G01L 9/04 — резисторных тензометров

Номер патента: 1830138

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Гридчин, Любимский, Сарина

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензопреобразователь

...же время7 Ъ -3условие (11), при котором происходит само- компенсация температурной зависимости выходного сигнала, может выполняться при оптимальной концентрации легирующей примеси, Для структуры "кремний на сапфире" это значение находится в диапазоне (8 +0,8)10 см иусловие(11) выполняется в интервале температур ( - 60(-(+200)С.Кроме того известен тензопреобразователь мембранного типа с рабочим температурным диапазоном (-60) - (+200)С, являющийся прототипом изобретения, содержащий полный мост из поликремниевых тензорезисторов, легированных бором и расположенных на окисленной подложке из монокристаллического кремния, ориентированной в плоскости (1 00), контактные площадки, соединяющие тензореэисторы в измерительный мост, подключены к...

Номер патента: 1830470

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Китманов, Цыганов, Шакиров

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...дополнительные измерительные мосты, количество которых составляет п, причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в Области границ углублений. 1 ил. ные мосты, количество которых составляет п, причем все тенэорезисторы сформиро ваны на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений,На чертеже изображен интегральный полупроводниковый преобразователь давления.Устоойство содержит упругий элемент 1, тензорезисторы 2, углубления 3.Тензорезисторы и углубления создаются на полупроводниковой пластине методом микроэлектронной технологии. реобразователя осуществляетм образом, При подаче измеряния Р на упругий элемент 1 оспринимает зто давление и пеорезисторам 2, которые преобэлектрический...

Номер патента: 2002224

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Красновский

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...с мембранами 5, 6, среду 9, 30 передающую давление, верхнюю жесткую крышку 10 и входной штуцер 11. Топкатели 7 и 8 выполнены в виде концентрических цилиндров из изоляционного материала иконтактируют с мембранами через прокладки 12. ф ормула изобретен ияДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий вы- полненный в виде чаши корпус квадратного сечения, по периферии которого размещены концевые опоры, на.которые натянут проволочный тензочувствительный элемент в виде сетки из изолированных друг от друга проводов, и первую мембрану, размещенную поверх сетки, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности .и расширения области применения, в него введены вторая и третья мембраны, а корпус снабжен съемДатчик давления работает следующим образом. В...

Номер патента: 2005295

Опубликовано: 30.12.1993

Автор: Соколов

МПК: G01L 9/04, G01L 9/06

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...достаточно высокомуровне тензочувствительности датчика,Величина смещения периферийныхтензорезисторов определяется из эмпирического выраженияРЬХ - Кгде КтхЬ- геометрический фактор;аа - коэффициент пропорциональности,зависящий от величины максимального давления Рн и определяемый экспериментальным путем, а 4085 в диапазоне давленийР - 50+100 кПа; а - 16+185 в диапазоне Р-10 кПа,Геометрические размеры ИТПД в диапазонах давлений 0,1-50 кПа. 0,2-100кПа, 0,5-500 кПа, 1,0-1000 кПа определяются из соотношений 0,01-0,035,0,44- 0,51,ВЭТензорезисторы ориентированы в направлении 110 на кристаллографическойплоскости (100) ИТПД.Расстояние от периферийного тензорезистора до граничного контура кольцевогоучастка сопряжения ИТПД с опорным элементомЖ 02 Н ....

Номер патента: 2005296

Опубликовано: 30.12.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...зазора по всей поверхности платы. а следовательно, и минимизацию габаритных размеров и максимальное повышение надежности. Выполнение конфигурации и размеров подстроечной платы идентичными конфигурации и размерам мембраны в максимальной степени уменьшает габаритнье размеры, так как в этом случае размеры датчика определяются размерами мембраны, Выполнение платы в виде нескольких идентичных по размерам и конфигурации плат позволяет в еще большей степени уменьшить габаритные размеры датчика при большем количестве подстроечных элементов. Расположение токовыводов перпендикулярно поверхности мембраны обеспечивает дальнейшее уменьшение габаритных размеров.Конфигурация поверхности платы, прилегающей к мембране, совпадает с...

Номер патента: 1545877

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Афанасьев, Бритвин, Ваганов, Червяков

МПК: G01L 9/04, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

...контактах 4-7 устанавливается напряжение, приблизительно равное половине напряжения питания. При отсутствии механических напряжений в области контактов возникающее при подведении питания электрическое поле обладает зеркальной симметрией относительной осей, проходящих от центрального контакта 3 к контактам 8-11. и при этом контакты 4-7 оказываются лежащими на одной эквипотенциальной линии. Следовательно, выходной сигнал преобразователяравен нулю. При приложении к упругомуэлементу 1 измеряемого воздействия в области контактов возникают механические5 напряжения, приводящие к возникновениюанизотропии проводимости кремния, Первоначальная симметрия электрического поля нарушается. В зависимости отнаправления приложения измеряемого воз 10...

Номер патента: 1389412

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, интегральный

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий кремниевую мембрану, на периферии которой установлены два p-h-p-тензотранзистора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, тензотранзисторы размещены так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора параллельна, а у другого - перпендикулярна кристаллографическому направлению < III >, при этом плоскость мембраны совпадает с кристаллографической плоскостью (110).

Номер патента: 1438404

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Бабичев, Брегман, Бритвин, Ваганов, Жадько, Ошкадерова, Романов, Сердега, Случак

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий выполненную за одно целое с основанием кремниевую мембрану, ориентированную в плоскости (100), зеркально-симметричную относительно каждой из двух плоскостей семейства (110), проходящих через центр мембраны и перпендикулярно ее плоскости, тензоэлемент, расположенный на мембране и выполненный в виде интегрального тензорезистора с двумя вводами для тока и двумя выводами для снятия напряжения, причем вводы для тока ориентированы в направлении < 100 >, а выводы перпендикулярны вводам, и токоведущие дорожки, отличающийся тем, что, с целью повышения точности преобразования деформации в электрический сигнал, тензоэлемент расположен в центре мембраны, причем токоведущие дорожки к токовым...

Номер патента: 1835913

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Евдокимов, Папков, Смыслов, Суровиков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...Разделение облегчается, еслина месте границ между будущими преобразователями в первой и второй пластинахбыли сделаны незамкнутые прорези иликанавки (в т,ч. замкнутые). В этом случаеразделение может быть выполнено оазмыванием, ибо деформацией при размэлывании не передэдутся нэ прогибные части и невыведут их из строя, так как они защищеныжесткими рамками 2,Этим способом можно изготавливатьпрофилированные мембраны других форм, 35например, с жестким центром, с жесткими"островками" и т,д,Изготовление упрощается, если заготовки 1-й и 2-й пластины вырезают в изотропкой плоскости (в плоскости (0001) для 40сапфира); в этом случае отпадают все последующие операции кристаллографическойориентации, даже для тензорезисторов 4,ибо эпитаксиальный...

Номер патента: 1433170

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Белозубов, Красильникова, Марин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензометрический

ТЕНЗОМЕТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ по авт. св. N 1075096, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в нем резистивные полоски расположены внутри области, ограниченной кривой, удовлетворяющей соотношениюгде расстояние i-й точки кривой до оси [110]a размер мембраны, параллельной оси L110i расстояние i-й точки кривой до оси

Номер патента: 1771272

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Андреев, Белозубов, Козин, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

1. Датчик давления, содержащий опорное основание с мембраной, выполненные за одно целое из полупроводникового материала, причем на мембране размещены тензорезисторы, подключенные с помощью коммутационных участков к периферийным контактным площадкам, размещенным на опорном основании, соединенное с кольцом-держателем, и компенсационные резисторы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов и повышения технологичности, он снабжен дополнительными контактными площадками, размещенными по периферии кольца-держателя в области коммутационных участков, а компенсационные резисторы выполнены в виде резистивных пленок с пленочными токоведущими проводниками, нанесенными на внешнюю поверхность кольца-держателя, причем проводники соединены...

Номер патента: 1433172

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Шпилев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий квадратную мембрану из монокристаллического кремния n-типа проводимости, выполненную за одно целое с опорным основанием, плоскость которой совпадает с основной кристаллографической плоскостью (001), а стороны ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений <110> и расположенные по периферии по осям ее симметрии тензорезисторы в виде резистивных полосок, соединенных в измерительный мост, причем полоски двух тензорезисторов параллельны двумя противоположным сторонам мембраны, а полоски двух других тензорезисторов перпендикулярны двум другим сторонам мембраны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения при воздействий нестационарной температуры измеряемой...

Номер патента: 1431470

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Белозубов, Зеленцов, Козин, Косогоров, Михайлов, Саблин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензометрический

1. Тензометрический преобразователь давления, содержащий кристалл из полупроводникового материала одного типа проводимости с мембранной областью, на которой сформированы другого типа проводимости тензорезисторы и коммутационные участки, соединяющие тензорезисторы в измерительный мост и с металлизированными площадками на периферийной области кристалла, изоляционный слой, покрывающий поверхность кристалла со стороны тензорезисторов и имеющий отверстия над металлизированными площадками, и кольцо из стекла, соединенное с кристаллом по периферийной области со стороны тензорезисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости к агрессивным средам и надежности при эксплуатации, в нем на изоляционном слое под кольцом из стекла выполнены...

Номер патента: 1795723

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Абашев, Лунегов, Русских

МПК: G01L 9/04

Метки: тензорезистор

...близки к свойствам монокристаллов ИРС, а наличие полимерной матрицы обеспечивает защиту кристаллов от воздействия внешней среды и поэтому резко повышается временная стабильность электрических параметров материала, Композит может быть легко получен в Тензорезисгор для датчиков давления, выполненный из материала на основе анионрадикальных солей,7,8,8-тетрацианхинодиметана, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрических параметров, он выполнен в виде пленки из смеси полимерного материала и анионравиде пленки толщиной 1-2 мкм и более. Для этого в подходящем растворителе растворяется необходимое количество полимера и ИРС, Капля этого раствора наносится на подложку, нагретую до определенной температуры. При испарении...

Номер патента: 1253266

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Жучков, Марин, Семенов, Сивенков

МПК: G01L 9/04

Метки: тензометрический

Тензометрический преобразователь, содержащий мембрану и соединенные в мостовую измерительную схему тензорезисторы в виде основных, расположенных в центральной и на периферийной частях мембраны, и дополнительных термокомпенсационных и балансировочных, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения за счет уменьшения температурной погрешности при работе в нестационарном режиме, в нем центральные основные резисторы расположены симметрично относительно одной из осей мембраны, периферийные резисторы выполнены в виде двух участков, симметрично расположенных относительно этой же оси, при этом дополнительные термокомпенсационные резисторы расположены с внешней стороны...

Номер патента: 1294078

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Косогоров, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, преобразователя

Способ изготовления преобразователя давления, включающий в себя формирование тензоизмерительной схемы на одной из сторон пластины, разделение пластины на чувствительные элементы, установку их на металлический упругий элемент, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона и повышения надежности, на другую сторону пластины наносят слой полупроводникового материала, а на металлический упругий элемент последовательно наносят слой ковара и стекла, после чего проводят электростатическое соединение упругого и чувствительного элементов при рабочем напряжении 3-5 кВ, температуре 490-510°C, времени выдержки 30-40 мин, причем слой полупроводникового материала соединяют со...