Способ записи информации на тонкопленочный ферромагнитный носитель

(11) 627530 ТОР СКОМУ СВИ 1) Дополнительное и авт, свиа-ву(22) Заявлено 11,0 21) 2366 8-10 6 11 В 11/О присоединением заявкисударственный комеоаета й 1 инистрое СССе делам изобретеннн открытий5) Дата опубликования описания 18.08.78(72) Авторы иэобретени аков, В. А, Буравихин, В. Г. овой утский государственный гический ин) Заявитель 4) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ НА ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ФЕРРОМАГНИТНЫЙ НОСИТЕЛЬ о 15 Изобретение относится к эбласти приборостроения и может быть использовано при записи цифровэй информации в вычислительной технике,Известны способы записи инфэрмапии путем разрушения нэсителя импульсным электрическим разрядом 11 или путем прожигания электронным лучом 1 21.Наибэлее близким к предлэженнэму по своей технической сущности является спо о соб записи информации на тонкопленочный ферромагнитный носитель с испольээванием луча лазера З.Недэстатком способа является неэкон мичнэсть и низкая плэтность записи.Целью изобретения является повышение экономичности и плотности записи.Пэставленная цель достигается за счет того, что запись осуществляют путем нагрева локальных участков железэникеле О ваго нэсителя тэлшиной 100-5000 А дэ температуры фазэвогэ перехэда эбъемнэцентрирэваннэй кубической в гранецентрированную кубическую решетку, равной 600-700 С. 25 Инфэрмацию записывают лучом лазера на тонкопленочный носитель, изготовленный из сплавов на основе железа с объемнэ-центрирэванной кубической (ОЩ решеткэй, в котэрых при нагревании наблюдается переход в гранецентрированную кубическую (ГПК) решетку, которая в пленках сохраняется при охлаждении дэ комнатной температуры. Фаээвый переход, происхэдящий с большэй скоростью беэ разрушения материала и изменения егэ химического сэстава при сравнительно низкой температуре нагрева (600 о700 С), приводит к резкому изменению магнитных и электрических свэйств носителя. Используют полученные термичес ким испарителем в вакууме тэнкэпленоч ные носители иэ железоникелевых сплавэв с ОПК решеткой. НэсителиГе-И с ОПК структурэй эбладают высокой намагниченнэстью насыщения, Послеоэтжига до 600-700 С в них осуществляется мартенситный ОПКфГПК фаээвый перехэд. В тонкопленочных носи телях высэкэтемпературная ГПК фаза соЗаказ 5634/50 Тираж 717 П одписноеЦНИИПИ Государственного кэмитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 храняется при охлаждении до кэмнатной температуры. П осле ОЦК-ФГЦК перехода намагниченность пленок с содержанием никеля менее 27 % равна нулю, а с концентрацией никеля от 27 до 35 % намагниченность пленок с ГИК структурой значительно меньше, чем в тех же образцах с ОЦК структурой. Облученные участки пленки становятся немагнитными и на фоне магнитной матрицы, соответствующей, например, "0, являются носителя В информация - соответствуют 1в двоичной системе,Информацию воспроизводят индукционным и магнитооптическим методами. На чертеже изэбражена блок-схема устройства, реализующего предлэженный спэсэб.лИнформация в двоичной системе з писывается лазером 1, который управляет 20 ся блоком 2 записи. Для записи единицы информации ( "1") лазер нагревает учас-. ток носителя 3 до температуры ОЦК-ГАГИК перехода. Движение носителя относитель 35 но неподвижного лазера осушествляетсяблоком управления движения носителя 4. Предложенный способ значительно сййжает затраты энергии при запиеси и увеличивает плотность записи до 10 - 107 бят/смФормула изобретенияСпособ записи информации на тонкопленочный ферромагнитный носитель с использованием луча лазера, о т л и ч аю ш и й с я тем, чтэ, с целью повьпцения экономичности и плотности записи, запись осуществляют путем нагрева локальных участков железоникелевого носителя толщиной 100-5000 А до темпера туры фазового перехода объемно-центрированной кубической в гранецентрированную кубическую решетку, равной 600 700 С.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Авторское свидетельство СССР177158, кл. 6 11 В 11/16, 1964.2Авторское свидетельство СССР315210, кл. Я 11 С 11/00, 1969.3. Белов Э. Н, Тенденция развития ЦВМ рекордной производительности, "Зарубежная радиоэлектроника", 1975,8, с. 15-31.