Способ измерения параметра затухания поверхностных магнитостатических волн

3 СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСНИ УБЛИН 7 Н 33/05 51) 5 ффффффф-фф=1",".э;1" ъ 1; 982,А ЗАТУТИЧЕСекрегнитоФерфер- ияпаГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Институт радиотехники и электроники АН СССР(56) Авторское свидетельство СССРВ 1045182, кл, 0 01 Н 33/05, 1(.14) СНОСОВ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРХАНИЯ ПОВЕРХНОСТНИХ МАГНИТОСТАКИХ ВОЛН(57) Изобретение касается электронмерений, а именно исследования магнитных свойств тонких сферритовыхЪпленок, и может быть применено дляизмерения параметра затухания, дмента затухания поверхностных мастатических волн и ширины линииромагнитного резонанса в тонкихритовых пленках. Цель изобретен Изобретение касается электроизмерений, а именно исследования магнит ных свойств тонких ферритовых пленок и может быть применено для измерения параметра затухания, декремента затухания поверхностных магнитостати ческих волн (ПМСВ) и ширины линии ферромагнитного резонанса в тонких ферритовых пленках.Целью изобретения является по- вышение точности и расширение диа зона измерений.Устройство, реализующее способ, - ецставлено на чертеже. повышение точности и расширение диапазона измерений - достигается 1тем, что в ферритовой пленке известного способа воэбужцают поверхностную акустическую волну, определяютвозникший сигнал, отраженной отповерхностной акустической волны,изменяют частоту последней и определяют ее значение, при котором сигнал имеет максимальную величину, измеряют изменение уровня регистрируемого сигнала, определяют мощностьповерхностной акустической волны ипо измеренной при этой мощности зави.симости определяют параметр .затухания поверхностной магнитостатической волны, Устройство, реализующееданный способ, содержит исследуемуюФерритовую пленку 1, широколосковыйпреобразователь, 2 и циркулятор 3.г нл. Исследуемую ферритовую пленку 1 (выращенную на немагнитной подложке) помещают в касательное магнитное ;. ффффф поле Н. С помощью широкополоскового преобразователя 2 в пленке 1 возбуждают ПМСВ, которые распространяются . в обе стороны от преобразователя 2 с волновым вектором К, перпенднкуляз,ным направлению магнитного поля Н. В пленке 1 одним иэ известных способов возбуждают поверхностную акустическую волну (ПАВ), волновой вектор о которой налранлен параллельно (антипараллельно) волновому вектору К, 1614671Д лее реализуют условия рассеяния П СВ на .ПАВ, для чего на заданной ч стоте Г в пленке возбуждают ПИСВ, измеряют уровень сигнала, отраженной 5 ПМСВ при изменении частоты ПАВ Р (при фиксированной мощности ПАВ) . Сир. нал отраженной ПИСВ снимают с преобразователя 2, который при измерении подключают к внешним цепям через 10 циркулятор 3. Частота ПАВ Р при которой уровень сигнала отраженной ПИСВ частоты Го " РА максимален, соответст. вует резонансу рассеяния при попутном распространении ПИСВ и ПАВ, это рассеяние происходит в области А исследу емой пленки. Частота ПАВ Г, при которой имеет максимум сигнала частатц Г + Рь, соответствует резонансу рассеяния при встречном распростране нии НИСВ и НАВ, которое происходит в области В пленки. Определив частоту Р (или Р), снимают зависимость уровня сигнала отраженной ПИСВ частоты Г - РА(или й + Р ) от частоты Х 25Ь падающей ПИСВ в окрестности заданной частоты Г. Иащность ПАВ при этом устанавливают не больше той, при которрй ширина измеряемой частотной зависимости уже начинает зависеть от мощности ПАВ. Затем нахоцят частот"ную ширину измеренной резонансной кривой на уровне 3 дБ от вершины. Численное значение этой ширины равно величине параметра затухания ПИСВ на чФстоту Г 1,Действительно, расчет, выполненный м 1 тодом связанных мод, показывает, что при условии сравнительно слабой связи межлу,падающей и отраженной ПЙСВ 3 Я ЗЯ где 3 - параметр затухания, я - коэФфициент связи, и при равенстве модулей групповых ско-. ростей падающей и отраженной ПИСВ, частотная зависимость относительного уровня отраженной ПИСВ, снимаемого с микрополоскового преобразователя 2, имеет следующий вид: 250 гце ЬЯ - отстройка от резонансной частоты Га. Коэффициент связи Яз 4 Р, где Р - мощность ПАВ, Частотная ширина зависимости (1) на уровне 3 дБ от вершины равна 8 д, т.е. параметру затухания ПИСВ.Иэ измеренных значений параметра затухания 6 Д при необходимости определяют также декремент К и ширину линии ферромагнитного резонанса 2 6 Н, используя для этого выраженияК ОЯЧ ф 2 ЬН = -.ОЯ (2)и й 8646г = 64где Ч- групповая скорость ЛИСВ.Прй этом групповую скорость ПИСВнаходят иэ измерения зависимостирезонансной частоты рассеяния ПИСВна ПАВ от частоты ПАВ, что может бытьвыполнено в процессе измеренияпо способу.1Формула изобретенияСпособ измерения параметра затухания поверхностных магнитостатических .волн в ферритовой пленке, включаняцнй возбуждение в ней упомянутых волн заданной частоты, о т л и,ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения точности измерений и расширения диапазона измерений, в ферритовой пленке одновременно возбуждают поверхностную акустическую волну, определяют возникший сигнал, пропорциональный амплитуде,поверхностной магнитостатической волны, отраженной от г 1 оверхностной акустической волны, изменяют частоту последней и определяют ее значение, при котором сигнал имеет максимальную величину, при полученном значении частоты воэ-. буждаеиоф поверхностной акустической волны измеряют изменение уровня регистрируемого сигнала от частоты возбуждаемой поверхностной магни-, тостатической волны в окрестности пер-воначально заданной частоты, опреде- ляют мощность поверхностной акустической волны, при которой ширина измеряемой зависимости не зависит от мощности возбуждаемой поверхностной акустической волны, и по измеренной при этой мощности зависимости определяют параметр затухания поверхностной магнитостатической волны.Составитель А.Романовктор В. Фельдман Техред Л.Олийнвв Корректор С. Шев Заказ 2816Тираа 449 Нодлисное ВНИИПИ Государственного комитета ло изобретениям и открытия 113035, Иосква, Ж, Раущская наб., д. 4/ Г Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Уагород, ул, Гагарина, 10