Способ измерения радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллических образцов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 391452
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРесп 1 бпик 391452 ависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 15.Х 11.1971 (М 1725072126-25)с присоединением заявки-Приоритет -Опубликовано 25.И 1.1973. Бюллетень3Дата опубликования описания 10.Х 11.1973 М. Кл. 6 01 п 23/20 осударственныи комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий ДК 621,386(088 Авторизобретени. А. Хацерно явител СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫНОРОДНО ИЗОГНУТЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ Изобретение относится к рентгенографическому анализу кристаллов, в частности, к контролю макродеформаций полупроводниковых кристаллов.В известном рентгенографическом методе определения;радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллов образец освещают узким монохроматическим пучком рентгеновских лучей и, перемещая образец па расстояние 1. в сооствеппой плоскости, измеряют угловые положения его, соответствующие брэгговскому условию, в крайних точках отрезка Е,. По разности этих угловых положений а вычисляют радиус кривизны Я по формуле Р=Ь/а.Такой способ характеризуется необходимостью настройки образца в каждой точке съемки, потребностью механизма для строго прямолинейного перемещения образца с точным определением длины Ь. Кроме того, разрешающая способность метода ограничена сравпительно небольшой остротой дифракционных пиков, определясмой горизонтальной расходимостьо первичного пучка (обычно несколько углов,х минут).Цсль изобретения - разработать такой способ определения радиуса изгиба кристаллов, который обладал бы лучшей разрешающей способностью и позволил бы упростить измерения.По предлагаемому способу измерсние производят па двухкристальном спсктрометре в параллельной установке (г - а) с использованием линейного фокуса. Для освещения двух точек поверхности образца из первичного мо нохроматизированного пучка выделяют двакак показано на чертеже. На ертежеприведены схемы гсометрии съемки и кривой отражения (Р - фокус рентгеновской -,рубки, М - монохроматор, О - образец, 5 - щелсвая 10 система, С - счетчик квантов, У - интенсивность отражсных рет сновскпх луче, 8 --г,овое положение образца).При съемке изопутого образца отдельныеучастки его освещенной поверхности последовательно входят в отражающее положение.В результате, точки 1 и 2 образца (см, чертеж) сформируют два дифракционных гика, разделенных по угловой оси на угол сх, равный центральному,гл, екд радисами-вектора ми, идущими от центра кривизны в точки 1и 2. Вычисление радиуса кривизны ведут по указапноп выше фортле Й =-Е./а, где Е, - расстояние между точками 1 и 2. Ширина просвета в щелях должна быть достаточно ма осй, 5 чтобы кривизной поверхности па освещенномучастке образца можно было бы просбре .Практически шпрпа просвета гцели е должна превышат 0,05 лл. Кроме того, д я повышения точности целесообразно увеличение 0 длины г которая при использовании рентге391452 Предмет изобретения Составитель М. ХацерновТех ред А. Камы ш ни кова Корректор О. Тюрина Редактор А. Морозова За,каз 3262/8 Изд, ЛЪ 840 Тираж 755 Ц 11 ИИ 11 И Гссударсгыенного кззпггета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К-З 5, Раушская наб., д. 4/5Подписное Типография, пр. Сапунова, 2 новских трубок типа БСВ - 8, 9, 10 может быть равной 8 - 10 лм.Предлагаемый способ не мокет быть использован для анализа неоднородно изогнутых, а также блочных кристаллов, в которых раз личие в угловом положении двух пиков отражения может быть связано с разорпентпровкой блоков в освещаемых участках, Данныи способ применяется в практике производства полупроводниковых приборов, где использу ются мопокристаллы ряда веществ, не обладающие блочностью. Способ измерения радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллических образцов, основанный на измерении разницы в угловом положении пиков отразкенпя рентгеновских лучей от двух точек образца, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и упрощения способа, образец облучают двумя лучами, выделенными из монохроматизированного пучка, на двухкристальном спсктромстре в положении (и, - п).
СмотретьЗаявка
1725072
МПК / Метки
МПК: G01N 23/207
Метки: изогнутых, кривизны, кристаллических, образцов, однородно, радиуса
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-391452-sposob-izmereniya-radiusa-krivizny-odnorodno-izognutykh-kristallicheskikh-obrazcov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения радиуса кривизны однородно изогнутых кристаллических образцов</a>
Способ определения радиуса кривизны кристаллов
Номер патента: 1291856
Опубликовано: 23.02.1987
МПК: G01N 23/20
Метки: кривизны, кристаллов, радиуса
...для исследования несложного устройства, предъявляющего незначительные требования к юстировке, а также простота измерений, оценки результатов, Так как для испытания всего кристалла достаточно построение одной кривой качания, скорость измерения высока, При подборе подходящих эталонных кристаллов возможно высокопроизводительное серийное испытание. Аппаратурные требования по Сравнению с известными двухкристальными дифракционными устройствами незначительны, так как испытание осуществляется только с .точностью до угловых минут (а не угловых секунд). Кривая качания неизогнутого и немозаичного (идеального кристалла) имеет ширину10,1-0,5 . Это осуществляется за счет1291856 применения пучка, расходящегося ввертикальной плоскости, что...
Прибор для измерения радиусов кривизны и несферичности вогнутой сферической поверхности
Номер патента: 373520
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Григорьев, Ершова, Жуковска
МПК: G01B 11/255, G01B 9/02
Метки: вогнутой, кривизны, несферичности, поверхности, прибор, радиусов, сферической
...в диске 8, закрытые заглушками И.Эталонный шар 1 выполнен в соответствии сноминальным радиусом контролируемой детали 7.ЗС Конструкция прибора позволяет производить смену эталонного шара 1 и измерительных наконечников 5 в соответствии с размерами контролируемой детали 7,На корпусе 9 предусмотрены посадочныеместа для крепления установочного устройст 5ва на оправе объектива 15 интерферометра(интерферометр для контроля плоских поверхностей),Предварительно собранное установочноеустройство располагается на интерферометре,эталонная пластина которого снята.После установки устройства на интерферометр производится регулировка измерительного клина, который создан плоской поверхностью пяты 10 и поверхностью плоскопараллельной стеклянной пластины...
Устройство для контроля радиусов кривизны и местных ошибок оптических поверхностей деталей
Номер патента: 629447
Опубликовано: 25.10.1978
Авторы: Голиков, Гурари, Прытков
МПК: G01B 11/30
Метки: кривизны, местных, оптических, ошибок, поверхностей, радиусов
...схема предла 1 аемого устройства. 20Оно содержит источник 1 излучения,осветительную систему 2 юстируемуюплатформу 3 для крепления контролируемой детали, эталонное зеркало 4, рассеивающую пластину 5, светоделнтель 6, пространственный модулятор 7 излучения,наблюдательную систему 8. Индексом 9обозначена контролируемая деталь,Х У,- оси координат, где ось У перпендикулярна к плоскос 1 и чертежа. 30Устройство работает следующим обИзлучение от источника 1 излучениячерез осветительную систему 2 светоделитель 6 и рассеивающую пластину 5 одновременно освещает эталонное зеркало4 и контролируемую деталь 9.Предварительно получают пространственный модулятор 7 излучения путем регистрации через рассеивающую пластину5 голограммы...
Способ измерения радиусов кривизны вогнутых и выпуклых сферических поверхностей и устройство для его осуществления
Номер патента: 1502956
Опубликовано: 23.08.1989
Авторы: Махлина, Полукарова, Юрасов
МПК: G01B 5/22
Метки: вогнутых, выпуклых, кривизны, поверхностей, радиусов, сферических
...где к радиус кривизны выпуклойконтролируемой поверхности;г - радиус кривизны соответст 2вующей вогнутой эталоннойповерхности. 15 пЬ, - Ь 2ф радиус кривизны вогнутой контролируемой поверхности; радиус кривизны соответствующей выпуклой эталоннойповерхности; где К,ь,и Ь - перемещения контролиру 2емой детали относительно Составитель Е. РодионоваТехред И,Дидык Корректор Н. Король Редактор Н. Рогулич Заказ 5076/52 Тираж 683 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб ц. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 1. Способ измерения радиусов кривизны вогнутых и выпуклых сферических поверхностей, заключающийся в сравнении...
Способ контроля радиуса кривизны сферических поверхностей
Номер патента: 557621
Опубликовано: 05.03.1978
Авторы: Казанкова, Ларионов, Лукин, Мустафин, Рафиков
МПК: G01B 11/255
Метки: кривизны, поверхностей, радиуса, сферических
...поверхность с центром кривизны;5 - объектив; б - контрольный прибор. В качестве контрольного прибора, обеспечивающего формирование светящейся точки 1 и юстиронку схемы, используют .либо антоколлимационный микроскоп, либо интерферометр типа Тваймана-Грина.Способ осуществляется следующим образом. При контроле вогнутых поверхностей голограмму 2 устанавливают на)5 расстоянии К от светящейся точки и наблюдают ее антоколлимациопное изображение .(фиг,1), При контроле выпуклых поверхностей голограмму 2 устанавливают на расстоянии В от изображения С светящейся точки 1, сформированного объективом 5 (фиг.2). Это положение голограммы фиксируют с помощью щупа 3, производят первый отсчет, голограмму заменяют контролируемойповерхностью 4,...
Предыдущий патент: Способ рентгеновского абсорбционного анализа
Следующий патент: .всесоюзная
Случайный патент: Агрегат для закалки рельсов и способ его настройки