Патенты с меткой «примесей»
Способ очистки газов от примесей ароматических углеводородов
Номер патента: 1827843
Опубликовано: 10.09.1998
Авторы: Заборцев, Мещеряков, Островский, Сазонов, Шпак
МПК: B01D 53/72
Метки: ароматических, газов, примесей, углеводородов
...озона температура в реакторе снижается с 490 - 550 до 50 - 70 С. На выходе реактора температура газов вместо 80 - 100 С всего лишь 30 40 С.Количество вводимого в очищаемые газы озона пропорционально содержанию примесей ароматических углеводородов, поэтому способ наиболее эффективен при низких концентрациях. Для наиболее полного использования озона в процессе очистки газов 1. Способ очистки газов от примесей ароматических углеводородов, включающий пропускание газов через два слоя катализаторов со свободным пространством между слоями и регенеративные теплообменники, расположенные до и после слоев катализатора, подачу в газовый поток между слоями катализатора газообразного агента и периокаждый слой катализатора разделяют на две и более...
Аппарат для электрохимической очистки от примесей хлормагниевого сырья
Номер патента: 280864
Опубликовано: 20.05.1999
Авторы: Лебедев, Олюнин, Поляков, Франтасьев
МПК: C25C 3/04
Метки: аппарат, примесей, сырья, хлормагниевого, электрохимической
Аппарат для электрохимической очистки от примесей хлормагниевого сырья, включающий графитовые анод и катод, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса очистки, он разделен не доходящей до дна перегородкой на два отделения, в одном из которых установлены вертикально анод и горизонтально катод с отверстиями, а в другом - центробежный насос для принудительной многократной циркуляции расплава через отверстия катода и удаления очищенного расплава.
Способ очистки гелиевого теплоносителя ядерного реактора от примесей
Номер патента: 680223
Опубликовано: 20.06.1999
Автор: Чабак
МПК: B01D 53/02, C01B 23/00
Метки: гелиевого, примесей, реактора, теплоносителя, ядерного
Способ очистки гелиевого теплоносителя ядерного реактора от примесей, включающий последовательное пропускание теплоносителя через окись меди, металлическую медь, цеолит и активированный уголь, охлаждаемый жидким азотом, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, теплоноситель пропускают через окись меди и металлическую медь со скоростью фильтрации 240 - 260 м/ч, через цеолит с 260 - 300 м/ч и через активированный уголь, охлаждаемый жидким азотом, с 120 - 240 м/ч.
Способ очистки от примесей галогенидов металлов
Номер патента: 357803
Опубликовано: 27.06.1999
Авторы: Диев, Ивановский, Красильников, Чащихин
Метки: галогенидов, металлов, примесей
Способ очистки от примесей галогенидов металлов путем обработки их в расплавленном состоянии соответствующим галогеном, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты галогенида и интенсификации процесса, обработку ведут галогеном, выделяющимся на аноде при электролизе расплава с галоидным газодиффузионным катодом.
Способ очистки хлорида алюминия от примесей хлоридов металлов
Номер патента: 1391001
Опубликовано: 10.07.1999
Авторы: Коровкин, Мельников, Рябов, Сабаев, Симулина, Суглобов, Филатов
МПК: C01F 7/62
Метки: алюминия, металлов, примесей, хлорида, хлоридов
Способ очистки хлорида алюминия от примесей хлоридов металлов, включающий введение порошкообразного хлорида алюминия в расплав солей хлорид натрия - хлорид алюминия, нагрев полученной смеси с отгонкой хлорида алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, введение порошкообразного хлорида алюминия осуществляют под уровень расплава солей при гидростатическом давлении столба расплава, равном 0,05 - 0,2 кг/см2, и массовой скорости 120 - 150 кг/ч на 1 м3 расплава.
Способ очистки цинковых сульфатных растворов от примесей
Номер патента: 1490993
Опубликовано: 27.07.1999
Авторы: Маринина, Рахманкулов, Сапрыгин, Хан, Шарова
Метки: примесей, растворов, сульфатных, цинковых
Способ очистки цинковых сульфатных растворов от примесей, включающий введение в раствор соли сурьмы и осаждение примесей цинковой пылью в присутствии поверхностно-активного вещества, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, в качестве поверхностно-активного вещества используют иодистый калий в количестве 0,005-0,5 г/дм3.
Способ очистки концентрированного раствора гидроокиси натрия от примесей железа
Номер патента: 1137697
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Красилова, Кубасов, Львович, Мазанько, Подшибякина
МПК: C01D 1/40
Метки: гидроокиси, железа, концентрированного, натрия, примесей, раствора
Способ очистки концентрированного раствора гидроокиси натрия от примесей железа путем электролиза с никелевым катодом, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат, электролиз ведут при поддержании потенциала катода от -1,1 до -1,3 относительно нормального водородного электрода сравнения.
Способ очистки раствора сульфата цинка от примесей
Номер патента: 747149
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Беньяш, Пиков, Хан, Шарова
Метки: примесей, раствора, сульфата, цинка
1. Способ очистки раствора сульфата цинка от примесей, включающий введение в раствор активирующей добавки и осаждение примесей цинковой пылью, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки раствора и сокращения расхода цинковой пыли, в раствор после подачи цинковой пыли вводят вещества, замедляющие процессы растворения осажденных металлов-примесей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве веществ, замедляющих процессы растворения, вводят фосфаты щелочных металлов, например 0,005 - 0,5 г/л гексаметафосфата или триполифосфата натрия.
Способ очистки цинковых растворов от примесей
Номер патента: 896918
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Беньяш, Бобков, Гецкин, Гутерман, Дорофеев, Сапрыгин, Токсабаев, Шарова
МПК: C22B 3/44
Метки: примесей, растворов, цинковых
1. Способ очистки цинковых растворов от примесей, включающий введение в раствор активирующей добавки соли сурьмы, цинковой пыли и фосфатных солей, например триполифосфата, отличающийся тем, что, с целью исключения накопления балластных примесей в растворах цинкового производства, в качестве фосфатных солей используют фосфаты аммония.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве фосфатных солей используют пирофосфат аммония.
Способ очистки цинковых сульфатных растворов от примесей
Номер патента: 1536828
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Маринина, Рахманкулов, Сапрыгин, Хан, Шарова
МПК: C22B 3/20
Метки: примесей, растворов, сульфатных, цинковых
1. Способ очистки цинковых сульфатных растворов от примесей, включающий введение в раствор активирующей добавки - соли сурьмы, цинковой пыли и поверхностно-активного вещества, отличающийся тем, что, с целью исключения накопления примесей ионов калия в растворе, в качестве поверхностного-активного вещества используют гидразин сернокислый.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что гидразин сернокислый вводят в количестве 25 - 500 мг/дм3.
Способ очистки сульфатных цинковых растворов от примесей
Номер патента: 1358414
Опубликовано: 10.08.1999
Авторы: Бимбасов, Борисенко, Бутакова, Каргинов, Козлов, Кузнецов, Сапрыгин, Хан, Хетагуров, Ходов
Метки: примесей, растворов, сульфатных, цинковых
Способ очистки сульфатных цинковых растворов от примесей путем осаждения их реагентом, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, осаждение ведут гидроксидом алюминия при соотношении по массе алюминия и суммы примесей, равном 5 - 12 : 1.
Способ приготовления катализатора для дожигания вредных примесей в газовых выбросах
Номер патента: 1612398
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Баранник, Замараев, Илющенко, Исмагилов, Кетов, Клячкин, Фазлеев
МПК: B01J 23/38, B01J 37/00
Метки: вредных, выбросах, газовых, дожигания, катализатора, приготовления, примесей
Способ приготовления катализатора для дожигания вредных примесей в газовых выбросах и сжигания газовых и испаряющихся топлив путем нанесения активного компонента на поверхность металлического носителя, защищенного слоем оксида алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения активности катализатора, оксидную пленку получают путем обработки металлического носителя в расплаве хлоридов щелочных и щелочноземельных элементов и фторида алюминия с добавлением порошка ферроалюминия с последующей термообработкой и частичным окислением поверхностного слоя алюминия и нанесение активного компонента ведут из раствора палладийхлористоводородной или платинохлористоводородной кислоты.
Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния
Номер патента: 1387798
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Ковешников, Редькин, Старков, Юнкин, Якимов, Ярыкин
МПК: H01L 21/322
Метки: геттерирования, кремния, металлических, пластине, примесей
Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соединением при их объемном отношении (0,1-1) : 1 соответственно величине удельной мощности на единицу поверхности 0,4-1,3 Вт/см2 и рабочем давлении 6 10-3 - 6
Способ приготовления катализатора для сжигания топлив и дожигания вредных примесей в газовых выбросах
Номер патента: 1563015
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Баранник, Замараев, Исмагилов, Кетов, Клячкин, Фазлеев
МПК: B01D 53/38, B01J 23/26, B01J 23/70 ...
Метки: вредных, выбросах, газовых, дожигания, катализатора, приготовления, примесей, сжигания, топлив
Способ приготовления катализатора для сжигания топлив и дожигания вредных примесей в газовых выбросах путем формования смеси каталитически активных компонентов и связующего на полимерном каркасе из пенополиуретана с последующей термообработкой для удаления полимерного каркаса, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенными термической стабильностью, активностью и механической прочностью, в качестве активных компонентов используют бихроматы магния, или кобальта, или меди, а в качестве связующего - техническую глину и процесс ведут при массовом соотношении связующего и водного раствора активного компонента от 1:1 до 4:1 и при содержании активного компонента в катализаторе...
Способ приготовления катализатора для очистки отходящих газов от вредных примесей
Номер патента: 1119207
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Александров, Бакаев, Башин, Исупова, Мулина, Поповский, Тихова, Якушко
МПК: B01J 23/72, B01J 37/02
Метки: вредных, газов, катализатора, отходящих, приготовления, примесей
Способ приготовления катализатора для очистки отходящих газов от вредных примесей с использованием малахита, включающий смешение со склеивающим окисноалюминийсодержащим агентом, с последующим формованием катализаторной массы и прокаливанием, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенной механической прочностью, малахит подвергают терморазложению при 300 - 400oC, образовавшийся оксид меди смешивают со склеивающим агентом, в качестве которого используют оксинитрат алюминия с pH 3 - 3,5 и содержанием 100 - 150 г/л оксида алюминия, и прокаливание проводят при температуре 250 - 500oC с выдержкой по 2 ч при каждой из граничных температур.
Катализатор для дожигания вредных примесей в газовых выбросах и способ его приготовления
Номер патента: 1177979
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Александров, Анциферов, Краевская, Овчинникова, Поповский, Храмцов, Щурик
МПК: B01J 23/44, B01J 37/02
Метки: вредных, выбросах, газовых, дожигания, катализатор, приготовления, примесей
1. Катализатор для дожигания вредных примесей в газовых выбросах, содержащий палладий, окись алюминия и металлический носитель, отличающийся тем, что, с целью повышения активности катализатора, он в качестве носителя содержит окисленную пеносталь с пористостью 90 - 95%, плотностью 0,38 - 0,42 г/см3, размером пор 2,0 - 2,2 мм при следующем соотношении компонентов, мас. %:Палладий - 0,2 - 0,5Окись алюминия - 3 - 5Носитель - Остальное2. Способ приготовления катализатора для дожигания вредных примесей в газовых выбросах путем нанесения палладия на предварительно нанесенную на стальной носитель пленку окиси алюминия с последующей термообработкой, отличающийся...
Фильтр для очистки воды от механических примесей
Номер патента: 1107611
Опубликовано: 20.09.1999
Авторы: Брагинский, Ежы, Ищук, Кшиштоф, Петр, Сафонов
МПК: E21F 5/00
Метки: воды, механических, примесей, фильтр
Фильтр для очистки воды от механических примесей, включающий корпус с крышкой, входной и выходной патрубки, валик с каналом и закрепленными на валике фильтрующими элементами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы фильтра за счет повышения эффективности промывки, он снабжен распределительным диском, выполненным с центральным отверстием, пазом и радиальными каналами, причем распределительный диск установлен на валике, а центральное отверстие сообщено с радиальными каналами и с каналом, выполненным в валике.
Способ очистки висмута от примесей
Номер патента: 797251
Опубликовано: 27.09.1999
Авторы: Давидович, Ипполитов, Медков, Ризаева, Скориков
МПК: C22B 30/06
Метки: висмута, примесей
Способ очистки висмута от примесей экстракцией органическим реагентом с последующей реэкстракцией, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты висмута и его соединений и упрощения процесса, перед экстракцией висмут переводят в твердый хлорид, в качестве органического реагента используют алифатический кетон, а реэкстракцию проводят водой.
Способ очистки растворов от примесей
Номер патента: 747140
Опубликовано: 27.09.1999
Авторы: Гуляева, Докучаев, Зуев, Неволин, Никкель, Пименов, Смирнов, Старцев
Метки: примесей, растворов
Способ очистки растворов от примесей, включающий окисление железа кислородом, гидролитическое осаждение железа и цементацию меди, отличающийся тем, что, с целью интенсификации процесса и снижения потерь меди с гидратным осадком, сначала проводят цементацию меди, а затем в обезмеженный раствор вводят иониты, содержащие аминокарбоксильные или винилпиридинкарбоксильные группировки в медной форме и проводят гидролитическое осаждение железа.
Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках
Номер патента: 1616341
Опубликовано: 10.11.1999
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля
Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках, содержащее генератор, первый выход которого подключен к опорным входам первого и второго синхронных детекторов, причем первый выход первого синхронного детектора соединен с выходом первого избирательного усилителя, выход второго синхронного детектора подключен к первому входу блока сравнения, второй выход генератора соединен с первым входом первого сумматора, выход которого подключен к первому входу модулятора, выход которого соединен с входами выходного усилителя и первого фильтра, первый и второй выходы которого подключены соответственно к первому входу смесителя и сигнальному входу первого синхронного детектора,...
Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках
Номер патента: 1570561
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Добровольский, Небрат, Усик
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей
Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, включающее высокочастотный генератор, выход которого подключен к первым входам первого и второго синхронных детекторов и к первому входу первого сумматора, выход которого через первый регулируемый усилитель и второй фильтр соединен с первым входом второго сумматора, второй вход которого соединен с блоком смещения, выход которого соединен с первой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, первый выход второго сумматора соединен с первой клеммой для подключения исследуемой структуры и через первый фильтр с вторым входом первого синхронного детектора, выход которого соединен с второй выходной клеммой,...
Способ определения профиля распределения примесей в кремнии
Номер патента: 1526514
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Гершинский, Миронова
МПК: H01L 21/66
Метки: кремнии, примесей, профиля, распределения
Способ определения профиля распределения примесей в кремнии, основанный на измерении С-V-характеристик с использованием переменного тестового сигнала при послойном анодном растворении кремния и определении концентрации примеси по калибровочной зависимости минимальной емкости от концентрации после каждого этапа анодного растворения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона определяемых концентраций примеси в сторону больших значений, измерение C-V-характеристик производят при частоте тестового сигнала в пределах 10 - 40 Гц.
Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках
Номер патента: 1353124
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Добровольский, Севастьянов, Талышев, Усик
МПК: G01R 31/26
Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей
Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, содержащее смеситель, входы которого соединены соответственно с выходами первого и второго высокочастотных генераторов и входами сумматора, выход которого подключен к входу регулируемого усилителя, первый и второй синхронные детекторы, первые входы которых подключены к выходу первого высокочастотного генератора, первый селективный усилитель, выход которого соединен с вторым входом второго синхронного детектора, выход которого соединен с первым входом блока сравнения, второй вход которого подключен к выходу источника опорного напряжения, выход блока сравнения подключен к управляющему входу первого регулируемого...
Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках и устройство для его осуществления
Номер патента: 1646390
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Бобылев, Добровольский, Овсюк, Усик
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля
1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет выявления глубоких уровней примеси и измерения профиля их концентрации, дополнительно регистрируют две ортогональные составляющие суммарной или разностной...
Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии
Номер патента: 1762689
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Герасименко, Мясников
МПК: H01L 21/268
Метки: геттерирования, дефектов, кремнии, примесей
Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менеегде W - плотность энергии импульса, Дж/см2;ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см;R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм;d - толщина...
Способ очистки изопрена от примесей ацетиленовых углеводородов
Номер патента: 1018344
Опубликовано: 20.12.1999
Авторы: Дубровская, Кабиев, Кичигин, Хасанов, Хасанова
МПК: C07C 11/18, C07C 7/167
Метки: ацетиленовых, изопрена, примесей, углеводородов
Способ очистки изопрена от примесей ацетиленовых углеводородов путем жидкофазного гидрирования в присутствии катализатора на основе выщелаченного никель-алюминий-молибденового сплава, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности процесса, используют катализатор, дополнительно содержащий хром при следующем соотношении компонентов, мас.%:Никель - 54,6 - 76,4Алюминий - 18,2 - 40,9Молибден - 1,1 - 3,3Хром - 1,0 - 3,4
Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках
Номер патента: 1531768
Опубликовано: 27.12.1999
МПК: H01L 21/66
Метки: компенсации, полупроводниках, примесей, степени
Устройство для определения степени компенсации примесей в полупроводниках, содержащее первый усилитель ЭДС Холла, входы которого подключены к холловским контактам первого полупроводникового образца, второй усилитель ЭДС Холла, выходы которого подключены к холловским контактам второго полупроводникового образца, и дифференциальный операционный усилитель, подключенный инвертирующим входом к выходу первого усилителя ЭДС Холла, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений путем уменьшения количества измеряемых параметров при методе сравнения, в него введены источник опорного напряжения, схема выборки-хранения, генератор синхроимпульсов и измеритель переменного напряжения, при...
Способ очистки углеводородов от примесей карбонильных соединений
Номер патента: 768148
Опубликовано: 10.01.2000
Авторы: Вернов, Ворожейкин, Забористов, Кирпичников, Лемаев, Осовский, Якушева
МПК: C07C 11/12, C07C 7/11
Метки: карбонильных, примесей, соединений, углеводородов
Способ очистки углеводородов от примесей карбонильных соединений путем обработки исходного сырья моно- или диэтаноламином, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, используют водный раствор моно- или диэтаноламина при концентрации последнего в нем 1-99,5 вес.% и процесс проводят при скорости подачи исходного сырья 150-200 ч-1 в газовой фазе или 0,7-8,0 ч-1 в жидкой фазе.
Способ эмиссионного инфракрасного количественного анализа примесей
Номер патента: 445361
Опубликовано: 20.01.2000
МПК: G01J 3/00
Метки: анализа, инфракрасного, количественного, примесей, эмиссионного
Способ эмиссионного инфракрасного количественного анализа примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности определения концентрации сульфат- и карбонатионов за счет увеличения амплитуды их колебаний, испытуемое вещество переводят в расплав с последующим анализом известным способом.
Устройство для очистки жидкости от механических примесей
Номер патента: 1088193
Опубликовано: 10.04.2000
Авторы: Андриец, Бычков, Кротков, Удлер
МПК: B04C 3/00
Метки: жидкости, механических, примесей
Устройство для очистки жидкости от механических примесей, содержащее цилиндрический корпус с завихрителем входящего потока и элемент отвода примесей, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности очистки путем снижения эксплуатационных потерь, элемент отвода примесей выполнен в виде перфорированного отсекателя, один конец которого шарнирно закреплен вдоль нижней образующей на расстоянии (9 - 15)Д от завихрителя, а площадь каналов перфорации составляет (0,18 - 0,22)Д2, где Д - внутренний диаметр цилиндрического корпуса.