Высокостабильный резистор

Номер патента: 499051

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Белозерский, Калганов, Кричевская, Родионов

МПК: B22F 9/00

Метки: карбонильных, металлических, порошков, соединений

...или другими нагревателями 3. На выходе из аппарата-разложителя 1 установлены сборник 4 крупного порошка и сепаратор, Сборник 4 соединен с мешочным фильтром 5 для удаления избытка реакционного газа, который в свою очередь связан трубопроводом со вторым аппаратомразложителем 6, имеющим реакционное пространство постоянного сечения. На трубопроводе размещен подогреватель 7 циркулирующего газа.Подвод жидкого карбонила никеля в аппарат-разложитель 6 производится через распыляющую форсунку 8, установленную в его верхней части. Стенки аппарата-разложителя 6 снабжены нагревателями 9. На выходе из указанного аппарата-разложителя смонтирована газодувка 1 О для создания принудительной циркуляции газа, которая связана со вторым сборником 11,...

Номер патента: 628180

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Белозерский, Бушуев, Головин, Иванов, Ивлев, Кричевская, Сегаль

МПК: C22B 4/08

Метки: аппарат, металлических, металлоорганических, порошков, производства, соединений

...цилиндро-коническую форму. Приэтом высота цилиндрической части отверстиясоставляет 1 - 1,6 диаметра (4) этой части, а диаметры цилиндрической части отверстия, выходного среза (дз) форсунки ивнутреннего диаметра (дэ) камеры выбра.ны в соотношении (О 4 - 2): (8 - 12)(250 - 500),В нижней части камеры расположенысборник 8 порошка.и рукавный фильтр 9. 15В конкретном варианте выполнения предлагаемого аппарата высота реакционной камеры составляет 8000 мм, ее внутреннийдиаметр 1000 мм, диаметр цилиндрическойчасти соплового отверстия 4 мм, высотаэтой части 6 мм, а диаметр выходного срезафорсунки равен 23 мм.Аппарат работает следующим образом.Исходное жидкое соединение или жидкая смесь (раствор) .термически неустойчивых металлоорганических...

Номер патента: 309416

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бубнов, Лурье, Токарев

МПК: H01L 21/00

Метки: вакуул1ного, нанесения, пленок, полупроводниковых, соединений

...изобретения состоит в разработке устройства для нанесения в вакууме пленок полупроводниковых соединений, которое позволило бы получить пленки стехиометрического состава и структуры.Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем замкнутую камеру, подложку и нагреватель, выбираются такие соотношения геометрических размеров камеры и температурных режимов, которые обеспечивают осаждение пленок из газодинамического потока в условиях малого пересыщения пара и интенсивного реиспаренич ма ас подложки и стенок камеры.Согласно теоретическому расчету и экспериментальной проверке, для полупроводниковых5 соединений групп АпВ" и Ап Б отношениедлины камеры к ее диаметру составляет 0,5 -1,5 при градиенте температуры вдоль...

Номер патента: 1469444

Опубликовано: 30.03.1989

Автор: Гутлянский

МПК: G01N 29/04

Метки: диэлектрическую, металлических, нанесенных, пленок, подложку, ультразвукового

...перпендикулярно контролируемой пленке фиксируют поперечные колебания подложки, При наложении магнитного поля параллельно контролируемой пленке Фиксируют продольные колебания подложки. При наложении поля под острым углом к пленке Фиксируют продольные или поперечные колебания.Для определения площади р отслоенного участка, в случае если его площадь меньше площади Ы пятна магнитно го поля, измеряют амплитуды Аз и А колебаний для неотслоенного и отслоенного участков соответственно и определяют по Формулеа рА55А 1Устройство, реализующее способ контроля, работает следующим образом. Акустические колебания в подложке 17 возбуждаются силами Лоренца, которые возникают при прохождении переменного электрического тока, генерируемого генератором...

Номер патента: 1557118

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Опарин, Редчиц

МПК: C03C 27/02

Метки: металлом, соединения, стекла, форма

...ввод собирают в формах, которые затем вводят в зону действия светового луча, для получения соеди некий. Световой луч получают стра" жением излучения дуговой,ксеноновой лампы металлическим эллипсоидньм отражателем.30.ВП р и м е р. 1. Верхнюю частьформы с крышкой изготавливают изматериала ХН 70 Ю, имеющего рабочуютемпературу 1 200 С. Нижнюю часть иэ.оготавливают из материала Д 16,== 0,45 кал/см сС (коэффициенттеплопроводности). Режим работы лампы: 1 = 40 А, время облучения 5 с,что обеспечивает получение качественных спаев. Масса верхней части 16 г,нижней части 35 г. Площадь контактирования верхней и нижней частей составляет 3 мм . Диаметр плоскости пойглощения Р = 12 мм (А = 6 мм, О =48 ), Максимальная температура нагре 45йва верхней...