Номер патента: 392556

Автор: Авторы

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистицеских РеспубликЗависимое от авт. свидетельства1,Кл. Н 01 с 7,0 17.Ъ 1.1971 ( 1670932/24-7 Заявле с присоединением заявкиГосударственный комите Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий1 риор 1 Опубли тет -ковано 27.711.1973. Бюллетень3 21,396.69:621,316.825 (088.8) Дата опубликования описания 11.Х 1.197 Авторы зобретепия околов, Ю, П. Юсов и О. М. Иванчи Э. А. Бондаренко, Б. П осковский авиационный технологический институ Заявител РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИ являясь центрами кристаллизации сернистого цинка, заращиваются по всей поверхности кристаллической пленкой сернистого цинка.Другим примером использования нзоорете пия является изготовление резистивного материала па основе порошка вольфрама и двуокиси олова.На подогретый до 600 в 6 С противень насыпается порошок вольфрама и выдерживает ся до достижения им указанной температуры.Далее на перемешиваемый порошок вольфрама с помощью пульверизатора напыляется спиртовой раствор ЯпС 4 В результате гидро- лиза, протекающего по схеме: я ЯпОъ явля 1 кой. Послепорошка ва также сушля изготовлена поверхности частиц осаждает ющаяся полупроводниковой пле дующая промывка полученного дистиллированной воде и спирте ка позвол 51 ет использовать сго пня резисторов,Объемные резпстоисанного материалачона), характеризуютого в интервале темпеила 1,5 - 3,10 4 град2 - 0,3 л 1 кв,в. ы, ,изготовлен (вольфрам - дя ТКС величи ратур 18 - 250 С - а э. д. с. ые из вуокись на кото, соста- шумов ЗО 1Изобретение относится и ооластн резисторостроения, в частности к технологии получения резистивных материалов для изготовления объемных резистивных.Известен резистивный материал на основе полупроводниковых проводящих веществ, характеризующийся относительно высоким ТКС (например, для резисторов типа ТВО ТКС составляет величину порядка 8 - 10 10 град - ) и невозможностью на одном виде материала получать резисторы широкого диапазона номиналов.Целью изобретения является возможность изготовления резисторов в широком диапазоне номиналов и уменьшение температурного коэффициента сопротивления.Достигается это тем, что резистивный материал имеет зернистую структуру, зерна которой выполнены в виде кристалла проводящего вещества, заключенного в кристаллическую пленку полупроводникового вещества,Прн получении сернистого цинка, содержащего внутри кристаллов частицы металла или сплава, металлический порошок в мелиодисперсной форме (размер частиц меньше 1 - 2 лк) вводится в водяной раствор серно- кислого цинка в виде взвеси. Затем к этому раствору добавляется высаживающий раствор сернистого натрия или сернистого водорода.При этом частички металла или сплава,пС 14+ 2 НеО -Яп 02 + 4 НС392556 Составитель А. АртюшинТехред Л. Богданова Корректор Н. Аук Редактор В. Торопова Заказ5488 Изд.1784 Тираж 780 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытийЗагорская типография. 3Предмет изобретенияРезистивный материал, например, для изготовления объемных резисторов на основе полупроводниковых проводящих веществ, отличаюциия тем, что, с целью обеспечения возможности изготовления резисторов в шпроком диапазоне номиналов и уменьшения температурного коэффициента сопротивления, он имеет зернистую структуру, зерна которой выполнены в виде кристалла проводящего ве щества, заключенного в кристаллическуюпленку полупроводникового вещества.

Смотреть

Заявка

1670932

Э. А. Бондаренко, Б. П. Соколов, Ю. П. Юсов, О. М. Иванчик Московский авиационный технологический институт

Авторы изобретени

МПК / Метки

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-392556-rezistivnyjj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный материал</a>

Похожие патенты