G01L 9/04 — резисторных тензометров

Номер патента: 1760409

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Белозубов, Зиновьев, Любомиров, Чевтаева

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...окружных и радиальных тензорезисторов равно сумме изменений сопротивлений соответствующих идентичных тензоэлементов, а во-вторых, изменения сопротивлений соответствующих элементов равны между собой,увеличение сопротивления противоположно включенных окружных резисторов и уменьшение противополокно включенных радиальных резисторов преобразуется мостовой схемой в электрический сигнал, который поступает на выходные контакты датчика. При воздействии нестационарной температуры измеряемой среды (термоудара) вследствие различных термических сопротивлений сравнительно тонкой мембраны и массивного опорного основания на мембране возникает неравномерное поле температур. В связи с тем, что тенэоэлементы радиальных и окружных тензореэисторов имеют...

Номер патента: 1760410

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Белозубов, Зыков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...+1 ощ 1 п2 Н, сЬя дТНр- 1гр. ь +2 а игде Но - ширина перемычки, соединяющей окружные тензорезисторы;Нр - ширина перемычки, соединяющей радиальные тензореэисторы;опах.оеь - максимальная и минимальная длина перемычки, соединяющей окружные тензореэисторы;11 роах, 11 рап - МаКСИМаЛЬНая И МИНИ- мальная длина соединительных участков внешней перемычки, соединяющей радиальные тензорезисторы;12 рвзх, .2 ре 1 о - МаКСИМаЛЬНая И МИНИ- мальная длина соединительных уча.тков внутренней перемычки, соединяющей радиальные тензорезисторы;а - размер сторонь 1 тензорезистора, сопрягающейся с перемычкой.л= 3,14,На фиг, 1 изображен общий вид предлагаемого датчика давления; на фиг, 2 - фрагмент топологии окружных тензореэисторов;на фиг. 3 -...

Номер патента: 1760411

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Качкаев, Педоренко, Рожин, Саблин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...с полупроводниковой мембраной, объем Ч которого определяется из соотношенияЧ+(Рг 1 Ргг) Ьг) (1) где Р 1 - максимальный диаметр металлической мембраны;п 1 - допуск на неперпендикулярность торца основания;Рг - минимальный диаметр основания; пг - высота основания,При установке основания с полупроводниковой мембраной в датчик, при поджатии последней к металлической мембране, на поверхность полупроводниковой мембраны наносится тонкий слой герметика на основе полиорганического силоксана. при поджатии основания слой силоксана, растекаясь, заполняет микрополости между металлической и полупроводниковой мембраной и тем самым обеспечивает прилегание по всей поверхности полупроводниковой мембраны, Физические свойства полиорганического силоксана...

Номер патента: 1760412

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Заседателев, Куренков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, полупроводниковый

...точности преобразователя (в уменьшении его порога чувствительности),Для этого дополнительно к креплению опорного основания, по периферии корпуса, введена система жестких опор его фиг.1 б). Этими дополнительными опорами являются закрепленные в изоляционной плате корпуса жесткие токовводы, поддерживающие упругое опорное основание мембраны, При этом существенно снижается величина напряжения ощах благодаря чему уменьшается погрешность нечувствительности и порог чувствительности преобразователя,На фиг. 2 показано одно из конструктивных решений,Полупроводниковый преобразователь давления содержит кольцевую часть корпуса 1 с расположенным на ней чувствительным элементом в виде мембраны 2, выполненной из полупроводникового монокристаллического...

Номер патента: 1765729

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...и окружных тензорезисторов имеют одинаковые размеры вдоль радиусов мембраны, так как с одной стороны они ограничены дугами окружности, расположенной на опорном основании и равноудаленной от границы раздела мембраны и опорного основания, а с другой стороны, дугами размещенной на мембране окружности, равноудаленной от границы раздела мембраны и опорного основания, то, несмотря на нестационарный характер изменения температуры, на планарной стороне мембраны среднеинтегральная температура окружных и радиальных тензорезисторов, изменяясь со временем, будет одинакова в каждый кон кретный момент времен и. Одинаковая температура радиальных и окружных тензорезисторов в каждый конкретный момент времени вызывают одинаковые изменения сопротивлений...

Номер патента: 1765730

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Пономаренко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, тензопреобразователь

...к закреплению. Эпюра значений вэтом сечении может быть выражена с достаточной точностью параболой и поэтому нанекотором среднем участке (вблизи центральных линий) напряжения не изменяются20 (фиг.2 в, г, фиг,Зб),Расчет(см.фиг.2 а, б, в, г, фиг.За, б), показал, что напряжение в точках зоны защемления достигают значений такого жепорядка по величине, что и для ряда внут 25 ренних точек, т.е, точек в зоне центральныхлиний и которые имеют отрицательные значения противоположные внутренним. точкам,Таким образом, напряжения, как в про 30 дольном направлении пластины, так и в поперечном (например, вдоль центральныхлиний), изменяясь, проходят через нулевыезначения и принимают отрицательные значения на границе защемления, Поэтому,35 можно...

Номер патента: 1775625

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Кравченко, Морозовский, Семенюк, Хусаинов

МПК: G01L 9/04

Метки: манометр, тензорезисторный

...этом по оси симметрии призмы выполнено сквозное цилиндрическое отверстие, а по обе стороны от него в одной плоскости, параллельной основаниям, - два идентичных С-образных канала, первый конец каждого из которых сообщен с полостью подводящего штуцера, а второй - с полостью отдводящего штуцера, причем преобразователь перемещения в электрический сигнал выполнен в виде четырех тензодатчиков, каждый из которых установлен на поверхности цилиндрического отверстия в плоскости С-образных каналов напротив бокового ребра,На фиг. 1 и 2 представлена конструкция датчика,Упругий элемент 1 выполнен в виде плиты в форме четырехугольной проямой призмы и имеет сквозное цилиндрическое отверстие 2, выполненное по оси симметрии призмы. По обе стороны от...

Номер патента: 1777013

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Кириллов, Мошкова, Осетинский

МПК: G01L 9/04

Метки: бетонной, давления, смеси, стенку, формы, цилиндрической

...смеси на стенку цилиндрической формы измеряют внешний радиус г формы, толщину и ее стенки, на внешней поверхности формы с посто янным шагом по угловой координате а размещают а пар тензодатчиков, причем в каждой паре первый тензодатчик ориентируют по окружности, второй - по образующей цилиндра, а удаления тензодатчиков 10 от кольцевых и продольных ребер и торцов формы выбирают более (15 - 20)п, затем измеряют окружную е и продольную ех относительные деформации стенки, а среднее давление определяют по соот ношениям где Р 1 - (е + д ех,) соз ) а,г гп ( 1 - ,и )= о), - индексы суммирования.На фиг,1 показано размещение датчиков на оболочке формы, вид сбоку; на фиг,2 - то же, вид с торца.На оболочку цилиндрической формы 1 35 для отливки...

Номер патента: 1778569

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Кармеев, Раков, Тимошенко, Хашев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...выточка с10 15 20 25 гораздо меньше, чем момент сопротивления кольца жесткости, образованного в дне 30 35 55 40 45 бортом, в которой установлена колодочка 6 с жесткими токопроводами 7, изолированными стеклянными втулками 8. Колодочка приварена точечной лазерной сваркой, Нижние торцы токопроводов 7 с помощью микропроводов 9 термокомпрессионной сваркой присоединены к контактным площадкам планарной тензоструктуры тензомоста, Для предохранения мембраны 3 от перегрузочных давлений в основании 2 установлен регулируемый предохранительный упор 10. Датчик закрыт кожухом 11, который в нижней части приварен герметично к корпусу 1, а в верхней части - к корпусу герметичной электрической вилки 12, Внутренняя полость датчика вакуумирована,На фиг. 2...

Номер патента: 1778570

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Жмуйда, Кравченко, Морозовский, Семенюк, Хусаинов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, тензорезисторный

...перемычками с утоненной час- тью трубчатого чувствительного элемента, а тензорезисторы установлены на внешней поверхности кольцевых элементов, приэтом внутренние поверхности кольцевых элементов выполнены коническими и ориентированы в одну сторону,Конструкция датчика представлена на чертеже. 5Упругий элементдатчика, будучи цельным, включает в себя следующие условно- составные части: корпусную часть 1 с подводящим и отводящим штуцерами, центральную трубчатую часть 2 с кольцевыми 10 перемычками 3 и 4, соединяющими центральную часть 2 с кольцевыми элементами 5 и 6, на внешних цилиндрических поверхностях которых размещены тензорезисторы 7 - 10. От внешней среды рабочая зона 15 тензорезисторов защищена корпусом 11 и крышкой 12 и...

Номер патента: 1778571

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: G01L 1/22, G01L 9/04

Метки: воздействия, интегральный, механического, тензопреобразователь

...компонентам представляет из себя метал1178571 5 10 2025 30 35 40 .45 50 55 лизированные контактные площадки 7, расположенные внутри канавок массивной части кристалла преобразователя 8.На фиг. 2 изображена последовательность операций для изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей.Использовали полированные с двух сторон кремниевые пластины и-типа проводимости с ориентацией поверхности вплоскости Г 100).Выращивали термический окисел 1 толщиной 0,7 мкм при Т = 1200 С на двух сторонах пластины 2 в высокотемпературнойпечи марки СДО 125-4 А,Проводили фотолитографию для того,чтобы вскрыть окна 3 в двуокиси кремния вместе расположения внешних выводов.На установке УВПМ наносили слойплаэмохимического нитрида...

Номер патента: 1781572

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Егиазарян

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...представляет собой пластинку из моно- кристалла кремния с интегральной измерительной схемой на поверхности, а электронный блок - печатную плату из. полиимидной пленки или микросборку на ситалловой подложке с выполненными на них электрическими компонентами - резисторами, диодами, операционными усилителями и т.д. Мембранный модуль 4 закреплен к поверхности 1 ж и.1 з основания 1 с помощью связующего состава 8. Для компенсации температурных погрешностей измерения необходимо выбрать материалы основания 1 и связующего состава 8 с близкими температурными коэффициентами линейного расширения к аналогичному коэффициенту кремниевой мембраны. Электронный блок 5 может быть закреплен к основанию с помощью известных.способов закрепления. К основанию 1...

Номер патента: 1781573

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Кравченко, Морозовский, Семенюк, Хусаинов

МПК: G01L 1/22, G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...толщиной дистанционного ругий элемент:по наружной резьбе нэ: кольца 10 вэависимостиотвеличины номифлэнце у свободного торца колпачка сопря- нальногоизмеряемого давления, выбирается при помощи винтов 11, При этом В этой койструкции между тензорезипоршневая часть упругого элемента датчика сторамии упругим элементом нет промежуточных звеньев,:что является несомненнгым перемещается в осевом нэправлении в сторону опорной чэстй и тензорезисторы 7 и 8 преимуществом. Однакб, ввиду того, что испытывают:деформацию сжатия. При подаче давления во внутреннюю полость датповерхности упругого элемента, невозмож- чика, поршневэя часть упругого элемента но реалйзовэть мостовую схему с одинако- перемещается в противоположном направвыми...

Номер патента: 1783331

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Бабичев, Гузь, Жадько, Козловский, Романов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...диффузией 5 в пластине кремния 1 для определения р-типа с выращенным нэ ней эпитаксиальным слоем п-типов. На краях базовой области расположены высокопроводящие площадки 2. Их ориентация относительно кристаллографических осей такая же как и в предыдущем случае, В пределах заряда в пластине кремния с биполярной электропроводностью в условиях одноосной деформации. Перераспределение носителей заряда происходит в направленииперпендикулярном направлению протеканию тока.Схематично процесс возникновения этого эффекта показан на фиг.1, 2, Сечение поверхностей равной электропроводностиизображены на фиг.1, 2 пунктиром, и - механическое напряжение, Там же.показаны кристаллографические направления, вдолькоторых пропускается электрический ток и...

Номер патента: 1783332

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Зеленцов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...в форме прямоугольной ф ЛВ ной чувствительностью ( - О); Вг, В 4 -Вбалки, плоскость симметрии которой совпадает с плоскостью симметрии упругой мембраны, и тензорезисторы мостовой схемы, резистивные участки тензарезисторов Вг и тензарезисторы мостовой схемы размеще В 4 с отрицательной чувствительностью элемента 1 сформированы контактные площадки 7 и 8, а для снятия выходного сигнала - контактные площадки 9 и 10, Отношение ширины ребра жесткости к размеру стороны профилированной мембраны выбрано в диапазоне 0,18-0,22, Участки тензорезисторов расположены в особых точках профилированной мембраны 2 и ариентрованы с учетом требуемого знака тензочувствительности каждого из тензорезисторов. Положительный эффект; благодаря размещению...

Номер патента: 1784847

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...функций. Аналогичные явления будут наблюдаться при использовании соотношения для "определения координат тензорезисторов, равноудалецных от5 10 20 30 ао 50 оси абсцисс, для окружных тензорезисто.ров,Корпус и упругий элемент выполнены из сплава 70 НХБМО, На поверхности мембраны и опорного основания нанесен диэлектрик 10 о виде структуры А 20 з - Я 02 толщиной 3 мкм. Тензорезисторы выполнены из сплава П 65 ХС с поверхностным сопротивлением 110 Ом/квадрат, Низкоомные перемцчки выполнены о виде структуры Ч-й толщиной 1,5 мкм,: Датчик работает следующим образом, Давление измеряемой среды воздействует йа мембрану, Под воздействием измеряемого давления на мембрану в ней возникают радиальные и тангенциальные напряжения, которые приводят к...

Номер патента: 1789893

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Кравченко, Морозовский, Семенюк, Хусаинов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, тензорезисторный

...силы, обеспечивающего линейный выходной сигнал при нелинейности входного сигнала.Целью изобретения является повышение точности измерения и упрощение конструкции.Цель достигается тем, что в упругом элементе датчика, имеющем жесткий центр и выполненные с одной его стороны две концентрично расположенные кольцевые проточки, а с другой стороны третью кольцевую проточку, расположенную концентрично первым двум между ними, в жестком центре концентрично первым двум кольцевым проточкам выполнена четвертая кольцевая проточка, образующая в жестком центре центральный цилиндрический опорный эле 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 мент, контактирующий с упором, при этом тензорезисторы расположены соответственно на внешних боковых поверхностях жесткого...

Номер патента: 1793283

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Ворожбитов, Соснин, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...на разделительной мембране, снабжен колпачком с толщиной стенки 50 мкм, дно которого размещено на гибкой тепло- изоляционной прокладке, а его наружная поверхность выполнена хромированной, причем шток соединен с разделительной мембраной по свободной посадке.На чертеже представлена конструкция предлагаемого датчика давления,Датчик давления содержит корпус 1, измерительную мембрану 2 со штоком 3 и сформированными на ней тензорезисторами 4, разделительную мембрану 5, которая соединяется с измерительной мембраной со штоком по свободной посадке, колпачок 7 с толщиной стенки 50 мкм, дно которого Формула изобретения Датчик давления, содержащий корпус, установленные в нем разделительную и измерительную мембраны, соединенные по центру штоком, и...

Номер патента: 1793284

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Корсунский

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, манометр, сверхвысокого

...камерой. Зазор межторцовкаркаса,глубинакоторыхбольшеди- ду поверхностями полости корпуса аметров каналов, Внутренние каналы 2 фар манометра и каркаса-изолятора 0,3-0,5 мм,мируются с применением литья под Диаметр внутренней полости корпуса манодавлением керамического шликера с 8 метра 20 мм.пластификатора в разборные металличе- Электрическое сопротивление спирали ские формы, в которых установлены формо- датчика давления - 200 Ом. Пьезочувствивочные стержни с продольными пазами из 50 тельная спираль включена в стандартную оргстекла при термопластичного полимера электрическую схему, например, четырехметилметакрилата, остающиеся в отливке плечего моста, раскомпенсация которого после разборки литьевой формы. Темпера- из-за...

Номер патента: 1795313

Опубликовано: 15.02.1993

Автор: Кадыров

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...01 расположена у второго его конца, а меньшего 02 - со стороны лепестков, причем отношение:01 И 2 = 1,05,В качестве преобразователя 5 перемещения в электрический сигнал использован тензорезистор, наклеиваемый в зоне деформации на внутреннюю поверхность лепестков 2 и связанный с блоком индикации, в состав которого входит многоканальныйусилитель (не показаны). Для установки датчика в испытуемое тело 14 в нем изготавливают отверстие 15, Для фиксации в отверстии 15 датчика вращением через шлиц 16 стержня 9 (при зафиксированной с помощью ключа с шестигранным зевом гайкой 6), перемещают стержень 9 в осевом направлении, в ре 10 зультате чего он своей конической поверхностью 11 давит на выступы 4, что приводит к раздвижению лепестков 2 до их...

Номер патента: 1796927

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...иравномерно размещенных идентичныхю а пла"ар тензоэлементов, то изменение сопротивтангенциальных дефоРмацй. Под воздеи сторо буде Ра но с ме эмененийлений окружных и радиалъных тензорези- .ствиемиэмеряемогодавлениянацилиндри- сторо буде Ра но су ме эмененийсопротивлений соответствующих тензоэ есоединения мембрань 1 и опорного основаментов. Увеличение сопротивлений противоположно включенных окружныхниЯ эникает Зг баю и м УС тензорезисторов и уменьшен,е провопо.лие, направленное по радиусу мембраны. 55Воздействие изгибающего момена пРиво- и еоб аз ется мо тово с ойлиЕ "апРа" ое " е бРа55 ложно включенных радиальных Резисторовдиткпоявлениювмембранедополнитель- чес ийс гнаа о о ый ос ае авы оных напряжений, максимальная...

Номер патента: 1796928

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Кравченко, Морозовский, Павликова, Семенюк, Хусаинов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, тензорезисторный

...участками, Этот датчик является наиболее близким к изобретению. В указанном датчике снижены гистерезисные явления в зоне размещения тензорезисторов, Однако, недостатком известной конструкции является сложность геометрических форм мембран и нелинейность характеристики преобразования,Цель изобретения - упрощение конструкции датчика и уменьшение нелинейности его характеристики.Цель достигается тем, что упругий элемент датчика выполнен цельным в виде поФормула изобретения Тензорезисторныйдатчик давления, содержащий упругий эпемент, корпус, крышку и тенэорезисторы, установленные на упругом элементе, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения конструкции датчика и уменьшения нелинейности его характеристики, упругий элемент...

Номер патента: 1800298

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Воловский, Сохатюк

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...моста 3, аналогового коммутатора 4, дифференциального усилителя 5, аналого-цифрового преобразователя 6, микропроцессорного вычислительного устройства 7, постоянного запоминающего устройства 8, и цифрового индикатора 9. Источник питания включен в диагональ питания термочувствительного моста 2, состоящего из включенного в одно иэ плеч тензорезисторного моста 3, а также постоянных резисторов В 1, В 2, ВЗ и В 4, Измерительная диагональ тензорезисторного моста 3 подключена к каналам ЗА и ЗВ коммутатора 4, Измерительная диагональ термочувствительного моста 2 подключена к каналам 1 А и 1 В коммутатора 4. Дополнительный резистор В 2 соединен с каналами2 А и 2 В, причем каналы 1 А и 2 В соединенымежду собой. Выходы коммутатора 4 соединены с...

Номер патента: 1809338

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кравченко, Морозовский, Семенюк, Хусаинов

МПК: G01L 1/22, G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...8. В донной части корпуса расположено кольцо 9, поджатое к оболочке 2 гайкой 10 с заданным осевым усилием. Тензорезисторы 12 и 13 расположены соответственно на наружных поверхностях оболочек 1 и 2, 1 ил. бочая эона тензорезисторов герметизируется уплотнениями 14,Собирается и работает датчик следу- у) ющим образом. После размещейия тензорезисторов 12 и 13 на наружных цилиндрических поверхностях оболочек 1 и 2, упругий элемент датчика сопрягается с донной частью 4 корпуса посадочными поверхностями оболочки 1, Затем упругий эле-а мент деформируется осевой силой, путем (р поджатия его к донной части корпуса при помощи гайки 10, Величина осевой деформации, определяемая величиной номинального измеряемого давления, регулируется 1 ф...

Номер патента: 1812455

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Зеленцов, Ульянов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик, интегральный, полупроводниковый

...стороне мембраны 2, являющийся дополнительным концентратором механических напряжений, Каждый тензорезистор в мостовой измерительной схеме выполнен из двух резистивных участков с разнополярной чувствительностью, Пэры разнополярных тензорезисторов расположены продольно на ребрах жесткости 5, Так, тензорезисторы с отрицаЬВ тельной чувствительностью ( с 0 ), например В 1 и Вз, выполнены из резистивных участков В 1 и Вз соответственно, которые расположены вдоль осей симметрии Х и У перпендикулярно внешнему контуру 7 мембраны 2, А тензорезисторы с положительной чувствительноЬВстью ( ) О ), например В 2 и В 4 выполнены из резистивных участков В 2 и Ва соответственно, которые расположены1вдоль осей симметрии Х и У перпендикулярно...

Номер патента: 1814725

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Анибаев, Семенов, Сонин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...йв нвм твнзорвзисторами, мому давлению, которое регистрируется изэвездочка выпьлнвна трехлучевой, центр. мерительной схемой (не показано).которой Соединен с рабочейтарелкой, а кон- Для данной конструкции датчика харакцы вв лучей жестко прикреплены к корпусу- терна линейная зависимость между едини. тарелке, Лучи эввздочки выполнены в виде,16 цей относительной деформации отбалок равного сопротивления. Датчик дав- - изменения давления на рабочую тарелку 3,.,ления может быть снабжен выступом для: что изображено на графике тарировки" размещания компенсационных тензорези- (Фиг.З.сторьв; выполненным как одно целое со Предлагаемая конструкция датчика, позвездочкой и располбжвнным в плоскости 20 сравнению с прототипом, обеспечивает...

Номер патента: 1818556

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Белозубов, Белозубова, Маланьин, Пащенко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...тем, что сопротивления элементов тензорезисторов распределены по радиусу мембраны таким образом, что максимумы сопротивлений находятся на границе раздела мембраны и опорного основания, изменения сопротивлений элементов тензорезисторов будут больше, чем если бы распределение величины сопротивлений было равномерным, Это связано с тем, что при выбранной топологии основную роль в изменении сопротивлений играют радиальные деформации, как существенно превалирующие по величине надтангенциальными, При воздействии неста 5 ционарной температуры измеряемой средытермоудара) вследствие различных термических сопротивлений сравнительно тонкоймембраны и массивного опорного основания на мембране возникает неравномерное"0 полетемператур. В связис тем, что...

Номер патента: 1818557

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Агабабян, Пушик, Сабурин, Сердюков, Собакин, Сороколетов, Толмачева

МПК: G01L 9/04

Метки: материал, тензорезисторов, тонкопленочных

...с температурной компенсацией тена одатчика.Получение тонкопленочных тензорезисторов на основе многокомпонентного материала, как правило, осуществляетсяионно-плазменным распылением составных мишеней, приготовленных из отдельных чистых компонентов в определенноййропорции по площади с учетом их коэффициентов распыления,Для получения материала из сплава вышеупомянутого состава была приготовленасоставная мишень, выполненная следующим образом.На поверхность столика. мишени диаметром 124 мм укладывается диск германия диаметром 125 - 130 мм и толщиной 5-10мм, а на поверхности германия располагаются пластины кремния с суммарной площадь 64 - 680 от площади пластиныгермания и 60 - 72 диска из алюминия диаметром 5 мм с суммарной площадью 2-6...

Номер патента: 1820248

Опубликовано: 07.06.1993

Автор: Корсунский

МПК: G01L 9/04, G01L 9/08

Метки: давления, манометр, сверхвысокого

...в цилиндрической внутренней полости камеры высокого давлениякорпуса манометра, соединенного с операционной камерой системы высокого давления, зазор между поверхностями полостикорпуса манометра и каркаса-иэолятора -порядка 0,3-0,4 мм. Диаметр внутреннейполости термостатируемого корпуса манометра был порядка 20 мм, при увеличениидиаметра полости корпуса трубчатый каркас-изолятор может.быть без отмеченногопаза между спиралсеидным каналом и внутренней цилиндрической полостью, Сопротивление спирали пьезоэлектрическогодатчика порядка 200 Ом,Пьезочувствительная спираль включенав стандартную электрическую схему, например, четырехплечего моста, раскомпенсация которого при изменении сопротивленияотмеченной спирали датчика давления...

Номер патента: 1828999

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Гальперин, Дороган, Пугин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...над штуцерам 6. На.внутренней поверхности основания карпуса 1 выполнен канал 7, соединяющий каналштуцера 6 с кольцевой канавкой 8, выполненной на внутренней поверхности основания корпуса 1. соосно со штуцером 6 вокругстеклянного опорного элемента 3,Датчик работает следующим образом,Среда с измеряемым давлением поступает через канал штуцера 6, канавку 8 вполость корпуса 1, Изменение давления вполости корпуса 1 вызывает деформацию 30колпачковой мембраны 5, Резистивная схема мембраны преобразовывает деформацию мембраны в электрический сигнал,который через плату построечных резисторов 2 подается на выводы корпуса 1. По 35величине электрического сигнала судят означении измеряемого давления.Прямому воздействию ударной волнына колпачковую...