G01L 9/04 — резисторных тензометров

Номер патента: 1601532

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Смехов, Стисон

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, измерительный

...силы уравнивается с измеряемым давлением,обеспечивает повышение точности,2 ил,17 соединен с вторым входом сумматора 18. Выход дифференциального усилителя 9 соединен с,входом второго усилителя 8, выход которого соединен. с входом катушки 3 и входом инвертора 11 и второго нуль-органа 13. Выход генератора 10 пилообразного напряжения соединен с инвертирующим входом дифференциального усилителя 9,Преобразователь работает следуюшим образом. Тензомодуль 5, первый усилитель 7, дифФеренциальный усилитель 9, второй усилитель 8 и преобразователь 2 силы через рычаг 6 тензомодуля 5 образуют следящую систему, отслеживающую сигнал на неинвертирующем входе дифференциального усилителя 8. Так как на неинвертирующнй вход дифференциального...

Номер патента: 1605146

Опубликовано: 07.11.1990

Автор: Пухов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...тензорезисторы 4 25длиной 1, которые проводниками 5 и6 соединены между собой в мостовуюсхему и с внешней аппаратурой. Утолщенные секторы 7 выполняют роль концентраторов напряжений. Длина углублений 3 удовлетворяет соотношениюМ . 1-1- с.1- а отношение глубины уг 2 2 флублений 3 к толщине материала плас,тины 1 между поверхностью углубления 3и нижней поверхностью пластины Гнаходится в пределах 1/4 - 3/4, Полу=проводниковая пластина 1 закреплена вкорпусе 8 с помощью клеевогосостава 9,Преобразователь давления работает 40следующим образом.Под действием измеряемого давленияканавки 2 и углубления 3 пластины 1упруго деформируются. Под воздействием цеформаций тензорезисторы 4, расположенные попарно в областях одинаковых, но противоположных...

Номер патента: 1606886

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Белозубов, Дурцева, Косогоров, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, чувствительный, элемент

...показанные электрическиеконтакты 18 подается постоянное напряжение порядка 0,8-1,2 кВ. Причемполучают разделенные чувствительныеэлементы 29.Преимуществом способа является увеличенный выход годных на 15- 5207., расширяется в три раза возможная номенклатура применяемых материалов для чувствительного элемента,повышается эксплуатационная надежность работы и снижается стоимостьмонтажа. Формула изобретения 1,Полупроводниковый чувствительныйэлемент датчика давления, содержащий полупроводниковую мембрану, накоторой сформированы соединенныев измерительный мост тензорезисторы,20 при этом периферийная часть мембранывыполнена утолщенной и скреплена ссоосно расположенным с ней первымстеклянным кольцом, по другую сторону которого расположена соосно...

Номер патента: 1610327

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Гайнанов, Ессяк, Осипова, Ранченко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, сигнал, электрический

...ослабления сигнала, иключ 16 подается напряжение питания,которое используется для балансировки тензореэистивного моста 2 путемего сложения с усиленным выходнымнапряжением моста. Модуляторы 11 и12 и формирователь 14 тактовых импульсов слчжат для устранения влияния напряжений смещения в усилителе4 и блоке 15 на точность измерения,путем преобразования поступающих .наих входы постоянных напряжений ви ременные с последующей их демодуляцией на выходе сумматора 13,Температурная стабилизация тенэорезистивного моста 2 осуществляетсяпутем усиления усилителем 3 сигнала,35 40 45 50 55 снимаемого с выхода первого делителя 7 и с точки А соединения второгоделителя 8 с тензореэистивным мостом2 с последующей подачей усиленногосигнала на нагреватель...

Номер патента: 1610328

Опубликовано: 30.11.1990

Автор: Ялышев

МПК: G01B 7/16, G01L 9/04

Метки: тензометрическое

...Како - ККуКко К+ К 6 Бм) К 1 о5) уры ЬТ для диффесостоящей изи 6, можно в передставить следуюарактериэующие изний этих тензоре 6К,(Р,ДТ) - К,(1:;Дт):к,1 +ст) р - ка 1+х),( 7.) к,(р,дт) = к,(Е,дт 1=Ко(1 +МД Т) 1 + К (1 + ДТ)где К - коэффициент тензочувствительности (КТЧ) тензорезистора,К - температурный коэффициентсопротивления (ТЕС) тензор еэис тора,- температурный коэффициенттензочувствительности (ТКЧ)тензорезистора,К - номинальное значение сопроотивления тензорезистора приградуировочной темп ературе оС учетом выражений (7) получим: К(1 ДТ) + К 6 Ю Т)2 К (1 +оД т).25 Таким образом, одно из плеч внешнего псевдомоста с тенэорезисторами5 и 6 является термозависимыми, аизменение его сопротивления определяется в основном ТКС этих...

Номер патента: 1613888

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Меньшиков, Пономаренко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...нагрузке показывают, что в зоне пересечения биссектрис напряжения на 5-10больше, чем в центре, Тензорезисторы соединены в мостовую схему.Составитель О,СлюсаревТехред М.Моргентал Корректор Н.Корол Фиг 1едактор С.Лисина Тираж 4 б 7 Подписноеосударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 аказ 3887 ВНИИП оиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Уж 1 од, ул. Гагарина имеют место уже при - = 1,75, а при = 2а, ав вимеет место незначительное их увеличение,которое сравнимо со значением прогиба изгибающих момейтов (напряжений) привДальнейшее сравнение относительныхвеличин прогиба, изгибающих моментов показывает, что в случае пластинки с весьмавытянутым прямоугольным...

Номер патента: 1615578

Опубликовано: 23.12.1990

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...соответствующих резистивных квадратов, а также изменения сопротивлений соответствующих оезистивных квадратов равны между собой, Увеличение сопротивлений противоположно включенных окружных резисторов и уменьшение противоположно вклю 1615578ценных радиальных резисторов преобразуется мостовой схемой в-электрический сигнал, который поступает на выходные контактц датчика. При воздействии нестационарной температуры измеряемой среды 5(термоудара) вследствие различных термических сопротивлений сравнительно тонкоймембраны и массивного опорного основания на мембране возникает неравномерноеполе температур, фиг. 3, где приведена экспериментально определенная зависимостьраспределения температуры нэ планарнойстороне упругого элемента через...

Номер патента: 1615579

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Басулина, Педоренко, Саблин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...закрепленная в основании 4. Основание 4 с полупроводниковой мембраной 3 установлено в корпусе 5 датчика, который вместе с металлической мембраной 2 и опорным кольцом 1 соединены сваркой. Основание 4 через шайбу 6 гайкой 7 поджимается к металлической мембране 2 до полного прилегания, На обратной стороне полупроводниковой мембраны 3 сформирована тензосхема с тензорезисторами, преобразовывающая измеряемое давление Р в электрический сигнал, который через проводники 8 поступает на контактныйузел 9 и выводы 10 датчика.Датчик работает следующим образом, Измеренное давление Р воздействует на металлическую мембрану 2, вызывая ее прогиб, который передается на поджатую с обратной стороны полупроводниковую, преимущественно кремниевую, мембрану 3,...

Номер патента: 1619079

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Белозубов, Зиновьев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...практически при любых тепловыхвозмущениях с любым тепловым градиентом измеряемой среды, на плоской поверхности воспринимающей мембраныдостигается температура измеряемой среды (уравновешенный тепловой режим) за0,5 - 1,2 с,Оптимальный выбор толщины теплоизоляционного покрытия 7 обеспечиваетсяуменьшением теплообмена за счет теплопроводности между опорным основанием 3 икорпусом 1, причем величина теплового потока между ними должна быть равна тепловомупотоку от мембраны 2 к корпусу 1, и темсамым обеспечивается минимизация, а в идеальном случае исключение теплового потокаот мембраны 2 к опорному основанию 3, т.е.наступает сбалансированное температурноесостояние между мембраной и опорным основанием, а это в результате приводит к равномерному...

Номер патента: 1620864

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Нуриев

МПК: G01L 7/00, G01L 9/04

Метки: давления, датчик, кристаллообразующих, сред

...до продольной оси цилиндра 20на разных расстоян ях с противоположныхсторон. Тензорезисторы активные 4, термокомпенсационные 5 и контрольные 6 наклеены равномерно по цилиндрическойнарухной поверхности трубки со смещением один от другого на 90 - 180 в количествеот 2 до 4. Согласование жесткостей трубкии среды обеспечивается путем подбора соотношения внутреннего и наружного диаметров трубки, Деформация трубки 1 30регистрируется с помощь,о вторичной измерительной аппаратуры(не показана), Тензорезисторы 4 наклеены в середине нижнейчасти трубки, а тензорезисторы 5 и 6 - всередине верхнел ее части. 35Определение давления производитсяследующим образом,Объем нижней части цилиндрическойтрубки 1 заполняют на 80 - 90% исследуемойкристаллообразующей...

Номер патента: 1624288

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Зиновьев, Назаров, Халястов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, настройки, тензорезисторный

...натяга уменьшается чувствительность, От изменения величины натяга изменяется величина радиальных усилий в мембране, которые изменяют жесткость в мембране. Натяг обеспечивается в устройстве (см, чертеж) зд счет передачи радиального усилия от ТК через основдние на мембрану, Изменение натяга, а следовательно, изменение чувствительности датчика от температуры, выражается через5 10 15 разность ТКЛР УЭ и ТК, а также соотношения расстояний от мембраны до середины толщины основания и от середины толщины основания до ТК,Величина изменения натяга, а следовательно, величина изменения чувствительности датчика (термокомпенсации), регулируется путем перемещения кольца вдоль цилиндра ЧЭ, за счет изменения отношения расстояний приложения...

Номер патента: 1627870

Опубликовано: 15.02.1991

Автор: Васильев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...преобрас)уе дав 1 сн 11 с всилу, которая передаетс с.ержневому упругому злее)ецту 3, Ср нсеойупругий элемент 3 испытывает деформацию, а вместе с ним и тецзорс:зцсторь 1 4-7 (тензорезцсторы ч ц 5 по"перечную деформацию растяж.ция, атецзорезисторы Ь и лье)ую дс формацию сжатия) Вэтогона выходе мостовой измерительнойцепи появляется сигнал, пропорциональный измеряемому давлению. При действии термоудара, например, темпе;атурой Т = в 19 С (жидкий азот)ои температурой Т = 100 С (кипящая вода) температура на поверхности стержневого упругого элемента распредг ляется, как показано на фиг,З (распределение получено на основе экспериментальных данных).К момент термоудара температура по поверхности, где установлены тен-резисторы 4- 7,...

Номер патента: 1627871

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Батюшков, Егиазарян, Чирков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...вызывают еще большийразбаланс измерительной схемы и, соо 1 ветственцо, вносят искажения н выодцои сигнал,)1 ри этом в случае, если Тс),сс,Т,Ч , то терморезистор 3 не выдаетсиг)залцепочка схем 10, 11, 12 и13 не работает и, соответственно,по участкам 4 р 5, с)р 7 и 8 не течетток (термоэлемецт отключен от источника питания). В этом случае выход 55цой сигнал УЧ 3 1 це подвергается искажению; получают чистый сигнал, проц р иолльцый данлецию Р, т.е. давлецие Р, воздействуя цл упругочувствцтельный элемент 1, деформирует его, в результате чего возникшие механические напряжения в зоне тенэорезисторов 2 приводят к изменению цх цачдльцых значений сопротивлений, т.е. к разбалансу измерительной схемы в целом, д так как измерительная схема питается...

Номер патента: 1629762

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Васильев, Горбачева, Ескин, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...и увеличение линейности выходной характеристики,На фиг, 1 изображена конструкциядатчика давления, на фиг. 2 - конструкция чувствительного элемента.Патчик давления содержит корпус 1,воспринимающую давление мембрану 2,стержневой упругий элемент 3, Стержного теплового воздействия, напримерв топливно-энергетических системахдвигателей внутреннего сгорания, Сцелью повьпнения линейности и чупствительности стержневой упругий элемент выполнен двухступенчатым так,что площадь поперечного сечения первой ступени стержня больше площадипоперечного сечения его второй ступени в 25-3,3 раза, При этом дватензорезистсра мостовой . цепи устайовлены в продольном направлении наступени с большим поперечным сечением, а два других тензорезистора -на ступени с...

Номер патента: 1638577

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Голод, Кальпус, Осинцева

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, полупроводниковых, преобразователей

...с помощью процесса фотолитографии открывают окна под контакты 6 и осуществляют металлизацию поверхности пластин- заготовок с тензорезистивными схемами путем вакуумного, например термического, распыления алюминия. С помощью процес 1638577са фотолитографии формируют омические контакты и электрическую разводку тензорезистивных схем, Затем осуществляют металлизацию противоположной поверхности пластин-заготовок путем вакуумного нэпы ления алюминия 7. Режим металлизации противоположной поверхности пластин-заготовок аналогичен режиму напыления алюминия для создания омических контактов и электрической разводки тензорезистивных 10 схем чувствительного элемента, Для осущесгвления атомарной связи металлического слоя с поверхностью кремния и с его...

Номер патента: 1642284

Опубликовано: 15.04.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...требований к точности отработки расстояний, угловых координат и положений устанавливаемых сборок в связи с отсутствием необходимости очень точной предварительной ориентации собираемых сборок вследствие сопряжения кристалла и платы только по двум смежным сторонам кристалла (или выреза платы); Сопряжение кристалла и платы только по двум смежным сторонам кристалла (или выреза платы) позволяет осуществлять сборку в плоскости платы и кристалла во всех направлениях, заключенных между перпендикулярными к смежным граням выреза платы.На фиг.2 перпендикуляры показаны 5 знаком 1 - . На фиг. 2 видно, что сборка может осуществляться по любому направлению, заключенному между перпендикулярами,Сборка датчика осуществляется следующим образом.10...

Номер патента: 1647304

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Клопов, Тихоненков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, тензометрический

...в центре, которая образу-,ет четыре упругие консоли 4 с тензорезисторами 5Свободные концы упругих консолей снабжены гибкими балками, выполненными за одно целое с ниии, при этом одна пара упругих балок6, расположенных относительно центрадиска одна протш другой соединена 25со штоком 7 в центре мембраны, а дру- .гая пара через такие же гибкие балки 8 соединена с корпусом 3 датчика.Пад действием давления мембрана2 прогибается и передает усилие на . ЗОтензометрнческий преобразователь,при этом тензорезисторы, сформированные на упругих консолях, соединенныхгибкими балками 8 с корпусом 1 датчика, работают на растяжение, а тензорезисторы, сформированные на упругих консолях, соединеннык гибкими балками 6 с центром мембраны, работают на сжатие,...

Номер патента: 1647305

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Козин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...чувствительного элемента 35с планарной стороны 5 и с непланарной стороны 6 имеет идентичные слои,в ней отсутствуют начальные механические напряжения, которые в противном случае приводили бы к статическому изгибу мембраны и снижению чувствительности при подаче измеряемогодавления на уже изогнутую мембрану,Одновременное легирование с двухсторон обеспечивает одинаковое распределенне примеси в тензорезисторах. от поверхности в глубину мембраны исимметрию слоев тензорезисторов относительно середины толщины мембраны,исключая неидентичность параметровслоев на противоположных сторонах мембраны.Интегральный полупроводниковыйгреобразователь давления содержитпрофилированный кристалл из кремниямарки и типа, ориентации (1 ОО) смембраной...

Номер патента: 1649318

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Васильева, Енакиев, Столяр, Яркин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...для измерения давления в адиабатических установках саморазложения веществ, а также в других областях техники, где необходим контроль величины давления.Цель изобретения - повышение чувствительности и расширение диапазона измеряемых давлений,На фиг. 1 представлено устройство, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Датчик содержит упругий элемент 1, выполненный за одно целое со штуцером, вертикальные плоские стойки 2, закрепленные на глухом конце элемента 1, стакан 3, размещенный с внешней стороны упругого элемента соосно с ним, при этом упругий элемент выполнен в виде полого цилиндра с герметично закрытым концом, на котором закреплены стойки 2, Тензорезисторы 4 размещены на поверхности упругого элемента. Нажимной болт 5...

Номер патента: 1649319

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Белозубов, Зиновьев, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...тензорезисторов, расположенных на разных сторонах проточки, достигается за10 15 20 25 счет представленных соотношений конструктивных размеров.Перепад температуры измеряемой среды приводит к одинаковым изменениям средне интегральнои температуры на тензорезисторах, а значит, к одинаковым измененилм сопротивлений тензорезисторов и, как следствие, в силу характерных свойств мостовых схем к самокомпенсации температурных изменений выходного сигнала. Полная само- компенсация температурных изменений выходног сигнала от термоудара повышает точность измерения, Кроме того, выполнение всех тензорезисторов измерительной схемы по дуге повышает срок эксплуатации конструкции за счет равномерности деформации по всей длине тензорезисторов от...

Номер патента: 1657986

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Кравченко, Морозовский, Семенюк, Хусаинов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, тензометрический

...2 и 3, сопрягаюцими его сфланцем 4 и дном 5, на поверхностирабочего участка выполнены дне зеркально-симметричные проточки 6 и 7под углом 45-85 к плоскости перпендикулярной оси стакана, а обмотки изте эочувстнительной проволоки расположены на крайних частях рабочегоучастка 1 и получают под действиемдавления деформации разного знака. другу. Тензореэистны в виде тенэочувлоки и расположеныутолщенного рабочеминимальном удаленточек 6 и 7.Цилиндрическиеоснования проточекупругие шарниры.Датчик работаетПодача давлениялость стакана обуссилу и радиальныено-составные частиза исключением флавниду того, что к6 и 7 обусловили кшарниры н зонах 10стакана будет хараротом меридиональн3 1657986 Тензометрический датчик давления,...

Номер патента: 1659756

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Кулюкин, Турунтаев

МПК: G01L 1/00, G01L 1/20, G01L 9/04 ...

Метки: деформации, объемной, сред, сыпучих

...только от расстояния между электропроводными пластинами и объемной деформации. При необходимости в другое место формируют еще один резистор и так далее, В ходе деформирования исследуемого образца измеряют сопротивление полученного таким образом резистора, это сопротивление зависит только от плотности контактов в электропроводчом материале, т. е. от объемной деформации (давления) в данной области, По изменению измеряемого сопротивления на основании тарировочного графика, приведенного на фиг, 2, судят об объемной деформации (относительном изменении давления) в области размещения датчика, Тензочувствительность полученного описанным способом датчика составляет 0,35 - 0,05,Благодаря сыпучести материала чувствительного элемента поведение...

Номер патента: 1663460

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Зиновьев, Кузекмаев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...что на выходе блока 15 вычитания сигнал равен нулю 015 = 01 з 014 = К 1 Ор 1+ От 1) К 2 Ор 2+ т От 2) = О, От влияния на мостовые схемы температуры на выходе блока 15 вычитания появляется термозависимый сигнал, причем в стационарных температурных условиях (на всех тензорезисторах одинаковая температура) этот сигнал обусловлен только ТКЧ тензореэисторов, а от влияния ТКС само- компенсируется в каждой из мостовых схем из условия работы моса.Таким образом, на выходе блока 15 вычитания при любой стационарной температуре (для приведенного случая в диапазоне температур от минус 200 до 150 С) и при отсутствии воздействия измеряемого давления сигнал равен нулю. При воздействии давления на выходе блока 15 вычитания появится термозависимый...

Номер патента: 1668881

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Белозубов, Маланьин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...запитываются напряжением отрицательной полярности, а тензорезисторы и-проводимости запитываются напряжением положительной полярности, Коммутационные области тензорезисторного моста соединены с контактными площадками 14. Коммутационные области терморезисторов соединены с контактными площадками 15.Устройство работает следующим образом.При воздействии на мембрану давления в ней возникают напряжения и деформации. Тензорезисторы воспринимают деформации, сопротивление их изменяется, Изменение сопротивлений тензарезисторов преобразуется мостовой схемой в выходной сигнал. При изменении температуры измеряемой среды температура тензорезисторов изменяется, его характеристики также изменяются. Так как тензорезисторы и терморезисторы выполнены...

Номер патента: 1673894

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Асланов, Кулиев, Пашаев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...чувствительности.На чертеже схематично изображен преобразователь. Интегральный преобразователь давления содержит четыре тензореэистора 1 с контактными площадками 2, Тензорезисторы размещены на мембране 3, выполненной в виде равностороннего треугольника, Одна пара тензорезисторов 1 размещена вдоль высоты треугольника так, что один тензореэистор иэ этой пэры расположен на расстоянии 0,52 а, а другой - на расстоянии 0,35 а от основания. Другая пара тензореэисторов 1 размещена на линии, параллельной основанию треугольника и отстоящей от него на расстояние 0,1 а, причем каждый тензорезистор этой пары расположен на расстоянии 0,25 а от вершины близлежащего угла треугольника. Величина а равна длине стороны %гГтреугольника.Интегральный...

Номер патента: 1675702

Опубликовано: 07.09.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ся в стационарных температурных условиях, т.е. когда температура в области границы раздела мембраны и жесткого центра и температура в области границы раздела мембраны и периферийного основания не отличаются друг от друга, в связи с тем, что тенэореэисторы образованы идентичными элементами в виде квадратов и в связи с тем, что две противолежащие стороны каждого квадрата расположены параллельно радиусам мембраны, проведенным через центры соответствующего квадрата, разность сигналов с измерительных мостов равна нулю.На выходе дифференциального усилителя 16 появляется сигнал пропорциональных сумме сигналов измерительных мостов, так как сигнал с дополнительного измерительного моста прежде, чем попасть на вход...

Номер патента: 1677539

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Белозубов, Зиновьев, Кузекмаев

МПК: G01L 19/04, G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...Тензорезисторы соединены в мостовую схему фиг,2) и защищены от влияния внешних факторов термопроходником 10,Для обеспечения максимальной чувствительности.ширина кольцевой перемычки выбирается из зависимости где г- наружный радиус внутреннего пологоцилиндра.При этом толщина стенок внутреннего ивнешнего полых цилиндров 3 и 4 и толщинаперемычки 5 выбраны из соотношения где О - толщина стенки внешнего полого цилиндра;й - толщина стенки внутреннего полого цилиндра,п - толщина перемычки,На фиг.З показан характер переноса теплоты через внутренний и внешний полые цилиндры по длине при воздействии термо 5 10 15 20 25 30 удара на разделительную мембрану в моменты времени г 1, т 2 тз, На фиг,2 показан характер изменения температуры на кольцевой...

Номер патента: 1682842

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...сжимающим деформациям, направленным вдоль тензоэлементов, и растягивающим деформациям, направленным поперек тензоэлементов, В результате этого под воздействием измеряемого давления сопротлвлеиие двух противолежащих плеч возрастает, а сопротивление двух других плеч моста уменьшается. Поэтому на выходе моста появляется выходной сигнал, однозначно связанный с давлением измеряемойсреды. При воздействии на мембрану датчика нестациоиарной температуры измеряемой средц вследствие различных термических сопротивлений непосредственно мембраны и опорного основания температура в центральной части мембраны в общем случае существенно отличается от температуры на периферии мембраны.Так как тензоэлементы выполнены в виде идентичных квадратов,...

Номер патента: 1686318

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Ворожбитов, Зиновьев, Кузекмаев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...Тензорезисторы испытываютдеформацию, причем тензорезисторы 4 и 6- деформацию сжатия, а тензорезисторы 5и 7 - деформацию оастяжения, Вследствиеэого на выходе мостовой измерительной 40цепи появляется синал. пропорциональный измеряемому давлению,При работе дагчика в условиях термоудара оаспределение температур и температурных деформаций на поверхности 45мембраны происходи, по радиусу, проходящему через центр проточки,Так какокружные тенэореэисторы размещены вдоль условной о ружности, проходящей через середины радиальных 50тензорезисторов (фиг, 2), то среднеинтегральная гемператур (а следовательно, итемпературные деформации) на поверхносги мембраны в зснах расположения окружных и радиальны1 ензореэисторов 5одинакова в течение...

Номер патента: 1686319

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Андреев, Марин, Михайлов

МПК: G01L 9/04, G01L 9/06

Метки: абсолютного, вакуумирования, давления, датчик, полупроводниковый

...Выходное напряжение через шины 6 и контактные площадки 5 передается для дальнейшей обработки, Напряжение питания на мостовую схему такжеподается через площадки 5 и шины 6. Благодаря наличию в опорной камере 9 пленки 12 геттерного материала газы, десорбированные стенками камеры, поглощаются материалом пленки, обладающим геттерными свойствами. Таким образом, в процессе эксплуатации и хранения датчика поддерживается необходимое разрежение. Вакуумирование опорной камеры 9 датчика и последующее ее обезгаживание с 10 помощью геттерной пленки 12 осуществляется следующим образом. После изготовления полупроводниковой мембраны 1 и стеклянного колпачка 8 их помещают в вакуумный бокс 13, производят откачку воздуха до необходимой степени...