Патенты с меткой «тонкопленочный»

Номер патента: 898524

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Галунов, Гальперин, Голосов, Климкович, Мучак, Храмцов

МПК: H01G 4/00

Метки: конденсатор, тонкопленочный

...1 выполнена выемка 5, например50 х 50 мкм, с глубиной по высоте канавокдо нижней обкладки 3, По краю выемки 5размещен дополнительный слой диэлектрика 6,например из фоторезиста. Дополнительный слойдиэлектрика 6 отделяет контактную площадку 7, которая образована меньшей частью верхнего проводящего слоя от большей части проводящего слоя, которая служит верхней обкладкой 8 конденсатора, перекрывающей всюплощадь канавок в подложке, Помимо этогодополнительный слой диэлектрика 6 служитдля защиты порошкообразного диэлектрического слоя 4 от внешней среды. Расстояниемежду контактной площадкой 7 и верхнейобкладкой 8 должно быть не менее чем на2 мкм ширины дополнительного слоя диэлектрика 6,При изготовлении тонкопленочного конден.сатора в подложке...

Номер патента: 946578

Опубликовано: 30.07.1982

Автор: Кочубей

МПК: B01D 11/00

Метки: аппарат, роторный, тонкопленочный

...1 размещен также ротоРвыполненный в виде вала 7, проходящего через камеру-сепаратор 3. К валу 7 с помощью кронштейнов 8 присоеЗ 0 динены вертикальные штанги 9, на ко"торы установлены шарнирно соединенные между собой и расположенные подуглом подпружиненные лопатки 10.Штанги 9 опираются на шарики 11 опорной плиты 12, разделяющей корпус 1и камеру-сборник 4. Опорная плита 12имеет отверстия для прохода жидкостии пара.В камере-сепараторе 3 на валу 7установлен распределитель 13 жидкости, выполненный в виде стакана,сообщающегося со штуцером 14 подачи исходной жидкости. В стакане закреплены трубки 15, направленные наповерхности испарения. Сечение трубок 15 пропорционально соответственным площадям поверхностей испарения, на которые они...

Номер патента: 948390

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Витер, Марченко, Тютюнников

МПК: B01D 1/22

Метки: аппарат, выпарной, тонкопленочный, центробежный

...выпарной аппарат,продольный разрез,Аппарат содержит корпус 1 и размещенныйв нем ротор 2, укрепленный на полом валу3, содержащий теплообменные элементы 4,внутренняя полость которых соединена каналами 5 с внутренней полостью вала 3. Про.странство между соседними теплообменнымиэлементами 4 соединены каналами б с кольцевым каналом, расположенным на сборномконусе 7, Внутрь ротора 2 введена труба 8для вывода конденсата, Наружная боковаяповерхность ротора снабжена рядом кольцевыхребер 9. Корпус 1 снабжен коллектором 10для подачи исходного раствора на каждыйтеплообменный элемент 4, заборной трубой11 для отвода концентрата, трубой 12 дляподачи охлаждающей жидкости на верхнееребро 9 ротора 2 и штуцером 13 для вы.вода охлаждающей жидкости и...

Номер патента: 963123

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Абдул-Заде, Агаев, Алекперова, Ахмед-Заде, Ахмедов

МПК: H01L 45/00

Метки: переключательный, тонкопленочный, элемент

...Ж 35, Раушская Подписноета СССРтийнаб., д. 4/5 аказ ППП "Патент", г. Ужгород ул, Проектн или 3 9631напыления необходима термобработка втечение 1,5 2,0 ч при 240-270 С 2,Недостатками известного устройстваявляются наличие гистерезиса в вольтамперной характеристике (ВАХ), вызванныйбольшой емкостью структуры, кроме тогоактивная область двухслойна, а также необходимость в золотых электродах и термообработке.Бель изобретения - упрощение конструкции трехс табильного переюпочателя,обладающего безгистерезис ной симметрией.Указанная цель достигается тем чтообласть полупроводника выполнена на ос- ииове полукристаллического сплава АВСоВ в соотношении (30 40)Я 5 и (7060)% СоЬ с концентрацией носителей(10-10") см .На чертеже представлена...

Номер патента: 1064322

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Арешкин, Афанасьев, Жданов, Шостко

МПК: H01C 7/00

Метки: резистор, тонкопленочный

...поверхностное сопротивление двухслЬйнойсистемы при 20 оС должно быть равно 10удельному поверхностному сопротивлению системы при 120 С, т.е. с изменением температуры на ЭТ100 фС,удельное поверхностное со.ротивление двухслойной системы не должно 15изменяться.СледовательноЙ,Йз Ж Англ Эг)31 ,С:в вдйЗВИИз О) можно получить20фа й,й,- в+ Я + - 2:0ак,ая,Щ25Прежде чем провести дальнейаеепреобразование уравнения (2), рассмотрим, что собой представляетТКС каждогО из слоев. Значение ТКС.обозначим через Ф ., преобразования. будем вести с модулями я , что"бы ие учитывать знаки ТКС. По оп.ределению ТКС первого, слоя равен(3 где коэффициент1 л 1-лК=лс +Л 35Правильность формулы СЗ) прове-.ряют экспериментальным путем. Получено значение...

Номер патента: 1091232

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Бушланов, Евдокимов

МПК: H01C 7/00

Метки: подстраиваемый, резистор, тонкопленочный

...нестабильности номинала резистора вследствие погрешности, возникающей при саморазогреве резистивного элемента.Наиболее близким к изобретению техническим решением является тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом и контактными площадками 2.Недостаток известного тонкопле 25 ночного подстраиваемого резистора заключается в нестабильности номинала резистора, так как невозможна подстройка после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. ЗОЦель изобретения - повышение стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. 35Поставленная цель достигается тем, ч,о тонкопленочный...

Номер патента: 1269798

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Константинов, Крыгин, Шляпников, Эйдельман

МПК: B01D 1/22, C11B 9/02

Метки: аппарат, дистилляции, мисцелл, окончательной, тонкопленочный, эфиромасличных

...мисцеллы черезприспособление 4 поступает на верх-.нюю торцовую стенку цилиндра 8 ротора, разбрызгивается на греющую по;верхность корпуса 1 и стекает поней в виде пленки. Газ поступает ваппарат через приспособление 3 и засасывается вращающейся на валу крыльчаткой вентилятора О через окно 12в нижнюю часть цилиндра 8. Здесь онразгоняется лопастями и через перфорацию в стенке цилиндра 8 в видеструй выбрасывается на стекающуюпленку. При этом в точках взаимодействия тангенциально поступающихструй газа с мисцеллой происходитинтенсивная турбулиэация последней.Часть газа возвращается вниз и сновазасасывается в ротор, а остальной гаэпротивотоком мисцелле движется вверхи в виде парогазовой смеси выводитсячерез приспособление 5....

Номер патента: 1406553

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Авруцкий, Свахин, Сычугов

МПК: G02B 6/10

Метки: ввода-вывода, волновод, излучения, тонкопленочный

...207 излучения.Устройство ввода-вывода излученияв тонкопленочный волновод работаетследующим образом,Излучение источника (гелий-неоновый лазер) дифрагируя на гофрах 4,5(показаны на чертеже слева), возбуждает в волноводном слое 2 одну вол новодную моду, которая, распространяясь по волноводу, испытывает дифрак Оцию на обеих дифракционных решетках;(гофрах) 4,5. Соотношение амплитудгофров 4,5 и их относительный сдвигтаковы, что интенсивность волн, излучающихся в подложку 1 и обусловлен ных каждой решеткой 4,5 в отдельнос-.ти, одинаковы, а их фазы отличаютсяна 180 . Когерентное сложение этихволн приводит к интерференциальномугашению излучения в подложку 1,т.е. 40к однонаправленному выводу (вводу)излучения со стороны прилегающей среды 3....

Номер патента: 1468556

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Андреевская, Анохин, Витер, Марченко

МПК: B01D 1/22

Метки: испаритель, роторный, тонкопленочный

...является снижение энергозатрат за счет уменьшения пускового махового момента ротора.На фиг. 1 изображен описываемый испаритель, продольный разрез; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1. 10Испаритель содержит цилиндрический вертикальный корпус 1, обогреваемый при помощи рубашки 2. Корпус имеет штуцер 3 для подачи концентрируемой жидкости, штуцер 4 для отвода вторичного пара, штуцер 5 для отвода концентрата, штуцер 6 для подачи теплоносителя и штуцер 7 для отвода теплоносителя, Внутри корпуса помещен ротор 8 с дисками 9, на которых закреплены скребки 10, соединенные с ротором при помощи шарниров 11, ось которых наклонена 20 к горизонту. Ротор 8 приводится во вращение при помощи привода 12.Испаритель работает следующим образом.При...

Номер патента: 1526715

Опубликовано: 07.12.1989

Авторы: Анохин, Витер, Воронов, Миркин, Слачинский, Сумников, Тютюнников

МПК: B01D 1/22

Метки: испаритель, роторный, тонкопленочный

...на П-обр,- ном каркасе, и перераспределяется на нагревасмой поверхности в виде слоя пленки, что способству т лучшей его работе.з. и ф-лы, 2 ил разного каркаса 11, в котором закреплено сетчатое полотно 12. Кромки лопаток, кон. тактируюгцие с корпусом 1, снабжены наплавками3. Лопатки установлены по оси ротора 7 с помогцыо ушек 14.Испаритель работает следх юшим образом.Продукт подается в штуцер 3, расположенный в верхней части корпуса 1 и, отражаясь от распределительного кольца, закрепленного на валу ротора (не показан), попадает на нагреваемую стенку корпуса и стекает по ней. Нагрев осугцествляют грек- гцим паром, который подается в рубашку 2. Шарнирно закрепленные на оси с помощью ушек 14 сеточные лопатки 8, прижимаясь к поверхности...

Номер патента: 1601644

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Белоногов, Верховец, Дрождин, Куприянов, Кыштымов

МПК: C07F 1/08, H01F 10/10, H01F 41/14 ...

Метки: магнитный, материал, тонкопленочный

...23 С добавляют при перемешивании 3,17 г глицина, затем раствор упаривают до сиропообразного состояния при температуре 100 - 150 С, высушивают при 23 С до образования стекловидной массы.В результате химического взаимодействия образуется кислый глицинат сульфат гадолиния 002(504)з 6 МН 2 СН 2 СООН 8 Н 20.Заказ 3272 Тираж 462 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ГКНТ СССР венно-издательский комбина "Патент", г. ужгооод, ул.Гагарина, 1 Произ Для получения кислого глицината сульфата гадолиния в виде пленки использовалось центрифугирование раствора с массовым соотношением соединения Ой 304)з 6 МН 2 СН 2 СООН 8 Н 20 и воды, равным 1:2, при частоте вращения центрифуги 2000 -...

Номер патента: 1607844

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Анохин, Витер, Марченко, Миркин, Сумников, Тютюнников

МПК: B01D 1/22

Метки: аппарат, роторный, тонкопленочный

...валков имеет профиль, соответствующий профилю гофр 10 теплопередающей поверхности. Осугцествление дренажа роторного тонкопленочного аппа.рата от вторичных паров производится через штуцер 11. Аппарат снабжен уплотнительным узлом 12. В верхцей части вала закреплено распределительное кольцо 13.Роторный тонкопленочный аппарат работает следующим образом.Продукт подается в штуцер 3, расположенный в верхней части аппарата, отражаясь от распределительного кольца 13, закрепленного на валу 7 ротора, попадает ляющие валки 8, установленные на осях 9. Периферийная часть валков имеет профиль, соответствующий профилю гофр теплопередающей поверхности 10. Осуществление дренажа роторного тонкопленочного аппарата от вторичных паров производится через...

Номер патента: 1643072

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бутенев, Демченко, Золотарева, Ключкин, Лаптева, Почерников, Сабуров, Ульянов, Харитонов

МПК: B01J 19/18

Метки: реактор, роторный, тонкопленочный

...газа ,ерез патрубки 7 производится подача острого водяного пара. Смесь водяного пара и углекислого газа, проходя сепарационное пространство и отбойное кольцо 20, собира тся в коллекторе 21 и через патрубок 11 выводится из аппарата. Карбонатная масса, освобожденная от углекислого газа, поступает в нижнюю камеру 4, туда же через патрубки 8 подается раствор каустической соды для нейтрализации оставшихся свободных жирных кислот и доомыления примесей нсйтрального жира. Для поддержания необходимой вязкости мыльной основы через один из патрубков 9 подается раствор поваренной соли, При помощи ротора 15 с закрепленными пластинами 19 обеспечивается равномерное перемешивание по периметру нижней камеры 4 и вывод готового продукта из аппарата...

Номер патента: 1734809

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Анохин, Белокобыла, Воронов, Миркин, Михайлусь, Тютюнников

МПК: B01D 1/22

Метки: аппарат, роторный, тонкопленочный

...путем обеспечения равномерного распределения поступающего продукта и равномерного смачивания продуктов тепло- передающей поверхности,На фиг.1 изображен аппарат, общий вид, продольный разрез; на фиг,2 - распределительное кольцо, общий вид,Роторный тонкопленочный аппарат состоит из корпуса с сепаратором 1 и рубашкой 2 теплообмена, штуцерами 3 - " ввода и вывода продукта и теплоносителя и штуцером 7 вывода вторичных паров, В корпусе аппарата размещен цилиндрический ротор 8, на котором установлено распределительное кольцо 9 с чередующимися по периметру двенадцатью активаторами 10, выполненными в виде упрочненных рамок, Шарнирные лопатки 11 выполнены также в виде рамок,В верхней части кольца 9 выполнен ограничительный бортик 12...

Номер патента: 1736536

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Анохин, Белокобыла, Воронов, Горбач, Миркин, Погорелова, Тютюнников

МПК: B01D 1/12

Метки: испаритель, роторный, тонкопленочный

...с шарнирными лопатками с системой привода. Система роторного устройства снабжена шарнирными лопатками, выполненными по дуге к теплообмен ной поверхности, обеспечивая тем самым создание переменного конфузорного и диффузорного зазора. 3 ил,ввода исходного продукта 2. штуцера ввода теплоносителя 3, штуцера вывода кубового остатка 4, а также штуцера вывода теплоносителя 5, роторного устройства 6 с шарнирно закрепленными лопатками 7, штуцера вывода вторичных паров 8 и системы привода 9, обеспечивающего генерацию жидкостной пленки.Роторный тонкопленочный испаритель работает следующим образом.Исходный продукт подается в штуцер 2 при вращении системы 6 и 9, Под действием центробежных сил шарнирные дугообраз. ные элементы 7 роторного устройства 6...

Номер патента: 1745279

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Анохин, Белокобыла, Миркин, Погорелый

МПК: B01D 1/22

Метки: аппарат, выпаривания, высоковязких, продуктов, роторный, тонкопленочный

...оси крепления лопатки, Эта конструкция позволяет не только создавать и перемещать пленку продукта, а также интенсивно счищает поверхность теплообмена.404550 Исходный продукт через штуцер 6 поступает в верхнюю часть роторного тонкопленочного аппарата, где при помощи распределительного устройства перераспределяется в равномерную тонкую пленку жидкости и.поступает на теплообменнуюповерхность рубашки обогрева 2, на которой происходит его упаривание (концентрирование). Подвод греющего компонента в рубашку 2 осуществляется через штуцер 7,отвод компонента через штуцер 8. В процессе упаривания исходного продукта выделяется большое количество паровой фазы, которая отводится на теплообменник - конденсатор через штуцер 5 отвода...

Номер патента: 1787481

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Анохин, Воронов, Овчаренко, Погорелова, Тютюнников

МПК: B01D 1/22

Метки: горизонтальный, испаритель, роторный, тонкопленочный

...жестких продольных ребер, в прорезях которых размещены шнековые пластины,Предлагаемая конструкция горизонтального испарителя за счет примененияротора с жесткими ребрами и пластинами ввиде шнЕка, выполненного со смещеннойосью вращения относительно оси корпусавниз и в сторону вращения на одинаковомрасстоянии, равном 0,01 - 0,005 от внутреннего диаметра корпуса позволяет получатьна греющей поверхности пленку продукта столщиной в нижней части аппарата в 2 - 3раза меньшей, чем в верхней и тем самымпозволяет интенсифицировать тепломассообменные процессы в аппарате.На фиг, 1 показан испаритель, общийвид; на фиг. 2 - ротор со смещенной осьювращения (изображено в увеличенном масштабе). На фиг, 1 испаритель роторный содержит цилиндрический...

Номер патента: 1773205

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Алешин, Андреев, Кононенко, Краснов, Сушко, Тарасов, Тузовский

МПК: H01G 4/06

Метки: моп-конденсатор, тонкопленочный

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МОП-КОНДЕНСАТОР, содержащий основание из материала на основе кремния, размещенную на нем обкладку из низкоомного монокристаллического кремния и металлическую обкладку, между которыми расположен слой диэлектрика из двуокиси кремния, и контакты к обкладкам, отличающийся тем, что с целью повышения надежности и добротности, в качестве материала основания использован поликремний, обкладка из низкоомного монокристаллического кремния выполнена в виде локальной области приповерхностного слоя поликремниевого основания, изолированной от него слоем двуокиси кремния, причем контакты к обкладкам размещены за пределами локальной области приповерхностного слоя.