Тонкопленочный запоминающий элемент

376805 О П И СА Н И ЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства МоЗаявлено 17.1 Х,1971 (Ле 1697617/18-24) М, Кл. присоединен явки Ме риоритетпубликовано 05,1 Ч.1973. Бюллетень Ме 17ата опубликования описания 23 Х 11.1973 Комитет ло деламбретеиий и открытии Совете МинистровСССР УДК 681.327.66(088.8) Авторыизобретения. В, Горбачев, В. Г, Дзевалтовский и Г. П, Жариков ена Ленина институт кибернетики АН Украинской СС аявител ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЗАПОМИНА Й ЭЛЕМ острый отклояют ией 5 ния нит нап Пос Предложенный элемент относится к области вычислительной техники и может быть использован для построения ЗУ цифровых вычислительных машин.Известен тонкопленочный запоминающий элемент, управляемый однополярным и токами и состоящий из анизотроппой тонкой магнитной пленки, обладающей значительной дисперсией направления оси легкого намагничивания по площади пленки, и управляющих числовой и разрядной полосковых линий, охватывающих пленку.Однако такой элемент для записи информации требует больших разрядного и числового токов (большие токи для перемагничивания дисперсных пленок обусловлены блокировкой процессов вращательного перемагичивания, наличием в таких пленках вращающейся анизотропии), а считываемый сигнал мал, что обусловлено участием процессов смещения доменных границ на части площади пленки со значительной дисперсией направления намагничивания.Целью изобретения является увеличение выходного сигнала и повышение экономичности тонкопленочных запоминающих элементов.Эта цель достигается путем того, что тонкая магнитная пленка выполнена из двух магнитных слоев, разделенных немагнитной прослойкой. Причем оси легкого намагничивания магнитных слоев составлугол с числовой полосковой лин ииены от нее в разные стороны.На чертеже показан предложенный элемент.Он состоит из двух взаимно перпендикулярных полосковых линий (числовой 1 и разрядной 2) и расположенной между прямымии обратными проводниками обеих линий подложки 3 с тонкой магнитной пленкой 4.Пленка 4 состоит из двух магнитных слоев 5и б, разделенных немагнитной прослойкой 7,Оси легкого намагничивания слоев, указанные стрелками 8 и 9, составляют между собой угол порядка 10, а усредненное по толщине пленки направление легкого намагничивания 10 совпадает с направлением числовой линии. Направление трудного намагничивания, усредненное по толщине пленки,указано стрелкой 11.Предложенный элемент работает следующим образом,Запись.Запись О производится путем возбуждев числовой линии 1 импульса тока, магное поле которого насыщает пленку 4 вравлении трудного намагничивания (11),ле спада импульса числового тока пленка4 остается намагниченной в направлениитрудного намагничивания. Причиной этому376805 Предмет изобретения Составитель Ю, Розенталь Редактор Л. Утехина Техред Т. Курилко Корректоры: Е. Давыдкина и А. НиколаеваЗаказ 1980/2 Изд.497 Тираж 57 б ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 являются перекосы осей легкого намагничивания 8 и 9 от направления числовой линии 1 и обменная связь между слоями 5 и б через сверхтонкую немагнитную прослойку 7. Вследствие перекосов после спада импульса числового тока намагниченность слоев 5 и б отклоняется от направления трудного намагничивания 11 в разные стороны к ближайшим направлениям легкого намагничивания 8 и 9. При вращении намагниченностей слоев 5 и б в разные стороны энергия обменной связи между слоями 5 и 6 возрастает, благодаря чему возрастает сила, противодействующая силам анизотропии, вращающим намагниченности, При некотором угле а между намагниченностями слоев 5 и б, определяемом полем анизотропии слоев 5 и б; углом перекоса направлений легкого намагничивания 8 и 9 и толщиной немагнитной прослойки 7, наступает равновесие сил анизотропии и обменной связи, и вращение намагниченностей слоев прекращается.Запись 1 производится путем возбуждения импульсов тока в числовой линии 1 и в разрядной линии 2. Причем ток разрядной линии 2 перекрывает задний фронт импульса в числовой линии 1. Намагниченность пленки 4 под действием магнитных полей токов вращается в одну сторону от направления трудного намагничивания (11) до направления легкого намагничивания (10).Считывание.В числовой линии 1 возбуждается импульстока. В случае когда пленка 4 намагничена в направлении легкого намагничивания 10, в разрядной линии 2 вследствие одностороннего вращательного перемагничивания пленки 4 возбуждается сигнал, что является 10 признаком 1.Таким образом, предложенный элемент также, как и известный, управляется однополярными токами. Тонкопленочный запоминающий элемент,содержащий подложку с тонкой магнитной пленкой, охваченную числовой и разрядной 20 полосковыми линиями, расположенными подпрямым углом одна к другой, отлича(ощийся тем, что, с целью увеличения выходного сигнала и повышения экономичности элемента, топкая магнитная пленка выполнена из двух 25 магнитных слоев, разделенных нем агпитпойпрослойкой, причем оси легкого намагничивания магнитных слоев составляют острый угол с числовой полосковой линией и отклонены от нее в разные стороны.