162740

Номер патента: 1705425

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Зелимханов, Марасина, Пичугин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/40

Метки: галлия, нитрида, слоев, эпитаксиальных

...в заданном градиенте температуры, наложенном нормально к поверхности расплава. Время эпитаксиального осаждения составляет 3 ч и в течение этого времени поддерживают постоянный градиент температуры, равный 2 ОС/см. После эксперимента подложки и раствор-расплав разобщают, подложки со слоем очищают от остатков металлов в горячей царской водке и промывают в дистиллированной воде.Морфологию поверхности слоев исследуют в оптическом и растровом электронном микроскопах при различных увеличениях. Структурные характеристики исследуют электронографическим и рентгендифрактометрическим методами. Толщину слоев и однородность слоев по толщине измеряют интерференционным микроскопом МИИ.Выращенные эпитаксиальные слои нитрида галлия были...

Номер патента: 1136501

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального

Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.

Номер патента: 189811

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Вулих, Кутолин, Сереева

МПК: C01B 21/06

Метки: галлия, нитрида

...требуется либо предварительный синтез соединений галлия, либо многократное измельчение промежуточных продуктов. Расход аммиака в сотни раз превышает теоретически необходимое количество. Выход продукта недостаточный,Для повышения выхода продукта, а также улучшения его качества предлагается исходный галлий смешивать с хлоридом аммония и процесс вести под давлением аммиака в присутствии хлор ида металла, способного к восстановлению водородом в условиях синтеза, например хлорида серебра илц меди, по уравнению26 а+8 КНз+ЗСцС 1, = 2 Са М+ЗСц+6 МН,С 1.Исходные вещества (смесь галлия с хлоридом аммония и хлорид меди) загружают в разные сосуды или в один сосуд с перегородкой и помещают в реакционный аппарат. Аппарат продувают аммиак аммиака...

Номер патента: 683505

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Грайфер, Кравченко, Кузнецов

МПК: C01B 21/06

Метки: галлия, нитрида

...взятого в весовом соотношении к металлическому галлию, равном 1:10-1:5, при 380 420 С.П р и м е р 1. Смесь 10 г галлия и 1 г гидрида лития в кварцевой ло-,дочке помещают в трубчатый проточный реактор и нагревают до 420 С, пропуская при этом аммиак. Через 2 ч реактор охлаждают, лодочку с веществом извлекают, содержимое обрабатывают концентрированной соляной кислотой, а затем спиртом. Осадок высушивают при 100 оС.Данные по основному составу и примесям сведены в таблицу.683505 Составитель Р. ГерасимовТехред М,Петко КорРектор И. Муска Редактор Т, Колодцева ш аею ш жТираж 565, Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 1 3035 р Москва у Ж 35 р Раушская наб р д 4/5Заказ 10260/52 филиал ППП, Патент г,...

Номер патента: 1574118

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин, Шарипов

МПК: H01L 21/324

Метки: остаточной, полупроводниковых, примеси, слоев

...силового поля деформации, но неокисла обычно составляет несколько позволяет получить достаточную скосотен ионослоев (200-300). Рость диффузии, позтоиу эффект очист В р и и, е р. способ бцп .опробован кк - минимальный и даже после 24 чв лабораторны условиях. предприятия- вьдержки увеличение интенсивности :.заявителя для очистки от цинка эпи Фотолюминесценции незначительно.тасвальных слоев и-Еп з Сазт,Ав со Увеличение температуры прогрева,стекекь 3 в компенсации цйнка а, следовательно, и скорости диффуэииь ускоряет процесс очистки и приЮ /Я0,5,. . . 450 С достаточно. полная, очистка достигается йрнмерно за 20 иин.. ГдеМ - концентрация акцепториой Подобнце закономерности наблюдапримеси; ются .и в процессе очистки других.мно Н -...