Материал для высокоомных резисторов

Номер патента: 133866

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Морозов, Стефанюк, Топтыгин

МПК: C01F 7/56, C01G 23/02, C01G 25/04, C01G 33/00, C01G 49/10

Метки: ниобий, продуктов, разделения, сырья, хлорирования, цирконий-титан-содержащего

...хлористого натрия или калия с хлоридами не влияет на транспортабельность шихты, Это обеспечивает возможность оформления солевото сепаратора в виде шахтной печи с устройством для непрерывной загрузки и Выгрузки орикетов. Меняя темперятурный режим солеВОГО сепаратора, можно полуиь соотВетствующие технологические продукты.Таким образом,сели прсгпускать хлориды, получаОи ЯО 4 при хлорировании ниобий-цирконий-литан-содержаПего сырья через слой брикетов, приготовленных на основе хлористого натрия или хлорСтого калия и углеродистого материала (кокс, древесный уголь), то, используя разлиие В летучести 1 текпературах разложения соединений: МагеС 14,13386 бХаА 1 С 4, ХаХЬС 1, ХаТаС МагХгС 1 в (или соответствующих соединений с хлористым калием),...

Номер патента: 438050

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Блудов, Богаткова, Слягин

МПК: H01C 7/02

Метки: высокоомных, материал, резисторов

...материала введен алюминий.Полученные термической возгонкой в вакууме проводящие покрытия подвергаются термической обработке на воздухе, при этом происходит частичное окисление металлических компонентов материала покрытия.Поскольку удельный вес окисла алюминия больше удельного объема металла, то при окислении алюминия происходит уплотнение покрытия, препятствующее проникновению кислорода и дальнейшему окислению.Спекание проводящего покрытия, содержащего алюминий, при высокой те.птературе происходит без глубокого окисления других металлов, например хрома.Одновременно с улучшением термостойкости у покрытий, содержащих алюминий, происходит смещение ТКС в область положительных значений с увеличением содержанияалюминия в материале.Проводящие...

Номер патента: 1817741

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Булгина, Новомейский, Рыжов, Трошкин

МПК: B23K 35/30, B23K 9/04

Метки: автоматической, изнашиваемых, наплавки, наплавленного, поверхностей, состав

...охрупчивание и потеря долговечности,Введение кремния до 0,5 не имеет существенного. влияния на свойства заявленного состава наплавляемого материала, а концентрация свыше 2,0 снижает вязкость твердого раствора, способствует графитизации, что снижает свойства материала, особенно относительный износ,Содержание марганца менее 0,03 не имеет влияния на структуру и свойства мате 20 25 30 35 40 45 50 55 5 10 15 риала, а превышение выше 1,5 способствует охрупчиванию и снижает износостойкость.При содержании хрома менее 14 в структуре сплава ведущей фазой становится легированный цементит, что сильно снижает прочность и пластичность, Содержание хрома выше 25 способствует образованию матрицы, состоящей из феррита, карбидов типа М 23 Сб, что также...

Номер патента: 1836478

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Марк, Эндрью

МПК: C22C 29/00, F41H 1/02, F41H 5/02

Метки: бронированный, композиционный, материал

...из металлического связующего и керамический наполнитель, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения механических свойств,он в качестве металлического связующего1836478 35 36Таблица 11 - плавленный глинозем, марка "38 Алундум", фирма "Нортон", г.Уорчестер, шт. Миннесота, США 2 - прокаленый глинозем, марка "СРО", фирма "Элкэн кемикалз", г. Монреаль, Канада 3 - чешуйчатый глинозем, марка "Т - 64", фирма "Алкоа", г. Питтсбург, шт. Пенсильвания, США4 - чешуйки альфа-глинозема зернистостью Р, фирма "Дюпон де Немур", г. Уилмингтон, шт, Делавер, США 5 - усы из карбида кремния, фирма "Никкэй текно-ризерч", Япония 6 - микрочастицы крабида кремния Ь 100, марка "39 кристолон", фирма "Нортон", Г.Уорчестер, шт, Миннесота, США7 -...

Номер патента: 438364

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Павличенко

МПК: H01L 33/00

Метки: диодный, источник, карбтде, кремния, света

...раза выше по сравнению с новыми приборами.Значительный эффект наблюдается у карбидокремниевых светодиодов на эпитаксиальных пленках по величине прямого падения напряжения. При комнатной температуре и при токе в 10 ма оно составляет минимально возможную для карбида кремния величину 2,25 - 2,5 в (весьма близкую к контактной разности потенциалов), причем у основной части приборов (85%) оно равно 2,25 - 2,35 в, Таким образом, у преобладающего большинства приборов разброс значений прямого падения напряжения не превышает 5 О/о (в отношении к его минимальному значению), что по крайней мере в 10 - 15 раз ниже по сравнению с приборами на кристаллах ПМХЗ и ОХМЗ. Значения прямого падения напряжения при этом очень незначительно уменьшаются (до 2,2 -...