Преобразователь поверхностных акустических волн

,Гоп исИЗОбРЕТЕЙ ИЯ Союз СоветскикСоциалистически кРеспубликц 726652 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет -Опубликовано 05.04.80. Бюллетень 13Дата опубликования описания5.04.80 до делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения Г. А, Чалабян и Б. Н. Пирогов Ленинградский институт авиационного приборостроения(54) УСТРОЛСТВО НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ1Изобретение относится к радиоэлектроникеи может быть использовано при созданиифункциональных узлов радиоэлектроннойаппаратуры.Известен преобразователь с емкостным делителем напряжения, электроды которогосоединены с суммирующей шиной через нагрузочные емкости. Вклад в амплитуду возбуждаемой поверхностной акустической волны (ПАВ) будет различным для разных электродов преобразователя в зависимости отвеличины емкостей, которые в свою очередь 10определяются величиной площади перекрытий 1.Недостатками такой конструкции является сложность технологии изготовления,уменьшение выхода годных изделий за счетвозможных коротких замыканий емкостей 15наличие фазового сдвига напряжения, действующего на электродах по отношению кнапряжению входного сигнала,Известно также устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоэлектрическую подложку и расположенный на ее поверхности преобразовател ПАВ, выполненный в виде системы металлических электродов, контактных площадок и резисторного делителя напряжения 2.Недостатком этого устройства является сложность технологии изготовления и низкий процент выхода годных изделий, что обусловлено выполнением разисторных участков делителя напряжения в виде сосредоточенных пленочных сопротивлений. Ширина таких сопротивлений имеет тенденцию к уменьшению с повышением частоты, Изготовление воспроизводимых пленочных резисторов с шириной порядка десятка микрон- единиц являетсясложной технической задачей и требует высокой точности изготовления фотошаблонов, операции фотолитографии, равномерности нанесения резистивной пленки, отсутствием в ней дефектов. Цель изобретения - упрощение технологииизготовления и увеличение выхода годныхизделий. Поставленная цель досгигается тем, что делитель напряжения выполнен в виде одного участка с распределенным сопротивлением, а расположение контактных площадок на резисторном участке соответст726652 1 3 юъ уцди " 3ФФФФФ 3,Фф ),3 ууър,М,р.-,ьует функции аподнзации импульсного отклика преобразователч.На фиг. 1 представлена схема предлагаемого устройства, на фиг. 2 - характеристика импульсного отклика,Устройство состоит из пьезоэлектрическойподложки 1, на которой расположен преобразователь ПАВ в виде нанесенных электродов 2, образующих встречно-штыревуюэквидистантную двухфазную решетку. Металлические электроды имеют одинаковуюширину, длину, апертуру и растояния другот друга. Расстояние между ними выбраноравным Л/2, где Л - длина акустическойповерхностной волны. Злектроды первойфазы соединены с заземленной п(ной 3.Злектроды второй фазы подсоединены к нижней части резисторного участка прямоугольной формы 4, расположенного над активной зоной преобразователя, и заземленного по концам. В центральной части участка,34 выполнен вырез в резистивном покрытии, нижняя его имеет постоянную ширинуа у верхней части участка ширина линейна,увеличивается от середины к его краям.Контактные площадки 5 выполнены в видепересечения электродов 2 с резисторнымучастком 4, при этом контактные площадкина нижней части резисторного участка 4расположены с шагом, равными, а контактные площадки (а - а) в верхней части резисторного участка расположены и точкахсоответствующих максимумам импульсногоотклика преобразователя. Злектроды 2 второй фазы преобразователя заземлены в точках (в - в), соответствующих минимумамимпульсного отклика преобразователя, Центральный электрод преобразователя подсоединен к его входу с помощью навесного проводника.Предлагаемое устройство работает следуюцьим образом.При подаче на вход электрического сигнала 1.3 вх электроды 2 возбуждают поверхностную акустическую волну. Вклад 1-го электрода 2 будет пропорционален величине напряжения 13 п 1, действующего ца нем. Величина 31 обратно пропорциональна величине нагрузочного сопротивления К;, включенного между контактной площадкой 5 1-гоэлектрода и входом преобразователя. Темсамым реализуется весовая запитка элек-тродов 2 преобразователя, В представленной на фиг. 1 схеме устройства осуществлена симметричнаязапитка электродов 2 преобразователя, При этом на центральном электроде действует максимальное напряжение1.3 = 0 в, а остальные электроды имеют1 ( Цр. Поэтому их вклад в амплитудуволны возбуждаемой преобразователем,меньше, чем вклад центрального электрода.Наименьший вклад в амплитуду поверхностной волны вносят крайние электроды. Характер уменьшения величины 13; вдольдлины преобразователя задается располо 4жением контактной площадки на резисторном угастке 4 и соответствует функции аподизации импульсного отклика преобразоваТ.,РяВьполнение делителя напряжения в видерезисторного участка с распределенным сопротивлением позволяет упростить технологию изготовления аподизованного преобразователя поверхностных акустических волнс весовой запиткой электродов через резистиеный делитель входного напряжения.16 При этом отпадает необходимость изготавливать узкие дорожки пленочных сосредоточенных сопротивлений, которые используются в известном устройстве, и ширинакоторых на высоких радиочастотах составляет несколько единиц микрон, Снижаютсятребования к операциям фотолитографии,связанным с формированием тополОгии,резисторого участка.Кроме того, увеличивается выход годныхизделий, так как резисторы с распределени ным сопротивлением менее чувствительны котклонениям геометрических размеров в топологии и дефектам (проколы, царапины,трещины и т. д.) резистивной пленки посравнению с узкими сосредоточенными пленочными резисторами, и повышается стабильность характеристик преобразователяк внешним дестабилизирующим факторам,таким как изменение температуры, проникающая радиация и др. Зти факторы влияюттолько на абсолютную величину сопротивления резисторного участка, но не изменяютсоотношений нагрузочных сопротивленийэлектродов преобразователя. 11 оэтому возможен такой подбор материалов пьезоэлектрической подложки и резисторного делителя, когда изменения эффективных сопротивлений излучения и сопротивлений нагрузки электродов за счет внешних воздействийкомпенсирует друг друга.Формула изобретения,у стройство а оверхносных акустичеср ких волнах, содержащее пьезоэлектрическую подложку и расположенный на ее поверхюсти преобразователь поверхностныхакустических волн, выполненный в видесистеы металлических электродов, контактых площадок и резисторного делителя на 45пряжения, отлинакщееся тем, что, с цельюупрощения технологии изготовления и увеличения выхода годных изделий, делительнапряжения выполнен в виде одного резисторного участка с распределенным сопров тивлением, причем расположение контактных площадок на резисторном участке соответствует функции аподизации импульсногоотклика преобразователя.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1, Патент США39 О 4996, кл. 333 - 2,опублик, 09,09,76.2. Заявка ФРГ243620,кл. Н 03 Н 9/00, опублик. 26.04.7 б.726652 Составитель Т. ПанинаТехред К. Шуфрю Кодектор М. Шаропн Тираж 995 Подннсное Редактор И Заказ 655/1 ват 1 отвеиного обретений - 35, Рауг, Уж го ЦЯ 11 ИПИ Госудвпо делам нз13035, Москва, Ж иал ППЛ кПатент комитета СССРи открытийскан наб., д.од, ул, Проект о т ."Ф ,о к т Фщ