180701

Номер патента: 1469444

Опубликовано: 30.03.1989

Автор: Гутлянский

МПК: G01N 29/04

Метки: диэлектрическую, металлических, нанесенных, пленок, подложку, ультразвукового

...перпендикулярно контролируемой пленке фиксируют поперечные колебания подложки, При наложении магнитного поля параллельно контролируемой пленке Фиксируют продольные колебания подложки. При наложении поля под острым углом к пленке Фиксируют продольные или поперечные колебания.Для определения площади р отслоенного участка, в случае если его площадь меньше площади Ы пятна магнитно го поля, измеряют амплитуды Аз и А колебаний для неотслоенного и отслоенного участков соответственно и определяют по Формулеа рА55А 1Устройство, реализующее способ контроля, работает следующим образом. Акустические колебания в подложке 17 возбуждаются силами Лоренца, которые возникают при прохождении переменного электрического тока, генерируемого генератором...

Номер патента: 555278

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Александров, Голованова, Кацнельсон

МПК: G01B 11/06

Метки: вакууме, испарением, нанесения, оптического, пленок, покрытия, процессе, толщин

...ПЛОСКОСТЬ Г;ЦВНОГО СЕг 1 ЕНИЯРЕШСтКН; ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЯЯ К СЕ 1 г 1 т 12 нкам, ОРИЕ 1 П 1.рована под углом 40 50 к падающему световомуПуЧКу ЛуЧЕй, ВХОдНОй ЛЮК ОГрапнг 1 ЕН КраяМИ Иэаб.раженвятела какалаисточника света, а вь 1 ходнойЛЮК ВЬгПОЛНЕН В ВИДЕ ДнафРаГМЫ СРаЗМЕРамн, НЕПрЕВЫШаЮщИМИ ВЕЛНгл 1 НЬ 1 уКаза ЕНОГО ИЗОбражЕНИяв мопохроматическом свете,На чертеже дана схема предлагаемого устройства.Оло содержит источник света 1 (источниксплошного спектра), формирующую оптику,СОСЬящу 1 О из объективов 2,3 и 4, вакуумноплотных фотометрических окон 5 и 6 и фильтра 7, Входе луча внутри формирующей оптики установпе.на диффакционная решетка 8. Плоскость главногосечения решетки, перпендикулярная к ее штрихам,на которых происходит дифракция,...

Номер патента: 1758085

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Горин, Дегтева, Корницкий, Кыласов

МПК: C23C 14/35

Метки: вакуумного, диэлектрической, напыления, пленки, тонкой

...поглощения пленки диэлектрика от содержания азота в смеси аргон-азот. Зависимость, имеет явный минимум соответствующий 60% азота (40% Аг). Резкое повышение коэффициента поглощения с уменьшением содержания азота (с повышением содержания аргона), по-видимому, связано с появлением в пленке нестехиометрического кремния. При содержании азота более 60% коэффициент поглощения также возрастает, хотя и не так резко, что, по-видимому, связано с избытком азота в пленке. Таким образом, оптимальное соотношение аргон-реактивный газ 40%:60%.На фиг,2 показана зависимость коэффициента поглощения от содержания в смеси 40% Аг-(60-х)% М 2-х %02 кислорода. При содержании кислорода менее 6% коэффициент поглощения начинает резко возрастать, при...

Номер патента: 1024703

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Сорока, Юрин

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрической, пленки, подложке, показателя, преломления, толщины

...поляризованным.излучением под углом к поверхности, измеряют интенсивность отраженного излучения, определяют коэффициент отражения, по которому вычисляют значения угла Брюстера, и определяют толщину и показатель преломления пленки, помещают пленку виммерсионную .жидкость, освещение 15 производят излучением, поляризованным перпендикулярно к плоскости па, дения излучения, а затем компланарно плоскости падения излучения, угол Брюстера вычисляют для двух 20;случаев поляризации по минимальному значение коэффициента отражения, а толщину и показатель преломления пленки определяют по известным за- ВИСИМОСТЯМСпособ осуществляется следующим образом,При изменениях угла падения излучения от 0 до 90 е коэффициент отражения света от пленки с подлож...

Номер патента: 1640666

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Гайдялис, Ивашкене, Лауринавичюс, Скаржинскас

МПК: G03G 21/00, G11B 3/58

Метки: диэлектрической, обеспыливания, пленки, поверхности

...что обусловливает резкое увеличение отталкивания между частицами пыли и поверхностью пленки. Одновременно производится обдув поверхности пленки воздушной струей и отсос загрязненного, Затем обрабатываемая пленка передвигается над заземленным металлизированным валиком, где потенциал уменьшается до прежней величины. При дальнейшем передвижении над воздушным промежутком скачок потенциала повторяется, что способствует разделению пылинок от поверхности пленки, которые не были удалень 1 при первом резком увеличении потенциала. Таким обра-, зом, скачки потенциала поверхности и частиц пыли повторяются несколько раз. По окончании обработки пленки воздушной струей она поступает в зону электрической нейтрализации, где блок 6 нейтрализации...