G01L 9/04 — резисторных тензометров

Номер патента: 1428958

Опубликовано: 07.10.1988

Автор: Увакин

МПК: G01L 19/04, G01L 9/04

Метки: давления, датчик, увакина

...1винтами 12, упоры 5 и 6 соединены сэлементом 4, мембраной 2 и крышкой Эконтактной сваркой, а с крышкой 3 до- щполнительно и теплостойким клеем,Места соединения упоров 5 и 6 с мембраной и элементом 4 выполнены сферическими, что позволяет произвестицентровку оси элемента 4 с осью 45мембраны и датчика,. Провода 11 проходят через изоляционные втулки 13,установленные в крышке 3, которыепосле сборки и балансировки датчикамогут быть закреплены во втулках теп".лостойким герметиком или клеем. Перемычки 10 выполняются жесткими с различными расстояниями между выступамидля сварки с шинами 9 с привареннымипроводниками 11 иэ теплостойкого провода. Для повьппения теплостойкостидатчик заполняют инертным газом игерметизируют.Датчик работает следующим...

Номер патента: 1428959

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Белоцерковский, Еременко, Жуков, Салтанова

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, измеритель, цифровой

...Выход триггера 15 соединен с входом сброса пикового детектора 7, осуществляемого посредством электронного ключа 17, соединенного параллельно накопительной емкости 18.Измеритель работает следующим образом.Измерительный мост 2 преобразуетизмеряемое давление в электрическоенапряжение постоянного тока, котороеусиливается дифференциальным усилителем 5. Выходное напряжение усилителя,пропорциональное мгновенному значению измеряемого давления, поступает на вход пикового детектора 7, При каждом нажатии на переключатель 14 осуществляется сдвиг хранящегося в кольцевом регистре 16 кода на один разряд, причем предварительно в этот регистр записывается единица. Таким образом, на одном из управляющих входов коммутатора 6 имеется сигнал логической...

Номер патента: 1434287

Опубликовано: 30.10.1988

Автор: Увакин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, настройки

...тензарезисторы, оединенные по мостовой схеме.На крьппке б в изоляционных втулках Зб 3 установлены выводы 14, которые сое. инены гибкими токоподводами 15 с ензорезисторами 11 и 12 и с регистирующей аппаратурой (не показана, бойма 16 и колпачок 17 .введены для центровки осей преобразователя 3 сч 11 ы и мембраны 2.При работе датчика измеряемое дав,ение воздействует на измерительную Мембрану 2, которая через упор 4 дай т Фтвует на преобразователь 3 силы, деФормирует упругие рамки 8 и 9 и вызывает уменьшение сопротивлений тензорезисторов, установленных то продольным осям рамок, и увеличение сопрот:.,т:. лений тензорезисторов установленных Но поперечным осям рамок, которое измеряется регистрирующей аппаратурой. Цельо способа настройки...

Номер патента: 1434288

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Кривов, Манченко, Ольховский, Шпанов

МПК: G01L 9/04

Метки: газа, давления, датчик

...на раэде 11 ительную мембрану 4. Далее через кремний ОР 3 ЯНАЧЕ( КУЮ )Кцп)Ь)С ) Ь Ц МЕРЯЕ), г)Е)О давление воздействует пя мембрянньи тецзопреобразанятель 1, чунстнцтельн 11 м элементам которого является пластина иэ монакристялли.:.:ескога сяп"- Фира с кремцценьюлц пленачцьпи те)тза= резисторами (структура ККС) нызывяя, - ее прогиб и измене)1 це сопра.цнленця тенэареэцстОООВ тецзапреабр,"завятеля 1 Злектра 1 ц 1 ь"и блок 13 преабряз;ет лццеццае изменение злектри:Еескагосакротинлецця тензарезистарав тецзопреобразователя 1 н токовый выходнойсигнал Х , Пви кантволе нуля в приемной камере 6 устанавливается давление измеряемой среды, рянцае атмосФерному, определяется перная точкаградуираночной характеристики и спомощью корректора 12...

Номер патента: 1434289

Опубликовано: 30.10.1988

Автор: Синченко

МПК: G01L 9/04, G01L 9/06, G01M 10/00 ...

Метки: гидродинамической, давления, корпусе, модели

...при исследовании гидродинамических моделей в опытовых бассейнах и на испытательных станциях.Целью изобретения является павы" шение точности измерения за счет уменьшения габаритных размеров диафрагмы.На чертеже схематично изображено устройство.На чертеже показана часть корпуса модели 1 с просверленным отверстием 2 диаметром 1,5-5 мм, определяющим рабочую поверхность диафрагмы 3Тенэореэистор 4 посредством капиллярной трубки 5 и связующего вещества б (например, цемент "Висфат", который, имеет высокую прочность, твердость ипочти не дает усадки) одним концом закреплен в отверстии корпуса, так, что его второй конец расположен заподлицо с поверхностью корпуса 1.Из-за малых размеров отверстия корпуса точно установить тензорезистор, ие...

Номер патента: 1435967

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, тензопреобразователь

...направлений семейства (110 7. Тензорезисто ры 2 одного знака чувствительности расположены на периферии мембраны в середине ее длинных сторон, а тензорезисторы 3 противоположного знака чувствительности расположены в цент ральной части мембраны, приэтом все они ориентированы вдоль длинных сторон мембраны. На всей площади мембраны 1 выполнено углубление 4 с образованием двух идентичных прямо угольных выступов 5, расположенных параллельно длинной стороне мембраны 1, Тензорезисторы 2 расположены по периферии мембраны 1 у длинной стороны, а тензорезисторы 3 расположены между выступами 5. Интегральный тенэопреобразовательработает следующим образом.При действии давления на мембрану с углублением 4 и выступами 5 последняя...

Номер патента: 1437698

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Белозубов, Зеленцов, Козин, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, температуры

...элемента,Тензосхема и термочувствительныйэлемент соединены с внешней схемойпосредством выводных проводников 7.Упругий элемент жестко заделан вдержатель 8. На той же поверхностинанесены пленка изолятора 9 и пленочный отражающий экран 1 О с отверстием11, открывающим термочувствительныйэлемент,Преобразователь работает следующим образом.При воздействии на упругий элемент 1 измеряемого давления Р ондеформируется, деформация передаетсятензорезисторам 2, которые изменяютсвое сопротивление. Термоэлемент 5расположен под углом 45 О к кристаллографическим осям 11 О, в соответствии с чем продольный и поперечныйпьезорезисторные эффекты в немуравновешиваются и его сопротивлениене изменяется от деформации,Воздействие измеряемой темпера"туры 1...

Номер патента: 1451566

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Кикнадзе, Лурье, Плещ, Стучебников, Хасиков, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...Р При изменении темпео оратуры в интервале от 2 К до 100 Кпроисходит уменьшение жесткости упругого элемента, что при заданной ве личине давления приводит к увеличению. деформации тенэорезисторов.Одновременно происходит соответствующее уменьшение коэффициента чувствительности, в результате чего ве личина выходного сигнала тензопреобразователя оказывается не зависящейот температуры.На фиг.2 показана температурнаязависимость относительного измене ния чувствительности тензопреобразователя давления, изображенногона Фиг.1, при питании тензосхемыот генератора постоянного напряжения (кривая 6), Кроме того, на 20 Фиг,2 показаны температурные зависимости относительного изменения чувствительности такого же тензопреобразователя давления в...

Номер патента: 1462128

Опубликовано: 28.02.1989

Авторы: Васильев, Зиновьев, Тихоненков, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...следующим образом.При подаче измеряемого давления 40ерез штуцер 3 на воспринимающуюМембрану 2 (фиг.1), последняя прогибается, тензорезисторы 4-7 испытываЮт радиальную деформацию, а тензорезисторы 8-11 - окружную, 45Вследствие этого, на выходе мостовой измерительной цепи появляетсясигнал, пропорциональный измеряемому давлению.50При работе в условиях действиятермоудара, в момент термоудара, температура по поверхности воспринимающей мембраны распределяется по функциональной зависимости, характер которой в общем виде представлен на фиг. 4. Температура по поверхности распределяется неравномерно по радиусу. Функция зависимости температуры от радиуса Г = Т(г) является нелинейной,За счет выполнения окружных тензорезисторов составными из двух...

Номер патента: 1464055

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Редькин, Саблин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...На диэлектрический слой 5 напыляется слой 6 кремния, он имеет поликристаллическую структуру. Корпус 8 вырезается, например, на ультразвуковых станках из кремния того же типа, что и мембрана. Торцевые поверхности корпуса 8 шлифуются и полируются до 14 класса и после этого соединяются электростатическим (анодным) методом со слоем 7. Стекло для слоя 7 выбирается с возможность близким по отношению кремния температурным коэффициентом линейного расширения (ТКЛР).После соединения слоя 7 стекла и корпуса 8 стекло шлифуется и полируется до толщины, равной толщине слоя 6 кремния. Обычно толщина должна составлять 1-2 мкм. Возможен и другой метод нанесения стеклянного слоя 7 путем напыления. Фланец 9 предназначен для установки сборки датчика в...

Номер патента: 1464056

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Гаджиев, Гасанов, Лещинский, Меджидова

МПК: G01L 9/04

Метки: деформации, измерителя, интегрального

...состоит из тенэорезистоРов моста К 1 Кподгойочных резисторов чувствительности К 5 - К 5и подгоночных .резисторов нулевогоразбаланса Кб, -Кб.Способ изготовления интегральногоизмерителя деформации заключаетсяв следующем.При создании резисторов в процес,се диффузии бора области с болеевысокими значениями поверхностныхсопротивлений рзф = рчас 5тично маскируют пленкой 8.0 требуемой толщины). Эффективкость ограничения скорости диффузии а следовательно, и возможность регулированияее глубины определяют в данном.случае толщиной пленки ЯЮ, а такжеусловиями получения самой окисхойпленки. После проведения стандартнойоперации. окисления кремниевых пластих для получения маскирующего окисла требуемой толщины. проводят вскрытие окон под. два...

Номер патента: 1471094

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...элементе в виде прямоугольной профилированной мембраны 9, плоскость которых совпадает с плоскостью (100), расположены в центре и на периферии мембраны в середине ее длинной стороны .так, что оси 8, проходящие от эмиттера к коллектору, у обоих тенэотранзисторов 1 и 2 параллельны, эта ось параллельна близлежащему краю мембраны и параллельна направлению (110).Преобразователь работает следующим образом.При воздействии на преобразователь измеряемого давления происходит ,деформация упругого элемента преобразователя, при этом в местах расположения тензотранзисторов 1 и 2+Гюо) Составит Полев ехред М.Дидык актор ека рректор М,Васильева Заказ 1601/45 Тираж 788 ПодписноеНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 1474486

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Васильев, Жучков, Тихоненков, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...ее 15центра установлены тензорезисторы4 и 5 прямолинейной формы, расположенные по радиусу мембраны 2, и тен"зореэисторы 6 и 7 в форме дуги, установленные с переменным радиусом относительно центра мембраны 2,Тензорезисторы 6 и 7, (К и Кимеющие форму дуги, расположены так,что концы этих тензорезисторов расположены на окружностях, радиусы которык равны расстояниям от центра мембраны 2 до концов радиально расположенных тензорезисторов 4 и 5 (К 1и К 4)еВсе тенэорезисторы собраны в мос" 30товую измерительную цепь,Датчик работает следующим образом.При подаче измеряемого давления через штуцер 3 на воспринимающуюмембрану 2 последняя прогибается, а тензорезисторы 4 - 7 испытывают деформации. Вследствие этого на выходе мостовой измерительной...

Номер патента: 1474487

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Ильясафова, Петросов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...вид; на фиг.2 - схема включения тензорезисторов. 10Датчик содержит цилиндрическийчувствительный элемент 1, у котороговнешняя поверхность цилиндра выполнена ступенчатой с образованием стенок разной толщины, штуцер 2 для присоединения к гидравлической системе,поршень 3 с уплотняющими кольцами икрышку 4, установленную на корпусе5 с помощью шпилек .6. Поршень снаб"жен штоком 7, связанным с приводом8 перемещения, а тензорезисторы 9установлены на ступенях чувствительного элемента 1. Тензорезистор 10 является компенсационным. Толщина стенок ступенчатого чувствительного элемента уменьшается в направлении отштуцера 2 к .крышке 4.Датчик работает следующим образом.Для обеспечения измерения давления на нижнем пределе Р, поршень...

Номер патента: 1478059

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Демкин, Землянский, Малышев, Уткин

МПК: G01L 9/04

Метки: грунта, давления

...получения возможности герметичного вывода электрических проводов от тензодатчиков 6 45и 11 мессдозы, крестовины 18 для сопряжения манометра 19, баллона 20,объем которого может уменьшаться длясоздания возможности плавной дозировки воздуха в случае необходимости, 50крана 21 и насосной системы 22 длягрубой подачи воздуха в мессдозу спрямым 23 и обратным 24 клапанами.Пневматическая измерительная системасодержит также тензоусилитрль 25 ииндикатор 26, регистрирующий с высокой точностью момент достижения равен.ства давлений со стороны грунта ивнутри мессдозы, устанавливающий До начала измерений мессдоза устанавливается на требуемой глубине в грунтовое основание с помощью известных способов, Затем магистральный трубопровод 16 соединяется с...

Номер патента: 1490513

Опубликовано: 30.06.1989

Автор: Нуриев

МПК: G01L 11/00, G01L 9/04

Метки: давления, кристаллов, льда, моделируемой, растущих, среде

...равновесие с переохлажденной тонкой прослойкой водыв зазоре эксперименты прекращают,а возникшее при этом боковое радиальное давление в цилиндре и есть искомое Кристаллизационное давление льда.Переход от относительных тангенциальных деформаций, т.е. от показанийтензорезисторов к соответствующим имдавлениям, осуществляют по тарировочной зависимости, полученной при калибровке идентичных цилиндров путем создания в них гидростатическогодавления. Составитель А,СоколовскийТехред А, Кравчук Корректор Л,Бескид Редактор А.Ревин Заказ 3744/47 Тираж 789 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул,...

Номер патента: 1490514

Опубликовано: 30.06.1989

Автор: Игнатьев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...кг/см, и вследствие адгезии жестко связывает между собой пластины 1 и крышки 4, то модуль упругости всего датчика давления также приобретает примерно такую же величину. 76,5-79,5 0,3-0,5,Редактор А.Ревин Заказ 3744/47 Тираж 789 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г,Ужгород, ул. Гагарина,11 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения нормальных составляющих давления в горячем асфальтобетоне при его уплотнении, а также5в различных сыпучих и грунтовых средах.Цель изобретения - повышение точности эа счет увеличения модуля упругости датчика давления,На чертеже...

Номер патента: 1490515

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Васильев, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...на датчик статических или медленно меняющихся температур, когда температура по длине стержневого упругого элемента распределяется равномерно, тензореэисторы 4 и 6 находятся практически в одинаковых температурных условиях, В этом случае падения напряжения на этих тензорезисторах равны: как без нагрузки (давления), так и при действии нагрузки, поскольку тензорезисторы 4 и 6 воспринимают одинаковую деформацию одного знака (они расположены перпендикулярно продольной оси стержневого упругого элемента). Таким образом, при статических или медленно меняющихся температурах, когда градиент температуры по длине стержневого упругого элемента равен нулю, с выхода усилителей 14 и 15 на сумматор 16 подается одинаковое напряжение. Сумматор 16...

Номер патента: 1493890

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Бондарь, Козеев

МПК: G01L 9/04

Метки: питания, полупроводникового, раздельными, тензопреобразователя, цепями

...меньшими 1-2 мкм, связано с большими трудностями, т.е, необходимо очень сложное и дорогостоящее оборудование для создания фотошаблонов и металлической разводки.Толщина диэлектрической подложки 1, например сапфировой, определяется толщиной исходной КНС пластины, изготавливаемой промышленностью, и составляет от 0,2 до 0,4 мм.Затем к токовым контактам 3,4 подключают источник 7 постоянного тока (фиг.4). Выходной сигнал, пропорциональный величине прикладываемой механической нагрузки, должен измеряться вольтметром 8 на выходных контактах 5,6.При пропускании тока через контакты 3,4 при нулевой механической на - груэке на выходных контактах 5,6 возникает начальный сигнал. Этот сигнал обусловлен либо не перпендикулярным расположением...

Номер патента: 1500883

Опубликовано: 15.08.1989

Автор: Увакин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...теплостойкой жидкостью через отверстия 13, которые заделаны заглушками. Преобразователь силы 2 30 выполнен в виде кольцевой упругой рамки с ребром жесткости 14, на наружной поверхности которой, покрытой слоем диэлектрика, напылены с равным шагом по окружности четыре тензорезистора, соединенные по мостовой схеме и с регистрирующей аппаратурой (на чертеже не показаны) выводами 15, изолированными от крышки 11 втулками 16 и герметиком 17.40При работе датчика измеряемое переменное давление воздействует на измерительную мембрану 3, которая через жесткий центр мембран 3, 4 и 5 и упор 1 О действует на преобраэова тель силы 2, деформирует упругую рамку преобразователя 2 и вызывает изменение сопротивлений тензорезисторов мостового...

Номер патента: 1500884

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Волков, Рыжаков, Цапулин

МПК: G01L 9/04

Метки: мембранный, чувствительный, элемент

...снабжен острой кромкой. Диаметр 20Э трубки 5 по вершинам острой кромки равен посадочному диаметру Пкремниевой мембраны.Алюминиевая пленка 2 обеспечиваетподачу потенциала на кремниевую мембрану 1 при осуществлении электроадгезионного соединения.Так как заострение торца металлической трубки в 10-100 раз повышаетконцентрацию электрического поля, 30то за счет интенсификации диффузионных процессов в зоне соединения,электроадгезионный шов приобретаетбольшую плотность, а следовательно,обеспечивается и большая надежностьсоединения, в том числе по герметичности,Размещение острой кромки трубки 5непосредственно по нормали к кремниевой мембране 1 (фиг. 1) обеспечивает эффективное распределение электростатического поля по обьему...

Номер патента: 1500885

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Конин, Савяк, Сашук

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, одноосного

...давления соответствовало. увеличению сопротивления пластины 1. Направление магнитного поля должно соответствовать отклонению носителей тока к грани с большой скоростью поверхностной рекомбинации (при этом сопротивление пластины 1 возрастает в магнитном поле). 5 4Способ измерения одноосного давления осуществляется следующим образом,Через полупроводниковую пластину 1 пропускают стабилизированный ток от источника 9Измеряемое давление действует в направлении электрического тока в пластине 1Благодаря тензоконцентрационному эффекту носители тока отклоняются к боковой грани 4 и рекомбинируют, что приводит к возрастанию сопротивления пластины 1 и повышению напряжеп электрического поля вдоль линий тока. При этом увеличивается скорость движения...

Номер патента: 1500886

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Богомолов, Гибельгаус

МПК: G01L 9/04

Метки: мессдоза

...в измерительном мосте разбалансустраняется с помощью регулируемыхсопротивлений, включенных в нерабочиеплечи моста,При нагружении крьппки мессдозы вцентре сосредоточенной силой Р либоэквивалентной ей равномерно распределенной нагрузкой изгибаются обечасти упругого основания, что вызывает дополнительный изгиб измерительных балочек, суммарная деформациякоторых складывается из деформацийлевой .и правой балочек, т,е.д + д. Разбаланс в измеритель- п ной сети, вызванной деформациями измерительных балочек, фиксируется регистрирующей аппаратурой,При внецентренном приложении силыР суммарная деформация 6 Ь = Ь - Ьравна разчости деформаций измерительных балочек, так как правая изгибается, а левая разгибается.В общем случае при нагружении .крышки...

Номер патента: 1508113

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Кокоринов, Литинский, Равич

МПК: G01L 7/08, G01L 9/04

Метки: давления

...10 Изобретение относится к измерительной технике, в частности к преобразователям давления тензометрического типа, широко применяемым для регистрации мгновенных изменений давления среды в цилиндрах и трубопроводах поршневых и центробежных машин.Целью изобретения является повышение точности измерений при знакопеременных процессах в поршневых машинах.40На чертеже схематически представлен преобразователь давления,Преобразователь содержит штуцер 1, выполненный за одно целое с основанием 2. В выточке основания 2 установлен жесткий 15 обод 3, переходящий в мембрану 4 с центрально расположенным трубчатым чувствительным элементом 5. На наружной цилиндрической стенке чувствительного элемента 5 наклеены тензорезисторы б, расположенные...

Номер патента: 1509647

Опубликовано: 23.09.1989

Автор: Черкашин

МПК: F16F 1/22, G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...гибкого проводника закрепленна плоской пружине 13, угол наклона 30которой устанавливается винтом 14,Потенциометр 15 с клеммами 16 и 17крепится на плате 18Подключениепотенциометра к источнику питания происходит через клеммы 16 и /, снятие 35выходного сигнала с клеммы 19Датчик работает следующим образом.В начальный момент времени при отсутствии деформации мембраны 1 пружины 3 и 4 параллельны одна другой, 40При воздействии измеряемого давленияили усилия мембрана 1, а вместе сней шток 2 перемещаются, Пружина 3,имеющая жесткую связь с дистанционнойпрокладкой 7, преобразует осевое усилие штока 2 на плече, равном толщинепрокладки 7, в изгибающий момент пружины 4, При этом перемычка 1 О перемещается вправо и деформирует гибкийпроводник...

Номер патента: 1515081

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Васильев, Осадчий, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...3)появляется сигнал, пропорциональныйизмеряемому давлению, Сигнал с мостовой измерительной цепи 15 усиливается усилителем 19. Сигналы с усилителей 18 и 19 складываются в сумматоре20, С выхода сумматора 20 сигнал подается на измерительный прибор 21.При работе датчика в условиях действия нестационарных температур илипри работе в условиях сильного теплового воздействия (когда температураизмеряемой среды значительно отличается от температуры окружающей среды),т.е. в случае наличия градиента температур по поверхности упругого элемента, н каждой мостовой измерительной цепи благодаря наличию терморезисторов 9 и 14 происходит компенсаття температурной погрешности. Неравномерность распределения температурыпо поверхностям А и Б стержневого...

Номер патента: 1515082

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Белозубов, Ескин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...л 1 ел 1 брацы и соединенных междусобой высоколегироваццыми перемычками,фиг. 1),Интегральный преобразователь давления работает следующим образом.Измеряемое давление воздействуетна мембрану со стороны, противоположной плацарной. В мембране возникаютнапряжения и деформации. Тензорезисторы воспринимают деформации и ихсопротивление меняется пропорционально измеряемому давлению. Причем, таккак сопротивление тензорезисторов К 1и К 3 увеличиваются, а тензорезисторовК 2 и К 4 уменьшаются с увеличением,давления, при этом тензорезисторы соединены в мостовую схему, то на выходесхемы формируется выходной сигнал,пропорциональный сумме измерений сопротивлений отдельных тензореэисторов.При изменении температуры окружающейсреды терморезистор...

Номер патента: 1520365

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Павлов, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...1-4. При этом тензочувствительная мостовая схема, сформированная на мембране из монокристаллического полупроводникового материала,используется одновременно в качестве45тензочувствительного, термочувствительного и нагревательного элемента,Выходной сигнал снимается с измерительной диагонали мостовой схемы 5и делится на напряжение с диагоналипитания этой схемы в блоке 11 деленияПри этом в зоне воздействия изменяющейся температуры измеряемой среды могут находиться только тензорезисторы измерительной мостовой схемы 5, а остальные элементы 6-11 мо - гут быть расположены в зоне умеренного изменения температуры.Благодаря совмещению функций термочувствительных и нагревательных элементов в тензорезисторах 1-4 уменьшается количество...

Номер патента: 1520366

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Маланьин, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...измерений за счет снижения нестабильности начального значения выходного тока и улучшение технологичности конструкции устройства.На чертеже представлено устройство.. Устройство для измерения давления содержит первый 1 и второй 2 операционные усилители, четыре тензореэис" тора, соединенные в мостовую схему 3, первый 4 и второй 5 резисторы, соединяющие выводы измерительной диагонали мостовой схемы 3 соответственно с инвертирукпцим и неинвертирующим лходами первого операционного усилителя 1, первый транзистор 6, второй транзистор 7, третий транзистор 8, первую выходную клемму 9, третий резистор 10, стабилитрон 11, четвертый резистор 12, вторую выходную клемму 13, четвертый транзистор 14, с пятого по восьмой резисторы 15-18, Клемма 9...

Номер патента: 1522056

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Гермогенов, Диамант, Криворотов, Отман, Позолотин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...датчика,Резистор выполнен из твердого раствора и-А 1 Са,ЯЬ с содержаниемА 18 Ь 0,35 х 0,45, легированного50теллуром до концентрации электронов105101 тсм з,Требованиями, предъявленными кдатчикам давления вообще, и к тензорезисторам, в частности, являютсявысокое значение коэффициента пьезочувствительности оК ЙК/Йр иГнизкое значение температурного коэффициента сопротивления Ы = Е йК/ЙТ, где К -удельное сопротивление резистора, Р - удельное сопротивление резистора; Р - давление; Т- темпера-. тура. Отношение этих двух характеристик определяет коэффициент качества Я = Ы. /Ы, Очевидным требованием к датчику давления является необходимость высокого значения Я.Расчет Ы, (х), Ы .(х) и ч(х) для различных составов твердого раствора ведется через...