Способ контроля толщины кристаллических
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 344265
Авторы: Ионосферы, Распространени, Сибирский, Скоморовский
Текст
344265 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетоииа Сецмалмотмчеокил РеолублииЗависимое от авт. свидетельства1, Кл, б 01 Ь 11/06 аявлено 15,7.19 452271/25 вки1600875/25 с присоединением Приоритет публиковано Комитет ло делам иаооретений и отнрыт лри Совете Министре СССРАвторизобретени В. И. Скоморовский ибирский институт земного магнетизма, ионосфе и распространения радиоволнаявител СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИ НЬ КРИСТАЛЛ ИЧЕСКИХЛАСТИН ИНТЕРФЕРЕНЦИОННО-ПОЛЯРИЗАЦИОННОГОФИЛЬТРА В ПРОЦЕССЕ ДОВОДКИ 1Изобретение относится и контроЛьно-измерительной технике и может быть использовано, в частности, для контроля оптической толщины в процессе доводки кристаллическихпластин интерференционно-поляризационногофильтра.Известен способ контроля толщины в процессе доводки кристаллических пластин интерференционно-поляризационного фильтра,одна из которых - опорная, а другая - подгоняемая в два раза толще или тоньше, илитакой же толщины, что и опорная, при любойдлине волны источника света и любой температуре.О правильности доводки дробной части оптической толщины судят по отсчетам компенсатора Сенармона, получаемым сначала приконтроле одной, а затем при контроле подгоняемой и опорной пластин вместе, Произвольная температура при контроле пластин поддерживается термостатом.Однако разброс отсчетов, получающийсяпри фиксировании положения погасания вкомпенсаторе Сенармона и колебания температуры в термостате от измерения к измерению, приводит к снижению точности кон.троля,Предлагаемый способ контроля отличаетсятем, что, с целью повышения точности контроля, о правильности доводки судят по взаимному положению интерференционных полос, которые одновременно получают как на опорной пластине, так и на опорной и подгоняемой при их совместном действии. На чертеже представлена схема, реализующая предлагаемый способ.Опорную пластину 1 и подгоняемую пластину 2 помещают между поляроидами 8 в 10 параллельный пучок света, создаваемый источником 4 монохроматического света и коллиматором б. Если толщины пластин приблизительно отличаются в два раза, их частично взаимно перекрывают, а оптические оси раз ворачивают на 90. С помощью кристаллического клина 6 получают интерференционные полосы на клине, на опорной пластине при совместном действии с клином и на общей части опорной и подгоняемой пластине 20 с клином при совместном действии с клином.Интерференционные полосы наблюдают через объектив 7. Доводку пластины ведут до тех пор, пока интер ференционные полосы на опорной пластине и интерференционные по.25 лосы на перекрывающейся части опорной иподгоняемой не расположатся симметрично относительно полос на клине. При этом подгоняемая пластина окажется в два раза толще опорной. Наоборот, если опорной являетЗо ся пластина 2, то доводят пластину 1 до по.34426 э Предмет изобретения 51 2 Составитель Лобзоваедактор Л, Народная Техред Т, Ускова Корректор Т, Гревцова Заказ 2191/1 Изд,937 Тираж 406 ПодписноЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова лучения такого же расположения интерференционных полос.Пластины приблизительно одинаковой толщины помещают в пучок рядом, оптические оси ориентируют параллельно. Доводку дробной части толщины контролируемой пластины ведут до тех пор, пока интерференциоиные полосы, получаемые с помощью клина, не совпадут на обеих пластинах,Нониусное совмещение интерференционных линий обеспечивает высокую точность контроля оптической толщины. Контроль не зависит ни от длины волны источника света, ни от температуры, и при этом отпадает необходимость термостатирования пластин, так как и опорную контролируемую пластину помешают в одинаковые условия и измеряют одновременно. Способ контроля толщины кристаллическихпластин интерференционно-поляризационного 5 фильтра в процессе доводки, одна из которых - опорная, а другая - подгоняемая, в два раза толще или тоньше, или такой же толщины, что и опорная, при любой длине волны источника света и любой температуре, 10 отличающийся тем, что, с целью повышенияточности контроля, о правильности доводки судят по взаимному положению интерференционных полос, которые одновременно получают как на опорной пластине, так и на опор ной и подгоняемой при их совместном действии,
СмотретьЗаявка
1452271
В. И. Скоморовский, Сибирский институт земного магнетизма, ионосферы, распространени радиоволн
МПК / Метки
МПК: G01B 11/06
Метки: кристаллических, толщины
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-344265-sposob-kontrolya-tolshhiny-kristallicheskikh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля толщины кристаллических</a>
Предыдущий патент: Способ измерения линейного размера прецизионного эталона
Следующий патент: Способ определения времени дрейфа заякорной буйковой станции
Случайный патент: Коррозионно-стойкая сталь