Патенты с меткой «подповерхностных»

Номер патента: 742773

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Басов, Белокур, Гаврилин, Дайкер, Конаш, Москвин

МПК: G01N 21/91

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных, подповерхностных

...113035, йэсква, Ж, Раушская наб., д, 4 /5ФИлиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Цель изобретения в , повышение точности и осуществление автоматическоймаркировки дефектов.Для этого после нанесения фонообраэующего вещества на поверхность изделия наносят контрастообразующее вещество, сушат его, а затем поверхность изделия подвергают нагреву токами высокой частоты до появленияизображения дефектов.При нагреве заготовки токами высокой частоты в местах нарушения Ооплошности материала изделия (дефектах) наблюдается неравномерность распределения плотности вихревых токов,За счет этого дефектные участки поверхности нагреваются значительно 15сильнее бездефектных, и контрастообраэующее вещество на них претерпевает термохимическое...

Номер патента: 744301

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Басов, Белокур, Гаврилин, Дайкер, Конаш

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных, подповерхностных

...плотности вихревых токов на этихучастках.В районе дефекта происходит концентрация магнитного поля, вследствие чего удельная плотность вихревых токов становится вьпае, Большей плотности вихревых токов при прочих равных условиях соответствует и большая температура в нагреваемом участке.Задача повышения чувствительности способа сводится к обеспечению максимальной неравномерности плотности вихревых токов в местах дефектов,Максимальная неравномерность плстности вихревых токов в местах дефектовдос тига ется лишь в том случае, когдатолщина прогрева равна глубине преимущественного залегания дефектов(толщина слоя, подлежащего контролю)Градиент температур на поверхности заготовки между дефектными и бездеФектными участками может достигать...

Номер патента: 1004847

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Белокур, Владыченский, Гаврилин, Луфт, Марченко, Плинингер

МПК: G01N 25/72

Метки: дефектов, обнаружения, поверхностных, подповерхностных

...чтобы уменьшить количества переданного вглубь заготовки тепла при дальнейшем нагреве, при предварительной стадии ее нагревают на большую глубину, чем глубина пре имущественного залегания дефектов.Частота тока следующей стадии нагрева заготовки, имеющей магнитную проницаемость 1 ед составляет 5-30 мГц и определяется глубиной преимущественного залегания дефектов, которая, как уже было сказано, 25 равна 0,5-3 мм. На чертеже изображена установка, с помощью которой реализуется предлагаемый способ (вариант) .Установка для обнаружения поверхностных и подповерхностных дефектов изделий включает транспортный роль- ганг 2, по. которому может перемещаться заготовка 1. Над заготовкой по 35 ходу ее перемещения расположены пирометр 3,...

Номер патента: 1619151

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Касимов, Палеесь, Шишкарев, Шкатов

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковых, воздействия, дефектов, дефектоскопов, имитатор, подповерхностных, преобразователями, проходными

...диполи заменяются магнитными, а электропроводя щэя среда - ферромагнитной.Согласно теоремы Стокса совокупностьмагнитных диполей в итоге сводится к рамке с током, охватывающей площадь трещины по ее контуру. Границы раздела поповерхностям изделия учитываются с помощью вертикальных изображений этой40 рамки. В результате получаем расчетную модель (фиг. 2), т.е. бесконечную последовательность изображений, Однако, существенный вклад в формирование силовых 5 линийдаюттолькодвэ изображения, размещенные над поверхностями труб Для нас представляет интерес поверхность, относительно которой русла тока, обтекающего трещину, разветвляются. Эта поверхность 10 разветвления совпадает с поверхностью, вкоторой вектор-потенциал А, определяемый...

Номер патента: 1684770

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Волосюк, Калабанов, Красников, Эрсмамбетова

МПК: G01V 3/16

Метки: дистанционного, зондирования, подповерхностных, почвы, слоев

...размера это время может быть увеличено до требуемой величины,Задержка на такое время может быть обеспечена отрезком коаксиальцой линии, Сигнал с выхода линии 6 задержки поступает на усилитель-ограничитель 7 и второй детектор 8 видеоимпульсов. Выходной импульс детектора 8 поступает на вход триггера 9, устанавливая его в состояние единицы, в результате чего открываются стробируемые каскады УПЧ 12. Усиленные сигналы промежуточной частоты с выхода УПЧ 12 через первый детектор 13 поступают на индика 1 орный блок 14.Работа устройства синхронизирована синхронизатором 15, который подключен квходам синкроцизации передатчика 4, бло, д 2 сканирования, индикаторного блока 14, Синхронизатор 15 вырабатывает импульсы запуска передагчлка 4,...

Номер патента: 1651680

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Андреев, Хохлов, Яковлев

МПК: G01V 3/12

Метки: аномалий, локализации, подповерхностных

...составляющие, Одна распространяется к началу ОПЛ 4, другая - к концу, и Образуют соответственно обратную и прямую составляющие рассеянного сигнала, Обратная составляющая после прохождения согласующего устройства 3 и направленного ответвителя 2 перемножается в блоке 7 с опорным сигналом. Прямая составляющая после прохождения второго согласующего устройства 8 в блоке 9 также перемножается с опорным сигналом, прошедшим через линию без рассеяния на ано. малии. В результате перемножения в блоках 7 и 9 получают сигнал разьостной частоты, КОторЫй ЧЕРЕЗ ПЕрЕКЛЮчатЕЛЬ 1 О ПОдаЮт В блок 11 памяти и на ОДин иэ входов вычитд ющего устройства 12. Сигнал из блока памяти. записанный в случае, когда подповерхностная аномалия отсутсгвует, также подаот в...

Номер патента: 1796057

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Золотарев, Никитин, Петрушенко, Скулкин, Трифонов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, керамических, материалах, поверхностных, подповерхностных, стеклосодержащих

...исходя из требований чувствительности к исследуемым дефектам. Размеры частиц варьируются в смеси от 0,01 до 50 мкм.Например, при исследовании дефектовстеклофазы используют смесь вольфрамо вых частиц диаметром 0,7 мкм в количестве50 ф/ с частицами диаметром 1,2 мкм в количестве 50 . Толщина металлического порошкового слоя составляет от 0,1 до 300 мкм. Слой наносят в виде смеси металли ческих частиц с органическим связующимна основе ацетона и этилцеллюлозы, После нанесения слоя металлических частиц органическое связующее выжигают, а керамическое изделие спекают в восстанови тельной атмосфере в две стадии; сначалапри температуре 1200 С в течение 1-2 ч удаляют органическое связующее, затем при температуре 1530 С керамика и...