Басулина
Датчик давления
Номер патента: 1615579
Опубликовано: 23.12.1990
Авторы: Басулина, Педоренко, Саблин
МПК: G01L 9/04
...закрепленная в основании 4. Основание 4 с полупроводниковой мембраной 3 установлено в корпусе 5 датчика, который вместе с металлической мембраной 2 и опорным кольцом 1 соединены сваркой. Основание 4 через шайбу 6 гайкой 7 поджимается к металлической мембране 2 до полного прилегания, На обратной стороне полупроводниковой мембраны 3 сформирована тензосхема с тензорезисторами, преобразовывающая измеряемое давление Р в электрический сигнал, который через проводники 8 поступает на контактныйузел 9 и выводы 10 датчика.Датчик работает следующим образом, Измеренное давление Р воздействует на металлическую мембрану 2, вызывая ее прогиб, который передается на поджатую с обратной стороны полупроводниковую, преимущественно кремниевую, мембрану 3,...
Полупроводниковый датчик давления
Номер патента: 1583768
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Басулина, Косогоров, Марин, Саблин
МПК: G01L 9/04
Метки: давления, датчик, полупроводниковый
...защитную металлическую мембрану 1 ивызывает ее прогиб, Этот прогиб приводит к перемещенио ее жесткого центра 3 исоответственно стеклянного стержня 5,соединеннага с жестким центром 7.полупроводниковой мембраны. Так как края полупроводниковой мембраны, вынесенные в 40виде опорного кольца 8, соединены с кольцом 2 через стеклянную втулку 4, то перемещение жесткого центра 7. приведет кпоявлению деформаций в тонкой части мембраны 6, Тензосхема, сформированная, на 45обратной стороне полупроводниковой мембраны, преобразовывает деформации н изменение сопротивлений тенэорезисторав исоответственно в выходной сигнал, которыйчерез тонкие выводы 9 поступает на контактную колодку 10 и на выходдатчика. Замембранная полость датчика...