Гаг

Номер патента: 320835

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Болгарина, Вибли, Гаг

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный, тонкопленочный

...- в 1 10 в /С, что недостаточно д высокостабильных и прецизионных резис ров.Целью изобретения является получение резисторов с низким значением ТКС при расширении диапазона сопротивлений в низкоомную 15 и высокоомную область. Для достижения этой цели в состав резистивного материала введена смесь окислов висмута, железа, алюминия, титана, хрома, тантала и ниобия. При этом тонкопленочный резнстивный материал может 20 содержать исходные компоненты в следующих количественных соотношениях, в вес, %:Окислы олова 85 - 98,5, титана,железа0 - 150 30 стивный материал поллоокисные пленки для резисторов с величиной ТКС, изменяющейся в интервале -1-100 10 - /С, и величиной удельного поверхностного сопротивления от 0,5 Ола до 1 ком/кв при этом...

Номер патента: 181101

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Власов, Гаг, Мирсков, Шостаковский

МПК: C07F 7/22

Метки: ацетиленовых, оловоорганических, сложных, эфиров

...настоящее времяможно применять в качестве стабилизаторовгалоидсодержащих пластмасс, фунгнцидов ит, д,Предложен способ получения оловооргческих ацетиленовых сложных эфиров тКзЯпС: СКОСОК", где К= С,Н СК = - СН - , - СНз - СН, - , - СН(СН,) -- С(СНз), - ; К"=СН; СоНо, заключающив расщеплении оловоорганических ацетилвых эфиров типа Кзк 1 пОКС: Ск 1 пКз при помоши галоидангидридов кислот.Процесс ведут в присутствии растворителей,как например бензол, толуол, эфир,П р и м е р, В перегонную колоу помещают16,33 г (0,034 г лоло) (С Н,.-,)зЯпОСНзСНзС:: СЯп(С,Н;)з; т. кип. 134 - 135 С (1 лслсрт, ст,), п 1,5036; с 1о 1,3412), охлажденногодо 0 С и затем при перемешиванин и охлаждении раствор 5,34 г (0,068 г лсогь) хлористого ацетила в 5 лсл...