G01L 9/04 — резисторных тензометров

Номер патента: 1525504

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Васильев, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...через шток 7 к воспринимающей мембране 2. Благодаря наличию теплоиэоляционной прокладки 10 снижаются темпе- ,10 ратурные деформации разделительной мембраны 8 и, как следствие, уменьшается температурная погрешность, вызванная температурными деформациями мембраны.45 Поскольку внутренняя полость 12 между воспринимающей 2 и разделительной 8 мембранами вакуумирована, в конструкции датчика практически исключена теплопередача от разделительной мембраны 8 к воспринимающей мембране эа счет." теплопроводности газа и теп-, лопередачи путем конвекции. Кроме того, вакуумирование полости 12 поэзо" ляет исключить воэможность влияния теплового расширения газа, Все это также снижает температурную погрешность,Для уменьшения теплопередачи путем...

Номер патента: 1525505

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Белоглазов, Евдокимов, Котляревская, Стучебников, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: высокого, давления, тензопреобразователь

...и зависимость, оп ределяемая представленным соотношением.В тенэопреобразователе высокогодавления (фиг,1) мембрана 1, выполненная заодно с корпусом тензопреобраэователя образует колпачковую мембрану с утолщенным основанием 2 и утоненной центральной частью с радиусом К итолщиной Ь. Кремниевые тенэореэисторы расположены на утолщенном основа.нии 2 мембраны на расстоянии г отцентров тензореэисторов до центра мембраны,При этом два тензореэистора 3 ори- З 5 ентированы перпендикулярно радиусу мембраны, а два других тензореэистора 4 - вдоль радиуса, Тензореэисторы соединены в мостовую тензосхему,Под действием давления Р мембрана 40 изгибается, деформируя тензореэисторы, Под действием деформации тенэореэисторы изменяют свое сопротивление и на...

Номер патента: 1525506

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Куроедов, Марин, Скопич, Чугунов

МПК: G01L 9/04

Метки: абсолютного, давления, датчик

...может измерять давлениекак в диапазоне от 0 до Р , так иот фиксированного значения Рц доР , При этом уменьшаются габаритыприбора вследствие того, что вся измерительная часть расположена внутривоспринимающего элемента - сильфоиа,Датчик абсолютного давления работает следующим образом,При отсутствии в приемной полости штупера 2 измерлемого давления(фиг.За) сильфон 3 под действием атмосферного давления стремится сжатьсл, Однако перемещения подвижноготорца сильфона не происходит, так какон жестко связан через шток 9 с упругим элементом 7, жесткий пентркоторого опирается на поверхность гермоплаты 6, в результате чего упругийэлемент 7 находится в ненагруженномсостоянии, что и обеспечивает егозащиту от перегрузки,При подаче в приемную полость...

Номер патента: 1527525

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Буланов, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: блок, давления, датчика, мембранный

...).Диапазон измеренияопределяется толщиной Ь перемычкиконцентратора. Тензочувствительныеэлементы 5 для увеличения их чувствительности расположены у кромки 11концентратора. Концентраторы деформации образованы путем травления выемок 6 поп зоной расположения тензочувствительньгх элементов 5. В зонежес.ткого центра 9 деформации мембраны отсутствуют. Для заделки упругого элемента 1 в корпус датчика 6служит буртик 8, верхняя плоскостькоторого углублена по отношению кверхней плоскости упругого элементана величину 1, а внутренняя кромка10 буртика смещена по отношению ккромке 11 концентраторов (или, тожесамое, по отношению к тензочувствительным элементам) на величину Ь,Реличины 1 и Ь выбраны исходя из следующего.,При 1 с 2 Ь кольцевую втул...

Номер патента: 1527526

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Козин, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...1 О, чаще всего алюминиевые, и слой 810 защищает упругий элемент от воздействия измеряемойсреды. Расстояние выбирается иСХодяиз следующего: Аронт диАФузии накраю маски цМеет сАерическую Форму срадиусом, равным " Ь ,поэтому легиион,1 нная область по одну и другую сторону от маски в сумме расширяется на,-2,Поэтому, чтобы не было смыканий областей 7 и тензорезисторов 4 и проводящих шин 5, расстояние д необходимо выбрать из условря .а, 2 ЬПолупроводниковый преобразователь работает следующим образом. При воздействии на утоньшенную активную часть 3 упругого элемента 1 измеряемого параметра, в частностидавления Р, он деАормируется, подвергаются деформации и сАормированные в его теле тензорезисторы 4. Благодаря тензорезисторному эффекту...

Номер патента: 1529063

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Горхов, Залетов, Кузнецова, Филимонов, Шагас

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...6, Намотка рабочего плеча К(фиг.З) тензомоста начинается от контакта А коллекторной пластины с токоподводами 6 и заканчивается в контакте В другого токоподвода 6, располо.женного с той же стороны, что и пластина с контактом А, Таким образом образуется два участка плеча В с рав Оными сопротивлениями, один иэ них расположен над верхней мембраной 2, адругой - под нижней мембраной 2, Аналогично наматывается второе рабочееплечо К тензомоста, Начинается намот ка в точке С, а заканчивается в точке Р, Образуются участки с равнымисопротивлениями нал верхней и под нижней мембранами К и К- компенсационные обмотки тенэомоста, Таким образом получается АВ=СП=К,=К,Внутренняя полость чувствительного элемента 1 соединена с измеряемойсредой штуцером 9....

Номер патента: 1530952

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Косогоров, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: интегрального, полупроводникового, тензопреобразователя

...точностью преобразования эа счет устранения нелинейности преобразователя, Это достигается тенэочувствительностью термореэистора К включенного в выходную цепь, и выбором его рас.положения на чувствительном элементе в соответствии с величиной и знаком нелинейнос ти мостовой иэмерительной цепи тензопреобразователя давления,Способ изготовления. интегрального полупроводникового тенэопреобразователя, включающий подготовку рабочего элемента путем формирования на полупроводниковой мембране методом интегральной технологии тенэорезисторов, соединенных в мостовую схему, добавочного резистора и терморезистора, последующего измерения тензочувствительности схемы Б, а также тензочувствительности терморезистора Б , выходного сигнала и его...

Номер патента: 1545117

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Зиновьев, Тихоненков, Тихонов, Халястов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...3 на рабо-, чие части измерительной балки 4 и, с с 4 едовательно, на тензорезисторы 5 25 и мерительной схемы.При воздействии термоудара измеряц емой среды тензорезисторы смежных,еч измерительного моста, равноудалнные от штока находятся в равных температурных условиях. Использоваюе оригинальной конструкции балки позволяет разместить на равных расс ояниях от штока, т.е. в одинаковых т мпературйых условиях, тензорез стори, воспринимающие разные знаки дФормации. Так происходит термокомпфнсацНя по температурной погреш" нсти,Настраивают датчик следующим об рФзом.В случае неполной самокомпенсации проводят подгонку по толщине одной и частей балки. Дпя этого определяюа величину и знак изменения Выходно 45 гб сигнала. при двух различных...

Номер патента: 1545118

Опубликовано: 23.02.1990

Автор: Красновский

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...7.При подаче на входной штуцер 10 избыточного давления небольшой вели" чины (недостаточного для деформации 40 мембраны 5) эластичная трубка 7 деФормируется (распрямляется), деФормируя сетку В из тензочувствительного провода, которая, изгибаясь, меняет свое сопротивление что воспринимает ся вторичной измерительной аппаратурой.Ври измерении более высокого давления деформируется не только эластичная трубка 7, но и внутренняя мембрана 5, которая деформирует сетку 4 тензоцуаствительного элемента.Таким образом, датчик имеет два диапазона чувствительности "точно" (деформация только трубки) и "грубо" (деформация трубки 7 и деформация55 мембраны).При необходимости исследования давления в грунте штуцер 10 необходи" мо наглухо закрыть и удалить...

Номер патента: 1545119

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Клочихин, Солотов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...части мембраны ереэ металлические прокладки 17 с помощью сварки. Между защитной влас" иной 16 и мембраной 1 устанавливатся зазор с помощью калиброванных о толщине металлических прокладок 17. еличина зазора превышает на 10-203 максимально заданное перемещение гиб" кой части мембраны. Например, при хо 9де мембраны 50 мкм толщина прокладоксоставляет 55-60 мкм.Датчик работает следующим образом.Измеряемое давление Р через штуцер 7 подводится во внутреннюю полостьдатчика, воздействует на мембрану идеформирует ее.При подаче питания на мостовуюсхему деформация тенэореэисторов,расположенных на гибкой части мембраны, преобразуется в электрический сигнал, изменяющийся пропорционально изменению давления. При воздействии намембрану...

Номер патента: 1552019

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Гундырева, Марин, Семенов, Сивенков

МПК: G01L 9/04

Метки: тензометрический

...6 расположены в полости 7 герметичногокорпуса 8.Тензометрический преобразователь1 35работает следующим образом.Соответствующие напряжения питания подаются одновременно на мостовую измерительную схему и на резистор 6, включение которого сокращает 40время готовности преобразователя кработе за счет термостатирования чувствительного элемента. При воздействии на чувствительный элемент измеряемого давления мембрана 1 деформируется, изменяется сопротивление рабочих резисторов 2 и на выходе измерительной схемы появляется сигнал,соответствующий измеряемому давлению.При повышении температуры в процессеизмерения происходит нагрев чувствительного элемента и дополнительныйнагрев резистора 6. Увеличение давления в полости 7 при разогреве корпуса...

Номер патента: 1553855

Опубликовано: 30.03.1990

Автор: Бушланов

МПК: G01L 13/02, G01L 9/04

Метки: давлений, датчик, разности

...внутренней поверхностью корпуса 1 и сильфонами 3, 4, может быть заполнена жидкостью, что обеспечивает З 5 защиту сильфонов 3, 4 от воздействия высокого статического давления.Датчик раЬотает следующим образом.Измеряемая разность давлений преобразуется измерительной мембраной 40 10 в механическое напряжение 6, де" Формацию , в угол поворота з, переме" щение 1 ее соответствующего подвижного участка. Выходные механические сигналы б, , Ы, 1 могут быть исполь зованы для последующего преобразования в дистанционный электрический или оптический сигнал, например, с помощью тензорезисторов, размещенных в теле мембраны 10 (не показано). 50 Одновременно с прогибом мембраны 10 осуществляется продольная согласованная деформация сильфонов 3, 4 исмещение...

Номер патента: 1553856

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Клочихин, Солотов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...мостовой схемы при этом определяется подбором харак 35 теристик тензорезисторов с идентичными параметрами (номиналы и ТКС). Один из мостов может быть также резервным. Тензорезисторы могут быть разной длины (вариант 11), что позволяет наряду с подбором характеристик тензоре 56зисторов осуществлять балансировку мостовой схемы.Работа датчика заключается в следующем.Тензорезисторы, подобранные по номиналам и ТКС, соединяют в мостовую схему. На одну диагональ мостовой схемы йодается напряжение питания, к другой диагонали подключается измерительный прибор, фиксирующий величину выходного электрического сигнала. Измеряемое давление воздействует на мембрану и деформирует ее вместе с тензорезисторами, расположенными на гибкой части...

Номер патента: 1553857

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Ачасов, Венгер, Ролин, Фомин

МПК: G01L 9/04

Метки: газа, давления

...величины к из-,менению условй ;10в среде;- оносительиые ошибки в измерениях давления и показателей поглощения;. силы перекрывающих линий; число перекрывающих линий. 15 формула изобретения и О Составитель А.ЗосимовРедактор А.Маковская Техред М.Дидык ректор М.Поно Заказ 451 Тираж 467ВНИИПИ Государственного комитета по изобретен 113035, Москва, Ж, РаушскаПодписноем и открытиям наб., д. 4/5 и ГКНТ СС мПроизводственно-издательский комбинат нПатент", г.ужгород, ул,Гагарина, 1 О где Я - центр выбранной линии; (1; - центры перекрывающих линий; ЬО - столкновительная полуширина; Так как с уменьшениемчувствительность показателя поглощения к изменению давления повышается, наиболее пригодными для измерений являются линии с минимальными...

Номер патента: 1566236

Опубликовано: 23.05.1990

Автор: Алейников

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...цилиндра 4, В данном случае работа узла 7 основана на обратном пьезоэффекте и связанном с этим эфФектом линейном изменении размеров различных веществ. Узел 7 также вызывает деформацию чувствительного злемента 4 и величина этой деформации является образцовой величиной (мерой), с которой сравнивается измеряемая величина.Величина деформации, создаваемая узлом 7, может задаваться дискретно ипи непрерывно, в зависимости от применяемого метода измерения.-Например, при применении нулевого метода измерения, который может реализовываться с помощью изместной электронно-преобразующей части устройства для измерения давления, происходит процесс постоянного сравнения измеряемой величины с мерой, в котором сравниваемые величины доводят до нуля, В...

Номер патента: 1569611

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Сорока, Тимонин

МПК: G01L 7/04, G01L 9/04

Метки: манометр

...Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035 Москва, Ж, Раушская наб., д./5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к измерительной технике, а имЕнно к устройствам измерения давления жидкос.тей и газов.Целью изобретения является упроще 5 ние конструкции и повышение надеж ности.На чертеже дано предлагаемое устгройство.Манометр содержит корггус 1, в ко"тором размещена трубка Бурдона 2,снабженная входным штуцером 3. Внутрьтрубки Бурдона помещена бифилярнаятензочувствительная проволока 4,свободные концы которой закреплены 15на токоподводах 5, а ее петля присоединена к пружине 6 механизма регулировки, включающего в себя акже регулировочный винт...

Номер патента: 1569612

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Елманов, Карминский, Черников, Чешков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...выполнена кальценапроточка 11, связанная каналами 12с основной подмембранной полостьо,Контактирующие поверхности чашки инажимного элемента выполняются в ниде полусфер с радиусом большим, чемрадиус шара,Датчик давления работает следующимобразом,Под воздействием измеряемого данэ 5ления мембрана деформируется, Деформация мембраны воспринимается рабаим тензорезистаром, который жестко Изобретение относится к измерительной технике, в части;сти к тено измерителям быстроменяющихся давлений, и может быть использовано для измерения быстромецяющихся давлений газов, паров и жидкостей в циклически работающих машинах, преимущественно в двигателях внутренего сгоранияконтроля пх работы и диагностики технического состояния,Целью изобретения...

Номер патента: 1569613

Опубликовано: 07.06.1990

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...работает следующим образом, При воздействии на мембрану давле-55 ния в ней возникают напряжения и деформации, Тензорезисторы воспринимают деформации, сопротивление их изменяется, Изменение сопротивлений тензорезисторов преобразуется мостовой схемой в выходной сигнал, При изменении температуры измеряемой среды температура тенэорезисторов иэменяется, его характеристики также изменяются, Так как термореэисторы частично расположены между мембраной и соответствующими тензорезисторами, а частично расположены вне соответствующих тензорезисторов вдоль одной из наибольшей стороны соответствующего тензорезистора, то температура терморезистора с высокой точностью отслеживаеттемпературу тензорезисторов вследствие малого термического сопротивления...

Номер патента: 1569614

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Буланов, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, чувствительный, элемент

...служит буртик 9 (уто:пиенаяпериФерийная часть мембраны) .Упругийэлемент имеет геометрические размеры:толщину Н, толщину мембраны 1 т рас.стояние между выступамк, а также между выступами и краем мембраы - с 1,ширина тензорезисторов Ь, Чувствительный элемент содержит, кроме того, за Ощитный изоляционный слой, например,80, покрывающкй поверхнос гь упругого элемента, и слой контактной металлизации, соединяющий тецзорезисторыдруг с другом и с внешней схемой, 45Чувствительный элемент работаетследующим образом,При подаче измеряемого параметра,например, давления Р на мембрануона деформируется, Деформация мембра 50ны передается тензорезксторам 5-18,которые изменяют свое опротивлецие,причем благодаря малой нелинейности зависимости соротивленкя...

Номер патента: 1569615

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Долгушин, Ким, Павлов, Харитонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...левая сужается; на .евую -1 асть на 35мат ыв ают комп енс ационную теэ амет рическую катушку 13, За. ем максимальное давление подают через отверстиедиафрагмы 3 в камеру 8 цилиндра 1)при этом лев ая часть 1 илицдра с ка г,тушкой 13 расциряется) а правая сузится; на правую часть ца 1 атываю,.рабочую тензометрическуо катушку 12,После снятия,цавления обе катушки12 и 13 находятся н начальном натянутом положении, На рабочий цилиндр1 с катушками 12 и 13 надевают корпус9 со штуцером 10 и закрепляют егогайкой 11, осуществляя цачапьныц натяг корпуса 9 и сжатие цилиндра 1из расчета, чтобы пр Максимальномрабочем давлении в цилиндре 1 снялосьначальное напряжение, после чегодатчик готов к работеДатчик работает следующим обра...

Номер патента: 1571447

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Ворожбитов, Зиновьев, Кузекмаев, Скорлыков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...блок 18 сложения (ВС),Датчик давления работает следующим образом,При подаче измеряемого давления через штуцер 3 на мембрану 2 последняя прогибается, тенэореэисторы 4-11 испытывают деформацию, а следовательно, изменяется их сопротивление, Вследствие этого на выходах измерительных мостов появляются сигналы, пропорциональные измеряемому давлению.При воздействии термоудара изменяются сопротивления тензорезистОров, а3 1571447 фд следовательно, изменяются выходные сигналы измерительных мостов. Ввиду того,чтотензорезисторы измерительных мостов установлены на попарно равном расстоянииот центра мембраны, причем топология первого моста является зеркальным отображением топологии второго, температура натенэорезисторах 4 и 8,5 и 9,6 и 10,7 и 11Имеет...

Номер патента: 1580190

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Белозубов, Жучков, Красильникова

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...большейстороны терморезистора выбрано в соответствии с предлагаемым соотношением. 25Интегральный преобразователь давления работает следующим образом.Измеряемое давление воздействуетна мембрану со стороны, противоположной планарной, В мембране возникаютнапряжения и деФормации. Тензорезисторы воспринимают деФормации и их сопротивления изменяются пропорциональноизмеряемому давлению, Причем, таккак сопротивления тензорезисторовК 1 и ЕЗ увеличиваются, а тензорезисторов К 2 и М уменьшаются с увеличением давления, а тензорезисторы соединены в мостовую схему, то на выходе схемы Формируется Выходной сигнал40пропорциональный сумме изменений сопротивлений отдельных тензорезисторов. При изменении температуры окружающей среды терморезистор также...

Номер патента: 1582035

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Иванов, Плешивцев, Смирнов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...предлагаемой конструкции полупроводникового датчика давлениямембрана 2 имеет ступенчатый проФиль6, обеспечивающий более плавный переход от мембраны к опорноР части кристалла 1, что уменьшает концентрацию механических напряжений в области перехода, и таким образом повышает прочность конструкции,Эластичное полимерное покрытие 7 ббеспечивает защиту поверхности полупроводникового кристалла с тензоэлементами контактных площадок и металлизированных соединений от адсорбции влаги, примесей, газов в результате образования адгезионных связей с центрами адсорбции на поверхности, стабилизирует поверхностный заряд и стабилизирует неоднородность его применения, устраняет поверхностные токи утечки и коррозии в условиях эксплуатации датчиков, В...

Номер патента: 1583768

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Басулина, Косогоров, Марин, Саблин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...защитную металлическую мембрану 1 ивызывает ее прогиб, Этот прогиб приводит к перемещенио ее жесткого центра 3 исоответственно стеклянного стержня 5,соединеннага с жестким центром 7.полупроводниковой мембраны. Так как края полупроводниковой мембраны, вынесенные в 40виде опорного кольца 8, соединены с кольцом 2 через стеклянную втулку 4, то перемещение жесткого центра 7. приведет кпоявлению деформаций в тонкой части мембраны 6, Тензосхема, сформированная, на 45обратной стороне полупроводниковой мембраны, преобразовывает деформации н изменение сопротивлений тенэорезисторав исоответственно в выходной сигнал, которыйчерез тонкие выводы 9 поступает на контактную колодку 10 и на выходдатчика. Замембранная полость датчика...

Номер патента: 1402042

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Горхов, Залетов, Усиков, Филимонов, Шмелев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...кожухаустановлена колодка 8 с контактами 9.Для электрической связи обмоток 2в 4 с контактами на вогнутых участках трубок 1 и 3 закреплены контактные пластины О.Преобразователь работает следую-.щим образом.При изменении давления в полостирабочей трубки 1 поверхность трубкидеформируется, вызывая соответственно изменение длины, а следовательно,и сопротивление намотанной ва нееобмотки 2, которое преобразуется известнымв,методами в ставдартн 3 ай выходной сигнал.Выполнение намотки литым микропроводом в стеклянной оболочке и рас"положение ее в зоне максимальной чувствительности трубки, равной 4-5 мм(при отношении длины трубки к описанному вокруг ее поперечного сечениядиаметру, равном не менее четырех),дает воэможность повысить...

Номер патента: 1589087

Опубликовано: 30.08.1990

Автор: Трунов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...изоляции очки выст где Ь - расстояние между электродами 2;6 - толщина оболочки;Н - расстояние между центрами выступов оболочки 4.Технологически выгоднее получать периодические выступы с соединительными каналами горячей штамповкой термопластичных материалов. При этом между выступами выполнены отверстия (на фиг. 1 - 3 не указаны). Наличие отверстий позволяет соединить полость проводящей среды над выступами с полостью под выступами.Предлагаемое устройство позволяет производить измерение малых прикладываемых усилий при работе в средах с повышенным давлением, например, под водой на больших глубинах, когда гидростатическое давление в несколько мПа, а измеряемые усилия в несколько ньютон.Так, подача давления в камеру 3 упругой среды и в...

Номер патента: 1589088

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Егиазарян, Кравченко

МПК: G01L 9/04

Метки: датчик, полупроводниковый

...тензорезисторы 4 измерительного моста 5, а вне зоны мембраны 3 тензорезисторы 6 компенсационного моста 7, конструктивно идентичные тензорезисторам 4. Номиналы сопротивлений тензорезисторов 4 и 6 равны. Балансировочные резисторы 8 и 9 выполнены из материала пластины 1, размещены вне зоны мембраны 3 и включены в идентичные плечи измерительного 5 и компенсационного 7 мостов, измерительные диагонали которых подключены к входами 10 и 1 дифференциального усилителя 12, расположенного на пластине 1 вне зоны мембраны 3.Датчик работает следуюш,им образом.При подаче давления Р в области мембраны 3 изменяются электрические сопротив- ения тензорезисторов 4 предварительно сбалансированного моста 5, которые в виде электрических сигналов...

Номер патента: 1597623

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Васильев, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...и как следствие снижаетсяточность и надежность,При измерении давления в цилиндредвигателя внутреннего сгорания мембрана 3 испытывает циклические нагрузки, т.е. колебания с частотой измеряемого процесса. Колебания такогорода не оказывают влияния на контактные проводники, соединяющие контактные площадки 16 с переходной контактной колодкой 5, так как контактныеплощадки 16 расположены за радиусоммембраны г на основании 4, Тем са мым повышается вибропрочность и надежность.Кроме измеряемой величины (давления) на приемную полость датчикас мембраной 3 оказывает также циклическое воздействие температура (циклический термоудар)При этом в силунизкой теплоинерционности мембраныее температура с внутренней стороныдатчика оказывается не постоянной,а...

Номер патента: 1597624

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Гадяцкий, Раков, Тимошенко, Федорова

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...7 и контактные площадки 8, выполненные на микроэлектронной технологии. В корпусе 2 смонтирована колодка 9 с электровыводами 10, которые с помощью микротокоподводов 11 микросваркой соединены с контактными площадками 8 тензомостовой схемы. Датчик закрывают крышкой 12, которая крепится к корпусу 2 и клеммной колодке 9 с помощью клея 13. В крышке 12 выполнены отверс. тия для подвода измеряемой среды во внутреннюю полость. Датчик корпусом 2 приклеивается . к поверхности, накоторой необходимо измерять давлениевоздушного потока, а электровыводы10 подключают к вторичному преобразователю, обеспечивающему питание мостовой схемы и обработку его выходногосигнала.Работа датчика заключается вследующем.Измеряемое давление через отверстия в крышке...

Номер патента: 1597625

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Дичев, Елманов, Карминский, Стрельников, Черников

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...элемента 2,При изменении сопротивления рабо-.,чего тензорезистора 4 вследствиеизменения его температуры изменениевеличины тока в диагонали полумостане происходит, так как изменяетсятемпература и сопротивление компенсирующего тензорезистора 5 и полумост остается уравновешен.Сигнал, вырабатываемый термопарами 6 и 7, поступает в блок 12. Обработка сигнала, пропорциональногосредней температуры упругого элемента 3, осуществляется в блоке 12 пожесткой, заранее заложенной программе, Сигналы, пропорциональные температурам на обеих поверхностях упругого элемента 3, складываются и полученный результат делится пополам,те. определяется средняя температураупругого элемента. Если эта температура не отличается от заданного значения, а именно от той...