Халястов

Номер патента: 1624288

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Зиновьев, Назаров, Халястов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, настройки, тензорезисторный

...натяга уменьшается чувствительность, От изменения величины натяга изменяется величина радиальных усилий в мембране, которые изменяют жесткость в мембране. Натяг обеспечивается в устройстве (см, чертеж) зд счет передачи радиального усилия от ТК через основдние на мембрану, Изменение натяга, а следовательно, изменение чувствительности датчика от температуры, выражается через5 10 15 разность ТКЛР УЭ и ТК, а также соотношения расстояний от мембраны до середины толщины основания и от середины толщины основания до ТК,Величина изменения натяга, а следовательно, величина изменения чувствительности датчика (термокомпенсации), регулируется путем перемещения кольца вдоль цилиндра ЧЭ, за счет изменения отношения расстояний приложения...

Номер патента: 1545117

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Зиновьев, Тихоненков, Тихонов, Халястов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...3 на рабо-, чие части измерительной балки 4 и, с с 4 едовательно, на тензорезисторы 5 25 и мерительной схемы.При воздействии термоудара измеряц емой среды тензорезисторы смежных,еч измерительного моста, равноудалнные от штока находятся в равных температурных условиях. Использоваюе оригинальной конструкции балки позволяет разместить на равных расс ояниях от штока, т.е. в одинаковых т мпературйых условиях, тензорез стори, воспринимающие разные знаки дФормации. Так происходит термокомпфнсацНя по температурной погреш" нсти,Настраивают датчик следующим об рФзом.В случае неполной самокомпенсации проводят подгонку по толщине одной и частей балки. Дпя этого определяюа величину и знак изменения Выходно 45 гб сигнала. при двух различных...

Номер патента: 1543267

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Зиновьев, Сунцов, Тихоненков, Халястов

МПК: G01L 19/04

Метки: давления, датчик

...каналы 7 с полостью кольцевого зазора 9 и торцового зазора 10, образуемого цилиндром б со стенкой втулки 2 и мембраной 3.Причем величина кольцевого зазора 9 равна суммарной площади поперечного сечения каналов 7.Кроме того, каналы размещены от оси датчика на расстоянии, не превышающем радиуса цилиндра 6. Осесимметричное тело. установлено в полости втулки 2 так, что соблюдается соотношениеа ШЬ40где а - величина торцового зазора 10;д - величина зазора 9;т - толщина мембраны;Ь - толщина стенки втулки 5 451 с - конструктивный коэФФициент,зависящий от массивности корпуса и штуцера.Датчик давления работает следую-, щим образом.Вследствие процесса теплообмена измеряемая жидкая или газообразная среда передает часть знерги...

Номер патента: 1525442

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Ворожбитов, Зиновьев, Тихоненков, Халястов

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральных, мостов, настройки, тензометрических

...самопроизвольная диффузияв планарных реэистивном и защитномслоях, Прымеси, захваченные во времянапыления, мигрируют в процессе термообработки к границам зерен резистивного. материала, где имеется большая35вероятность их выпаддния, Диффузияпо границам зерен протекает на несколько порядков быстрее, чем пообъему металлической пленки. Поэтому 40в результате термообработки температурный коэффициент сопротивления верхних,слоев резистивных пленок будетсущест-венно отрицательным, авнутреннихслоев в останет положительным, Этопозволяет получить результирующий температурный коэффициент сопротивленияпокрытого диэлектрическим слоем тенэорезистора почтина порядок сниженным по сравнению с исходным значением,этого . коэффициента.ф Затеи одну из...

Номер патента: 1422032

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Зиновьев, Тихоненков, Халястов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...метмбраны в каждый иЙ момент времени в случае, если все цилиндрьт силопередающего звена изготовлены из одного материала". на фиг,Зграфик расттределения температуры поплощади, измерительной мембраны датчик ъДатчик содержит разделительнуюмембрану 1, корпус 2 измерительнуюмембрану 3, коаксиальные ьтилиндры т 04 силопередающего звена,Начальная температура измеряемойсреды Т. соответствует значеникт тем 0ператур,; в момент времени Г;- и-е моменты времени, 45Предлагаемая конструкция высокотемпературного датчика давления предполагает выбор материала каждого цилиндра по его коэффициенту теплопроводности по зависимости 50где Ъ - коэффициент теплопроводности первого цилиндра, расположенного по центру мембраны;- порядковый номер...

Номер патента: 1372204

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Зиновьев, Халястов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...измерительной схемы появляется основной аналоговый сигнал. Преимуществом предлагаемой конструкции датчика является уменьшение аддитивной температурной погрешности при быстроменяющихся тепловых процессах примерно в 10 раз и, как следствие, повышение точности измерения. Формула изобретения Датчик давления по авт, св.В 943543, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерения в условиях быстроменяющихся высоких температур, в него введены четыре терморезистора, расположенные по одному на каждой мембране со стороны штоКа в зоне его заделки и по одному на внутренней поверхности корпуса в зоне заделки мембран, причем терморезисторы включены в мостовую схему,Изобретение относится к измерительной технике, может быть...