Способ изготовления параметрического преобразователя частоты оптического излучения из монокристалла z g р

Номер патента: 1484132

Авторы: Андреев, Батурина, Воеводин, Грибенюков, Калеева

ZIP архив

Текст

СОЮЗ ССВБТСНИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 48413 9) 01) 5 С 02 Е 1(46 21 ЛСТОТЫ ОПНОКРИСТАЛЛА ПРЕОБРАЗОНЛТР ОИЗЛУЧЕНИЯ И нерац перес ЕпСеР 1511-15 Изобре ной оптик при изгот преобрав ния -ена схем еализова для хими рабочих исталла луч эле ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗО(71) Сибирский физико-техническийинститут им. В,Д.Кузнецова и Инстиоптики атмосферы СО АН СССР(56) Цернике Ф. и Мидвинтер Д.Ж.Прикладная нелинейная оптика. М.:Мир, 1976, с. 162.Андреев Ю,М.и др, Эффективная гия второй гармоники излучениятраиваемого СО -лазера вКЭ, 1984, т,11, В 8,54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПАРАМЕТР ние относится к нелинейи может использоватьсялении параметрическихтелей частоты оптическогоППЧОИ с е него ИК",иапа. Цель изобрете повышение КПД преобразования.На чертеже представл а устройства, позволяющего р тьспособ и используемого кодинамической полировки поверхностей ППЧОИ иэ монокрЕпСеРРаствор гипохлорита натрия 1 НаОС 1 для полировки рабочих поверхностейППЧОИ 2 иэ монокристалла ЕпСеР поали в электролизере с графитовыми,ктродамц путем электролиза растЧЕСКОГО ЛЯ ЧТИЧЕСКОГ 3 МГ2 пСеР(57) Изобретение относится к нелинейной оптике, к способу изготовления параметрического преобразователя частоты оптического излучения из монокристалла ЕпСеР , Цель изобретенпя - повышение К 1 Щ преобразования. Цель достигается полировкой рабочих поверхностей кристалла преобразователя в потоке водного. раствора гипохлорита натрия заданной концентрации с определенной скоростью потока. При этом рабочие поверхности ориентируют так, что излучение падает на них под углом Брюстера.Плоскости, в которых лежат эти углы, взаимно перпендику" лярны, 1 ил. вора 160 г хлористого натрия БаОС 1 марки ОСЧ в одном литре деионизованной воды. Для электролиза использо" вался стабилйзированный ток, величину которого можно было изменять в пре- делах 2-10 А, время электролиза обычно составллло 1 ч. После охлаждения и фильтрации раствор гипохлорита натрия был готов к употреблению. ,Концентрация активного хлора в раст-, воре, определялась йодометрически, С помощью химически стойкого лака Вк фторопластовой шайбе 3 диаметром П приклеивался ППЧОИ 2 из монокристалла ЕпСеР, центр которого отстоял от оси шайбы 3 на расстояние К (см) .Шайба 3 с приклеенным к ней ППЧОИ из монокристаллаЕпСеР устанавяи 1486132цаллГ.ь цл лцо фторопиястоВОГР стока ца 6 с внутреццчм Зиаметром РВ стакан заливали свежеприготовлецный раствор гцлохлорита натрия ИаОС 1, После отклонения оси стакана0 1 ц пт вертикали ца угол 40-50 стакан 1 приводился во вращение со скоростьюУ, (об/мин). Вращение стакана вокруг своей осн вызывает вра шецце шайбы со скоростью ОШУ 1), /Пы, об/мин. Химико-динамическая полировка рабочих поверхностей ППЧОИ из монокристалла ЕпСеР в водном растворе гипохлорита натрий 15 проводилась при различных значенияхО, и Пщ, при этом характеристика ППЧОИ зависит от обобщенного параметра ЧмаОсб - скорости потока водного раствора гипохлорита натрия 20 относительно ППЧОИ (см/с), которая равна скорости линейного перемещений НПЧОИ относительно раствора и определяетсл выражением2 йвову 2 пы т 0 стЧдтйоосеп б 0 30 Пщ Типичные значения укаэанных параметров при полировке ППЧОИ из моцокристалла ЕпСеР в водном растворе 30,гипохлорита натрия составляли Р15 см; 1)ь, =. 5 см; Б.2 см.Применение предлагаемого способанэволяет повысить,КПД преобразователя излучения ТЕА СО лазера в 355-7 раз эа счет химико-динамическойполировки (повьшения лучевой стойцкости) рабочих поверхностей .преобразователей и почти в 2 раза за счетиспользования новой геометрии рабочих 40поверхностей.Итоговый эффект от примененияпредлагаемого способа составляетболее чем десятикратное повышениеНЙЦ Иреобразования оптического излучения в ППЧОИ из монокристаллаЕпСеРДополнительным преимуществом предлагаемого способа является также повышецие надежности работы н увеличение ресурса при работе с источникИ- ми излучения накачки, позволяющими достигать плотность мощности, близкую к порогу поверхностных разрушений,Формула изобретения1, Способ изготовления параметрического преобразователя частоты оптического излучения из монокристалла ЕпбеР , включающий формирование входной и выходной рабочих поверхностей и последующую полировку рабочих поверхностей, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения КПД преобразования, полировку каждой рабочей поверхности проводят в потоке водного раствора гипохлорита натрия БаОС 1 с концентрацией активного хлора, 9-12 г/л со скоростью потока (50-100) см/с в течение времени, удовлетворяющего соотношению(150+7, с )Хвгде с - время полировки, мин,1 Мцосе - скорость потока гипохлорита натрия, см/с,Х " концентрация активногохлора в растворе гипохлорита натрия, г/л,2. Способ по п.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что входную рабочую поверхность формируют в плоскости, нормаль к которой задают углами в= с+ (1 б 18) и Чвьн =Чса вы-ходную рабочую поверхность формируют в плоскости, нормаль к которой задают углами вью= с и Ювы= с ф (1 б 18) е где Вс - угол Аазового синхронизма," угол между плоскостью (100)еи плоскостью, проходящейчерез оптическую ось и направление фазового синхронизма.1484132 Составитель ВТехред И,Дидык мир ректор С,Ч актор Т.Горяч КНТ СССР водственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина ЗакаэВНИИПИ 66 Тир сударственного комит113035, Иоскв Подписноео иэобретениям и открытиям д35, Раушская наб., д, 4/5

Смотреть

Заявка

4189719, 24.12.1986

СИБИРСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. Д. КУЗНЕЦОВА, ИНСТИТУТ ОПТИКИ АТМОСФЕРЫ СО АН СССР

БАТУРИНА Н. Л, ВОЕВОДИН В. Г, ГРИБЕНЮКОВ А. И, КАЛЕЕВА В. А, АНДРЕЕВ Ю. М

МПК / Метки

МПК: G02F 1/35

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

Опубликовано: 07.10.1992

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1484132-sposob-izgotovleniya-parametricheskogo-preobrazovatelya-chastoty-opticheskogo-izlucheniya-iz-monokristalla-z-g-r.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления параметрического преобразователя частоты оптического излучения из монокристалла z g р</a>

Похожие патенты