165629

Номер патента: 1225273

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Гусев, Елисеев, Калинкин, Щеголев

МПК: C23C 14/32

Метки: напылением, плазменным, пленок, тонких

1. Способ получения тонких пленок плазменным напылением, включающий зажигание дугового разряда в атмосфере инертного газа между анодом и термокатодом, формирование контрагированной плазменной струи, введение в нее наносимого материала и конденсацию его паров на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения их электрофизических свойств и повышения производительности процесса, наносимый материал вводят в плазменную струю в виде порошка с размером частиц 30 - 45 мкм со скоростью 8 - 10 г/мин при скорости истечения плазменной струи 8 - 9 м/с, давлении инертного газа 5,3 - 8,0 Па и потенциале на аноде 300 - 400 В, затем плазменную струю подвергают...

Номер патента: 1124258

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Гусев, Еремин, Лабунов, Маев, Радионов, Сокол, Чмель

МПК: G05B 23/02

Метки: напылении, осаждения, пленок, скоростью, толщиной, тонких

...- функциональная схема анализатора сбоев, нафиг. 3-5 - временные диаграммы работы устройства при исправном кварцевом датчике и отсутствии сбоев по цепи последнего, при сбоях его поиз счетчика 4 в счетчик 6 и установт ку счетчика 4 в нулевое состояние. Триггер 8 служит для блокировки входных ключей 3 и 5 на время перезаписи информации. Формирователь 11 временных интервалов времени обеспечивает синхронизацию всего устройства и вырабатывает импульсы переноса (выход 1) и импульсы предварительной установки (выход 2), Входы 1 и 2 ключа 13 являются управляющими, а вход 3 - информационным. Задатчик 14 скорости осаждения (напыления) и ее допуска служит для задания требуемой скорости осаждения и ее допуска и представления этой инФормации в...

Номер патента: 324594

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гончаров, Пискл, Полул, Раздовский, Харьковский

МПК: G01R 33/18

Метки: магнитных, магнитострикционных, пленок, свойств, тонких, цилиндрических

...магнитных 5 пленок заключается в следующем. Испытуемый участок пленки включают в контур 1.С-генератора последовательно с индуктивностью цлц емкостью контура. Ток контура 1.С-генератора, протекая по подложке 10 пленки, создает пробное высокочастотное поле, направленное вдоль осц легкого намагг;1- чцвянця илекц, т. с. По ок 1 ужностг 001)азц.Включенный таким образом участок пленки будет являться шгдуктцвностью, представляю щей часть индуктцвности контура генератора.Величина цндуктивности исследуемого участка образца пленки пропорциональна дцффсре 1- циальной магнитной восприимчивости пленки.При измерении подмагничивающего поля 20 вдоль осц трудного намагничивания пл икц будет изменяться величина дифферецциальцой восприимчивости...

Номер патента: 590597

Опубликовано: 30.01.1978

Авторы: Барзилович, Капличный, Короткоручко, Костроменко, Пластюк, Чемерис, Яременко

МПК: G01B 11/06

Метки: напыления, пленки, процессе, толщины

...стороны рабочей подложки, индикаторный блок 5 и испаритель (на чертеже не показан).590597 Формула изобретения в вг Составитель О. СтрогановТехред И. Карандашова Корректор Л. Денискина Редактор О, Юркова Подписное Заказ 3182/6 Изд. Хв 159 Тираж 907 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 475Типография, пр, Сапунова, 2 Между рабочей подложкой и светочувствительным элементом 4 размещен блок подавления световых лучей от испарителя, выполненный в виде полостей 6 с центральными отверстиями 7, уменьшающимися в направлении светочувствительного элемента так, чторазность диаметров предыдущего отверстия нпоследующего Й - .Оотносится к суммедиаметров предыдущего...

Номер патента: 359509

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Высочин, Концур

МПК: G01B 11/06

Метки: напыления, пленки, процессе, толщины

...4 на небольшой участок контрольной подложки 3, которая может при подаче определенной команды сдвигаться на величину, 15 достаточную для того, чтобы расположитьпод отверстием неподвижной диафрагмы часть контрольной подложки, а напыленную сдвинуть в защищенное от напыления место.Источник света расположен так, что свето вой поток, проходя через отверстие и черезконтрольную подложку, попадает на фотоприемник. Амплитудный дискреминатор с регулируемым порогом срабатывания, реагирующим на амплитуду сигнала, равную амплитуде пер ного интерференционного максимума, установлен за фотоприемником. При постоянной длине волны излучателя света н определенной толщине пленки амплитуда первого максимума всегда будет равна Х/4. При достижении 30 этой...