Резистивный материал

Номер патента: 504251

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Буданова, Мудролюбов, Руд, Самсонов, Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов, токопроводящей, фазы

...при 20 С,а Ятп ом см 31,2,+1,1 +",5 1,0 0,9 13,7 26,1 43,0504251 Формула изобретения БарийСамарийБор 26,1.40,0 29,0-430 30,9-31,0 Составитель Ц. НестеренкоРедактор Н. Данилович Техред А. Демьянова о Корректор А, ЛакидаЗаказ 1663 Тираж 977 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССУФ по делам изобретений и открытиЯ 113035, Москва, Ж 35, Рауьиская набд.4/5 филиал ппп патент", г. ужгород. ул. Гагарина, 10 3Двойной борид получается по следующей техноло.гик. Из предварительно прокаленных Бтп Оь (750"С,2 часа), В (170 оС, 3 часа) и Ва Со 3, взятых в нужноМ соотношении, составляют шихту для совместно.го получения двойного борида (Ва,5 ит) В 6 в интервале составов (Вас Ямо ) Иа 1 Вао,4 и" о,в)При этом ВаСо...

Номер патента: 1014045

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Кузнецов, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...для низкоомных тонкопле.ночных резисторов, содержащий ниобий и легирующие добавки, в качестве легирующих добавок содержит ванадий, молибден, хром и углерод при следующем количественном соотношении ком понентов, вес.%: 0,55,00,010,3 МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 5,25 10,0 0,1 б,б 2. Ванадий МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 3. Ванадий 11,0 Молибден 15,0Углерод 0,2 Хром 13,0 0,5-11,0 ВанадийМолибден Углерод Хром Ниобий 5.0-15,0О, 01-0,2. 40 0,3-13,0 Остальное Приведены конкре ные примеры 45 приготовления реэистивного материала предложенного сплава с различным содержанием исходных компонентов и их характеристики.Методом вакуумной дуговой плавки получали мишени из предложенного Численные значения параметров материала Рабочий...

Номер патента: 942174

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Акулова, Корнатовский, Негляд, Руд, Смолин, Тельников, Федоров

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...широкую область твердыхрастворов, что дает возможность полу- вчить однофазный материал, используемый в качестве токопроводящей фазырезисторов., ТКС толстопленочных резисторов из этого материала ниже,чем ТКС резисторов на основе инди" у 5видуаль ных Ва В и а В.Для изменения номйналов сопротивления толстопленочных резисторов вопределенных пределах обычно изменяют состав реэистивного материала(изменяют соотношение токопроводящей фазы и стекла). При этом неизбежно изменяется и ТКС, зависящийот состава материала и ТКС токопроводящей фазы.При изготовлении резисторов изпредлагаемого материала с различнымсоотношением токопроводящей Фазы истекла имеется возможность сохранятьнизкий ТКС за счет использования в 4 4качестве токопроводящей...

Номер патента: 385326

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, металлопленочных, никеля, основе, резисторов, токопроводящий

...институт аявитель ОКОПРОВОДЯЩИИ МАТЕРИАЛ ДЛЯ МЕТАЛЛОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ НИКЕЛЯнении обладаетопротивлением в0 С порядка (30 -урным коэффици ым (1 - 3) 10 в пленочном испо и электрическим с е температур 20 - 30 аом сл и температ опротивления, равн нои химическои стабильностью отличается повыш ю, дуктильностъю,ия едмет изоо е Токопроводящий материал дл ночных резисторов на основе ни иийся тем, что, с целью уменьш турного коэффициента сопроти личения термостабильности рез го введен рений до 40 вес. %, кель. мпера- нвелип уведен е- итериал основе Описываемое изооретение относится к области электротехники, в частности касается изготовления токопроводящих материалов для металлопленочных резисторов на основе никеля.Известны...

Номер патента: 546021

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Бочкарев, Бочкарева, Войнова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов, тонкопленочных

...из него рсзнстпвные пленки допускают значи тельно большую удельную мощность рассеяния при меньшем необратимом изменении величины сопротивления. Примеры получения материала для изготовления тонкопленочных резисторов. П р и м ер 1 (для минимума) 20,Смесь, порошков (в объемных %):25 Эта смесь после испарения может датьпленку с поверхностным сопротивлением 40 комкв прн толщине 800 А. ТКС меньше 200 х 10 - " С. Стабильность величины сопротивления после 1000 и преоывания под нагрузкой 1 вт/см не больше 0,5%.546021 Металлосилицидный сплав 50 Мулл ит 50 Формула изобретения 10 Металлосилицидный сплав 80 Мулл ит 20 15 Составитель П. Лягни Техред В. Рыбакова Редактор Н. Петрова Корректор В, Гутман Заказ 83/143 Изд.421 Тираж 1019...