Федюхин

Номер патента: 1050096

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Балакирев, Белостоцкий, Федюхин

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...расположены излучающий иприемный преобразователи и размещенная между ними пленочная структура, пленочная структура выполненаиз слоя диэлектрика и расположенно- .го поверх него слоя проводника, 3при этом толщина слоя диэлектрикаЪ и толщина слоя проводника Ъвйбраны из условияЧ.( 1Э н 4 аз еЬ +Ъ (013,где Я и Е - диэлектрические проницаемости слоя ди-.Ээлектрика и материала звукопровода соответственно;Ч - скорость ПАВ,и У - нижняя и верхняян ечастоты соответственно полосы пропускания ЛЗ;3 - длина ПАВ,На чертеже показана конструкцияпредложенной ЛЗУстройство содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, излучающий преобразователь 2, приемный преобразователь 3, пленочную структуру, состо-.ящую иэ слоя диэлектрика 4 и...

Номер патента: 924829

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Белостоцкий, Федюхин

МПК: H03H 9/66

Метки: фазой

...Л -длина поверхностной акустической вопны.На фиг. 1 изображено предлагаемоеустройство для управления фазой, аксонометрия; на фиг. 2 - схема электрического соединения управляющих электродов.иг. Г Заказ 2836/73 Тираж 954 НИИПИ писное Филиал ПППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная 3 92482Устройство для управления фазой состоит из звукопровода 1, на котором выполнены излучающий 2 и приемный 3 преобразователи, слоистая структура, состоящая из слоев пьезоэлекфика 4 и 5 управляющих электродов 5, причем вся слоистая структура закреплена внутря П-образной станины 6,Устройство работает следуюшим образом, оАкустическая поверхностная волна возбуждается излучающим преобразователем 2, управляющие электроды 5 электрически соединены между собой...

Номер патента: 860177

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Балакирев, Богданов, Федюхин

МПК: H01L 41/08

Метки: акустических, волнах, параметрический, поверхностных, частоты

...штыревые преобразователи 2 и 3 и слой полупроводника 4. Зазор между пьезоди электрической пластиной 1 и полупроводником 4 обеспечивается за счет диэлектрической пленки 5, расположенной вне апертуры преобразователей 2 10 и 3. На слое полупроводника 4 расположены регулярные металлические полоски 6, параллельные электродам преобразователей 2 и 3. Ширина полосок 6 и расстояние между ними равны дгине 15 синхронного взаимодействия волн. В качестве пьезодиэлектрика может быть использован, например, монокристалл .ниобата лития. В качестве полупроводника - например, монокристалл гер-, мания.Нелинейный параметр дисперсионной среды периодически изменяется вдоль длины слоя полупроводника 4 за счет наличия металлических поло 25 сок 6. При этом...

Номер патента: 611725

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Федюхин, Фраймович, Цейтлин, Шимохин

МПК: B23B 25/06

Метки: металлорежущего, станка, узел, шпиндельный

...с удлиненной сгупко закрепленнойс одного концкой части шпинделя.Участок ступицы 7 между местом жесткого закрепления на шпинделе и з тым венцом шестерни 2 является чувс тельным элементом датчика 8 крутяш иомента. Шестерня 3 установлена на шпивделе на телах 9 качения, размещенных в- пазах 10 сепараторной втулки 11 И имеет возможность осевого перемещения на тепа качения вдоль пазов этой втулки на ну переключения. Сепараторная вгул попняет также роль зажимной втулки для611726 фиксации ступицы неподвижной шестерни цд шпинделе. Приводные шестерни со.дицецы зу 6 чдгой муфтой 12, допускдюшсй освое перемещение ца величину хода прц иерекп 1 очении шестерни 3. Гайка 13 спужит дя передачи зажимцого усилия через сепдулгорцую втулку цд...