Вишнева
Устройство для восстановления информации
Номер патента: 548861
Опубликовано: 28.02.1977
Авторы: Вишнева, Ержанов, Шевкопляс
МПК: G06F 11/00
Метки: восстановления, информации
...и 41 - соответственно с выходом 42 элемента И 4 и с инверсным выходом 43 порогового элемента 2.Первый вход 44 элемента И 4 соединен спрямым выходом 45 порогового элемента 2,второй вход 46 - с управляющей шиной 47. ЗОВыход 48 порогового элемента 5 соединен свыходной шиной 49 устройства.Порог элемента 1 равен Т 4=4, порог элеи+1 л+ 1мента 2 - Т= (п - число вхоэдов, п=2 Й+1, й - допустимая кратностьошибки), порог элемента 3 - Т=п, порогэлемента 5 - Т,=З. Веса входов 6 - 20, 31,33, 34, 36, 37, 41 одинаковы и равны Ф=1,в;са входов 30, 32 и 40 одинаковы и равныРг -- 2,Входная информация Хь Хг Хподается на входы 21 - 25 устройства; сигналы К иК, определяющие режим работы устройства 45(с контролем или без контроля), - на входы35 и 47, сигналы У,...
Способ измерения глубины слоев монокристаллического полупроводника
Номер патента: 522462
Опубликовано: 25.07.1976
Авторы: Бутурлин, Вишнева, Ержанов, Кремлев, Чистяков
МПК: G01N 27/00
Метки: глубины, монокристаллического, полупроводника, слоев
...кипения или близкой к ней)раствор, содержащий 35,1% моль этилендиамина (М Н-СН) - Я,3,7% моль пирокатехинаС , Н( О Н )г) и 61,2% моль воды, (применяетсяпри температуре 100-110 С),В результате рельефного анизотропного трав.ления образца получают наклоненную плоскость9, составляющую угол сг с рабочей поверхностьюобразца и лежащую в кристаллографическойплоскости (111) 6.Подтравливание под край окна в маскирующем слое, расположенном по линии пересечениярабочей поверхности образца с кристаллографической плоскостью (111), отсутствует, На наклоненную плоскость выходят полупроводниковые слои и разделяющие их р - з 2 переходы; их линейныеразмеры (глубины) выглядят на наклоненнойплоскости увеличенными в масштабе, определяемом величиной...