изобретения - расширение диапазона номиналов резисторов, снижение температурного коэффициента сопротивления и повышение рабочих температур резисторов,Для этого в качестве электропроводящей компоненты взята смесь мелкодисперсных карбидов вентильных металлов, например карбида тантала и карбида ниобия, а состав композиции взят в следующих количественных соотношениях (вес. %):Карбид тантала 65 - 94,5 Карбид ниобия 5 - 0,5Связующее 30 - 5 Электропроводящая компонента, составлен тая из смеси мелкодисперсных карбидов тан тала и ниобия, обладает высоким удельных 2электрическим сопротивлением (1 ом млт 2 лт), мало изменяющимся прн изменениях...

Номер патента: 347811

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Павлов, Рудовол, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...текпроводя щев следующвес. %: Изобретение относится к области резисторостроения.Известен резистивный материал с токопроводящей фазой на основе карбида кремния и керамическим связующим,Предлагаемое изобретение снижает температуру коэффициента сопротивления и повышает термостойкость резисторов.Описываемое изобретение отличается от известного тем, что резистивный материал выполняют с токопроводящей фазой на основе сложного карбида металлов 1 Ч и Ч 1 групп периодической системы, например циркония и молибдена, и связующим в виде алюмо-силикатно-боро-бариевого стекла.Содержание исходных компонентов т водящей фазы представлено в следую личественных соотношениях, вес, %:Цирконий 25 - 75Молибден 15 - 65 Углерод 8 - 15.Содержание компонентов...

Номер патента: 347812

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Власов, Павлов, Перевезенцев, Рудовол

МПК: H01C 7/06

Метки: объемного, резистор, типа

...низкую мощность расс яния, плохую термостойкость и высокий температурный коэффициент.Предлагаемый резистор не имеет этих недостатков и отличается от известных тем,;то в качестве токопроводящей фазы использован сложный карбид металлов у и у 1 гру;ш периодической системы, В качестве металла Х 1 группы взят вольфрам, в качестве металла у группы - ниобий или ванадий. Компоненты взяты в следующих количественных соотношениях (вес, %):Ниобий (вацадий) 10 - 95 Вольфрам 0,5 - 70Углерод общ. 4 - 20Углерод сноб. 0,1 - 2(например, алюмо-сил состава стекла) входит имущественно твердые Такая тугоплавкая 5 при пропускании тока температуры и при это рактеристик в течение эксплуатации. Для получения задан О водится следующий пр тивцого карбида (вес....

Номер патента: 349032

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Гин

МПК: H01C 7/06

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...Для пол чеццяпротивлеш сос может изменятьс леция увелцчцва 5 уменьшения соцрдержание 510 а. С ется в пределао ен материал д содержащий хр высокоомных резин моноокись кремстатком извест я й разброс вой и высокийопротивления.ю изобретения является улучшения восдимости сопротивлений и снижение коента сопротивления,редмет изобретен 1. Материал для высокоомных резист содержащий ром и моноокись кремния личающийся тем, что, с целью улучшения производимостц сопротивлений и получ 15 малого температурного коэффициента со тпвления, в него введен титан. 2. Материал по п. 1, отличающийся тем исходные компоненты введены в следую соотношения(в вес. %); ром 15 - 40, т 20 15 - 40, моцоокцсь кремния 20 - 60, ро от- восия Цель достигается материал...

Номер патента: 355670

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Боидаренко, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: высокостабильный, резистор

...полупроводниковый порошок изготовляот до изготовления пз него резисторов. Из такого порошка прессуют резистивное тело, которое для пош,ппения прочности спекают в среде водорода или нейтрального газа, а также в вакууме. Это ПОЗ ВО. 5 ЕТ ТЯ КЕЕ ЯКТИВИ РОБЯТ ПО:УП РОЗОД) И- ковые частички металлизировацно, о порошка, Из отовленное таким способом резистцвное тело обладает одновременно металлической и полупроводниковой проводимостью, Оно состоит из непрерывной сетки, образуемой металлической пленкой толщиной в несколько микрон, и дискретно расположенных частичек полупроводникового соединения, отделенцх 5 друг от друга пленками металла.Ток протекает по непрерывной металлической сеткс, образуемой пленками на частичках, и по полупроводниковым...

Номер патента: 355671

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Иванчик, Карелина, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: состав, токопроводящий

...имеют сравнительно высокий температурный коэффициент сопротивления.Цель изобретения - уменьшение температурного коэффициента сопротивления, повышение стабильности параметров и расширение диапазона номиналов резисторов, Достигается она использованием для токопроводящего состава полупроводниковых соединений 20типа АпВ, в частности сульфида цинка, легированного Ад и Сп, вводимых в шихту в виде солей АдИОз и СпС 11 с добавлением в качестве плавня МаС 1. Исходные компонентывзяты в следующих соотношениях (вес. %): 25Сульфид цинка 92 - 99,46Азотнокислое серебро 0,01 - 2Хлористая медь 0,01 - 2Хлористый натрий 0,5 - 4 тов тщательно петепловой обработнейтрального газа 1300 С в течение опроводящий мающим и из смеси тм способом элекзистора....

Номер патента: 357600

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Соколов, Юсов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...несвязанным азотом (2 - 3 вес. %), изменяющим в нужную сторону электросопротивление покрытия.Образование резистивной пленки с малым ТКС и с широким диапазоном номиналов возможно благодаря малому ТКС карбида тантала (от 10 - 4 до 10 - 6 град т) и высокому удельному сопротивлению, мало меняющемуся в диапазоне температур 20 - 1000 С. Содержание резистивным покрытием несвязанного растворенного в тантале азота также позволяет уменьшить ТКС и расширить диапазон номиналов резисторов. 58 - 94 3 - 40 2 - 3 Карбид танталаТанталНесвязанный азот Предм зобретен ся пример образования реиз предлагаемого материаском основании. 20 зистивной пленки на диэлекии из керамики, стекла, снматериалов осуществляется о напыления тантала (3 - е из смеси,...

Номер патента: 357601

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бондаренко, Иванчик, Карелина, Московский, Соколов, Юсов

МПК: H01C 17/00, H01C 7/06

Метки: композиции, металлизации, резистивной

...находящиеся в сухом порошкообразном виде составляющие электропроводящую композицию соединения, после чего размешивают состав и сушатпри температуре не выше 150 - 200 С в течение времени, необходимом для полного испарения растворителя металлополимера, Полученную композицию, каждая частица которойпокрыта слоем (пленкой) металлополимера,подвергают отжигу в нейтральной или слабовосстановительной среде при 400 - 800 С дляразложения полимера до свободного металла.Образующиеся при этом газы можно отсасывать или удалять прочной газовой средой.В качестве металлополимеров могут бытьиспользованы любые полимерные соединения0 (фенолформальдегидные смолы, полисилоксаны, метакрилаты и др.), содержащие такиеметаллы как никель, медь, серебро, кобальти...

Номер патента: 385326

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, металлопленочных, никеля, основе, резисторов, токопроводящий

...институт аявитель ОКОПРОВОДЯЩИИ МАТЕРИАЛ ДЛЯ МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯнении обладаетопротивлением в0 С порядка (30 -урным коэффици ым (1 - 3) 10 в пленочном испо и электрическим с е температур 20 - 30 аом сл и температ опротивления, равн нои химическои стабильностью отличается повыш ю, дуктильностъю,ия едмет изоо е Токопроводящий материал дл ночных резисторов на основе ни иийся тем, что, с целью уменьш турного коэффициента сопроти личения термостабильности рез го введен рений до 40 вес. %, кель. мпера- нвелип уведен е- итериал основе Описываемое изооретение относится к области электротехники, в частности касается изготовления токопроводящих материалов для металлопленочных резисторов на основе никеля.Известны...

Номер патента: 392556

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...в интервале темпеила 1,5 - 3,10 4 град2 - 0,3 л 1 кв,в. ы, ,изготовлен (вольфрам - дя ТКС величи ратур 18 - 250 С - а э. д. с. ые из вуокись на кото, соста- шумов ЗО 1Изобретение относится и ооластн резисторостроения, в частности к технологии получения резистивных материалов для изготовления объемных резистивных.Известен резистивный материал на основе полупроводниковых проводящих веществ, характеризующийся относительно высоким ТКС (например, для резисторов типа ТВО ТКС составляет величину порядка 8 - 10 10 град - ) и невозможностью на одном виде материала получать резисторы широкого диапазона номиналов.Целью изобретения является возможность изготовления резисторов в широком диапазоне номиналов и уменьшение температурного коэффициента...

Номер патента: 369635

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Безруков, Бутузов, Вител, Ворожейкин, Лаптев, Никитин, Самойлович, Фотченков

МПК: H01C 7/06, H01L 27/00

Метки: 369635

...токопленка 3 (толщиной от десятыхскольких десятков микрон),образом, предлагаемый резисторрезистором объемно-поверхностзначение сопротивления коопределяется выражением дляьно соединенных сопротивленийЛ Ла ЮпаФЙа + Йпа тал- про- дояв- ого де Яа - омическое Япл - омическое опротивление алмаза; опротивление пленки При повышпротивления+Ыпл ( Лтивления полратурой имеюки. Следоватводниковоготивление иизменения тоНа макетнленных из сиполучены элепературный2 - 3% в имаксимальна ый объе монокрищую пленслужит за, леги талла сн ми 2, Д няться р б аз 3 На чертеже показан предлагаемиый резистор.Резистор содержит тугоплавкийсталл 1, электроды 2 и токопроводку 3.Основным элементом резисторанокристалл 1 синтетического алмаванный бором. Рабочие...

Номер патента: 372582

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Удк

МПК: H01B 1/10, H01C 7/06

Метки: композиция, электропроводящая

...изгооснове бо- диэлектрия тем, что, коэффицидиапазона введен акследующем омпонентов 0 - 25 5 - 30. ее Изобретение относится к производству резисторов,Известны электропроводящие композициидля изготовления объемных резисторов на основе борида металла переходной группы и диэлектрического связующего,Цель изобретения - снижение температурного коэффициента сопротивления и расширение диапазона номиналов резисторов.Предлагаемая композиция отличается тем,что в ее состав введен активированный сульфид цинка при следующем количественном соотношении компонентов (вес.% );Активированный сульфид цинка 59 - 71Борид металла переходнойгруппы 10 - 25Диэлектрическое связующее 5 - 30Температурный коэффициент сопротивлениярезисторов на основе указанной...

Номер патента: 416767

Опубликовано: 25.02.1974

МПК: H01B 1/10, H01C 7/06

Метки: 416767

...диапазоном (20- - 200"С) п недостаточно низким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).Цель изобретения - расширение рабочего диапазона температур и снижение ТКС резисторов.Поставленная цель достигается тем, что в качестве тугоплавкого соединения использован карбид переходного металла при следующем соотношении исходных компонентов, вес. %:Легированный сульфид цинка 59 - 71 Карбид переходного металла 10 - 25 Диэлектрическое связующее 5 - 30 Предлагаемый материал не образовывает дополнительных химических соединений, влияющих на исходные свойства входящих в его состав компонентов и тем самым,на параметры резисторов. Это позволяет сравнительно просто управлять электрофизическими характеристиками материала, а...

Номер патента: 434487

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Гельд, Зайнулин, Изобретени, Мовский, Швейкин

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, токопроводящий

...сопротивления, что затрудняет использование резисторов на его основе в широких температурных диапазонах. П р и м е р. Берут 63,0 вес. % карбида ти тана Т 1 С, 18,8 вес. % моноокиси титана Т 10и остальное, до 100%, - металлический титан. Смесь тщательно перемешивают, брикетируют и спекают в вакууме при 1500 С в течение 10 час с промежуточной перебрикети ровкой через 5 час отжига. Получают оксикарбид титана состава Т 1 Со,ыОО,;. Из него приготовляют штабик размером 5 КЗК 15. Затем на лабораторной установке измеряют температурную зависимость удельного электро сопротивления образца по точкам через каждые 40 - 50. Воспроизводимость результатов при нагреве и охлаждении образца удовлетворительнаяВ таблиц30 составов пр. ээ юф хэ (.ф Состав...

Номер патента: 493806

Опубликовано: 30.11.1975

Авторы: Болтовец, Войцеховский, Ендржевская, Ищук, Петрусенко, Серый, Тычина

МПК: H01C 7/06

Метки: датчика, материал, температуры, чувствительного, элемента

...и узкий температурный диапазон. 10Цель изобретения - разработка материала,позволяющего повысить чувствительность ирасширить рабочий температурный диапазондатчика температуры,Это достигается тем, что предлагаемый материал для чувствительного элемента датчикатемпературы состоит из Сд, Сте, Рг при следующем соотношении компонентов, вес. %:Сй 45 - 45,56 е 27,8 - 31,9 20Р 2 23,5 - 26,3Этот материал представляет собой полупроводниковое стеклообразное вещество СЙСтеР 2.Вещество такого состава синтезируется в вакуумированных до 10 -мм рт, ст. ампулах методом двухтемпературного синтеза из исходных веществ чистоты класса ОСЧ.Далее производится стеклование полученного вещества путем погружения тонкостенной кварцевой ампулы в закалочную среду...

Номер патента: 518806

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Бондаренко, Гараймович, Соколов

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ким связующим может быть стекло марки 3 С -5 следующего состава, вес, %;Ь О, ВО, А 1 О - 3,Исехо -4 К,о - 5.Изготовление резисторов из этого материала может осуществляться следующимобразом,Отмеренные количества мелкодисперсных компонентов гомогенизируются путемперемешивания в жидкой фазе (напримерацетоне, спирте и т.д,), после чего смесьсушится. Далее в смесь в соотношении1:1 добавляется 2-3%-й раствор парафина в бензине, производится повторное перемешивание смеси и сушка до исчезновения запаха бензина, Из полученной смеси далее путем холодного прессования.изготовляют резистивные элементы тойили иной формы,Полученные указанным способом резистивные заготовки затем проходят операциювыжигания...

Номер патента: 647750

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Карымов, Кочуков, Минеев

МПК: H01C 7/06

Метки: резистивный, сплав

...суцат в термошкафу при 100 - 11 ОС в течение 5 ч и подвергают протирке через сито 40 мкм для разрушения конгломератов. Готовую смесь прессуют под давлением 1 - 1,5 т/см в брикеты д = 20 мм, 1 т = =15 - 20 мм и подвергают высокотемпературной вакуумной термообработке в вакуумной пецц типа СМВЛ при вакууме 3 - 7 10мм. рт. ст и 1300 С н течение 4 ч. После этого продукты нзацмодейстния измельчают в яммовом барабане ем.647750 Фир,тьулй оибрегенпг 40,9 1.0,0г 0 44,Составитель И. .ил оно на редакгор Л, аагона 1 ехред О.,угони Корректор Д. Ме.гьницеггко Закат З 25 М 5 Гараж 922 1 и,гин ное ИН 1111 осударстнанного комитета СССИ но гв лам наОоьатеннй н открьо ииЗИЗ 5, гхьггсква, )К-З 5, Раугсная иаб., д. 415 Филиал 1111 Патент, г Ужггрод, ул. 11...

Номер патента: 790027

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Алямовский, Дьячкова, Зайнулин

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

....д = 760 мм рт.сзпри 1500 оС в теченИе 10-15 ч с,перебрикетировкой через 5 ч спекания.Из полученного оксикарбида ванадияизготовляют штабик размером 5 х 3 хх 15 (мм) наносят на образец электроконтакты, а затем измеряют температу 1ную зависимость удельного электросопротивления и рассчитывают ТКС,Метод приготовления резистивногоматериала предлагаемого состава сразличным содержанием компонентов иих основные характеристики приведеныв примерах,П р и м е р 1. Для приготовлени.оксикарбида ванадия смешивают и брикетируют 72,4 вес.Ъ карбида ванадия,13,15 вес.Ъ полутораокиси Ч 0314,45 вес.Ъ металлического порошкового ванадия. Брикет спекают в атмосфере инертного газа (Рн760 мм. рт. ст.) при 1500 ОС в течение 15 ч с перебрикетировкой через5 ч...

Номер патента: 809411

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Беляков, Головин, Смирнов, Юсипов

МПК: H01C 7/06

Метки: резистор, тонкопленочный

...фиа,1 Эта цель достигается тем, что в тонкопленочном резисторе, содержащем диэлектрическую подложку с размещенными на ее поверхности пленочным резистивным элементом с расширенными концами и пленочными выводами, кромка вывода, граничащая с расширенным концом выполнена в виде дуги эллипса большая ось которого перпендикулярна оси резистивного элемента. Кроме того, расширенный конец резистивного элемента в зоне контакта с выводом имеет утолщение.На фиг. 1 изображен пленочный резистор, общий вид; на фиг. 2 - вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А.Тонкопленочный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, нанесенный на ее поверхность пленочный .резистивный элемент 2, пленочные выводы 3 с расширенными концами 4 резистивного элемента, кромка...

Номер патента: 834781

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Колдашов, Красов, Крылова, Поташникова, Пуронене, Турчина

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...материал, содержа щнй окись свинца, двуокись кремния и двуокись рутения, дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонентов, масс.ЪОкись свинца . 7 -80 Двуокись кремния 10-25 Двуокись рутения 3-10 Окись меди 0,5-10Введение в состав резистивного материала окиси меди позволяет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 5 кОм до 1 МОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влажности (98) не более .+1 и ТКС - не более 100 10 1/ С.. Формула изобретения 40 Составитель Н.КондратовТехредЖ.Кастелевич Корректор В.Синицкая 1 Редактор Н.Кешеля Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и...

Номер патента: 1061179

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Скобленко, Смеркло, Тулуевский

МПК: H01C 7/06

Метки: величины, коэффициента, пленки, резистивной, сопротивления, температурного

...65 пленки с последующим расчетом величины ТКС, величину термического напряжения нагретой резистивной пленки определяют с помощью голографической интерферограммы, после чего компенсируют термические напряжения.механическим путем и производят измерение сопротивления при заданнойтемпературе с последующим расчетом ТКС,На Фиг. 1 представлен образец в исходном состоянии при температуре Т и сопротивлении Р (интерферограмма при этом не возникает), на фиг, 2 - образец в нагретом состоянии при температуре Т (объект деформирован под воздействиемТ, свободный конец консоли совмещается на расстояние Ь г, возникает интерФерограмма), на Фиг, 3 - образец при температуре Тд, при которой производится процесс компенсации механических напряжений и...

Номер патента: 1636466

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Башев, Доценко, Мирошниченко

МПК: C22C 21/00, H01C 7/06

Метки: аморфный, резисторов, сплав, тонкопленочных

...пленки даже при различном содержании на поверхности мишени кобальта присутствует в основном кристаллическая(СоА 1) Фаза, имевшая по сравнению с аморфным 25 состоянием положительный ТКС порядка 10 ф К . При изолировании. квадратов выступающими над поверхностью распы" ленйя барьерными металлическими ячейками в указанных по высоте пределах ЯЬ) блокируется обогащение в горизонтальном направлении поверхности алюминия атомами кобальта и вольфрама.При.ионно-плазменном распылении сплавов с барьерная ячейками вслед 35 ствие нахождения ячеек под потенциалом анода не происходитраспыление положительными ионами аргона материала самих ячеек. Процесс ионно-плазменного распыления в данном случае заключается в независимом распылении атомов...

Номер патента: 1654361

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Башев, Доценко, Лозяной, Мирошниченко, Прудкий, Рябцев

МПК: C22C 27/02, H01C 7/06

Метки: аморфный, резисторов, сплав, тонкопленочных

...ный коэффициент сопротивл 45-85 раз до (7-9 г 10 ь К Ф-лы, 1 табл. получения включает иоцраспыление наборных мицих из отдельных стати номерно размещенных по и рас ыления квадратовсвинца и термообрабаткУ цопленок ггри температуре 673+ течение 30+5 мин.-плазменное напылецис осуют ца установке УРГ 1 3.279.014ующих режимах напьгггеция; нана мишени 2 кВ, вводный токразряда 20 мА время цапгвгеКонтроль за степецгю уси аморфной фазь 1 и составомсуществляют соответственно1654361 на дифрактометре ДРЬН,0 и с помощью 4-эондового метода измерений поверхностного сопротивления в процессе непрерывного нагрева в вакууме (1 ОПа). В таблице приведены составы сплавов, режимы их термообработки и свойства.По сравнению с известными предлагаемый сплав для ТПР и...

Номер патента: 1598726

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Аванесян, Лазарев, Осипов, Савчук, Стусь

МПК: H01C 17/00, H01C 7/06

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий последовательное нанесение резистивных и проводниковых слоев на диэлектрическую подложку методом термического испарения в вакууме, формирование проводниковых и резистивных элементов методом фотолитографии, многократную термообработку в диапазоне температур 250 550°С, включающую нагрев, охлаждение, измерение сопротивления резисторов и расчет значений ТКС, изотермическую выдержку, подгонку величины сопротивления, причем термообработку прекращают по достижении заданных значений ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления за счет временной стабильности резисторов, подгонку величины сопротивления осуществляют в два этапа,...