Патенты с меткой «доменов»

Номер патента: 1127003

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Службин, Темерти, Хохлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...причем смежные ферромагнитные аппликации повернуты относительно друг друга на 180 и гальванически связаны между собой.3 1127В предложенном канале для продвижения ЦМД выполнение и размещение токопроводящих шин и ферромагнитных аппликаций совместно с указанными связями, в том числе с .источником . внешнего магнитного поля, обеспечивают формированиемагнитостатической ловушки, .имеющей в отличие от прото- тина значительно больший градиент продвигающего поля, и в предложенном 10 устройстве нет элементов, меньших диаметра ЦИД.В таком канале формироваиие магнитостатических ловушек ОКИСЛ) обуславливается суммарным воздействием иеременного тока, подаваемого в пыны, и внешнего переменного магнитного поля с заданным сдвигом фазы относительно...

Номер патента: 1127005

Опубликовано: 30.11.1984

Автор: Клейменов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключателя, формирователь, цилиндрических

...катоды являются выходом формирователя тока, и второй накопительный элемент в виде конден:сатора, одна обкладка которого подсоЕдинена к аноду первого диода, а, другая " к шине нулевого потенциала.На фиг.1 изображена принципиальная схема предлагаемого формирователя тока; на фиг.2 - временные диаграммы основных сигналов при формировании импульсов тока ступенчатой формыФормирователь тока для переключателя ЦМД (фиг,1 содержит источник 1 питания, два ключевых элемента 2 и 3, входы которых подключены к шине нулевого потенциала, резистор 4, один вывод которого подключен к выходу первого ключевого элемента 2, а другой - к выводу дросселя 5, второй вывод которого подключен к источнику 1 питания, причем управляющие входы 6 и 7 ключевых...

Номер патента: 1144152

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...выполненные в виде двухполос с зазором, причем каждая иэполос размещена вдоль одной иэ огибающих отверстий расширителя ЦИД,зазор между полосами на входе расширителя выполнен меньше диаметраЩЩ, а зазор между полосами навыходе расширителя ЦЙД больше илиравен длине магниторезисторного датчика.На фкг. 1 изображена конструкция предложенного устройства, иафиг. 2 - вариант выполнения предложенного устройства, при котороммагниторезисторный датчик гальванически связан с ферромагнитнымиаппликациями.Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов содержитмагнктоодноосную пленку 1, на кото"рой нанесены электропроводящие слои2, разделенные диэлектриком (непоказан). В электропроводящих слоях 2 выполнены .отверстия, образующие канал 3...

Номер патента: 1148011

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Величко, Гусев, Павлов

МПК: G01R 33/00

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, субмикронных, цилиндрических

...из упругой пластиныс закрепленными на концах магнитамиодинаковой массы и зажатой в центремасс между ребрами треугольных призм. ными на концах магнитами одинаковоймассы и зажатую в центре масс междуребрами треугольных призм.На фиг. 1 представлена структур 5 ная схема устройства; на фиг. 2 -схема механического Фильтра.Устройство (фнг. 1) содержитоптически связанные источник 1 света,поляризатор 2, анализатор 3, микро 10 скоп 4, фотоприемник 5, выход которого соединен с входом механическогофильтра 6, а также блок 7 анализасигнала, блок создания магнитныхполей, состоящий иэ катушек смеще 15 ния 8 и модуляций 9, цифровой вольтметр 10, генератор 11 пилообразноготока, подключенный к катушке смещения 8, и генератор 12 синусоидального...

Номер патента: 1160471

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Раев, Смирягин, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, растяжения, узел, цилиндрических

...растяжения ЦМДцля обеспечения требуемой длины домена. За счет увеличенных геометрических размеров устройства увеличивается значение рабочих токов управления, что ведет к увеличению, перегрева и снижает область устойчивойработы устройства. Кроме того, увеличенные размеры узла для растяжения ЦИД снижают плотность записиинформации на ЦИД-кристалле.Целью изобретения является расширение области устойчивой работыузла для растяжения цилиндрическогомагнитного домена.Поставленная цель достигается тем,что в узле для растяжения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, накоторой расположены изолированныеодин от другого токопроводящие слои,в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий, пос-.ледние в каждом токопроводящем...

Номер патента: 1167656

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Абрамов, Розенталь

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...второй вход 14 элемента 10 подключен к верхней выходной ветви 7 канала 4, второй выход 19 элемента 10 подключен к аннигилятору ЦМД 27, а третий выход 20 подключен к датчику 24 через элемент 26 расширения.Резисторы 28 и 29, соединенные с датчиками 23 и 24 в мостовую схему, находятся вне магнитоодноосной пленки 1.Место магнитной связи 30 отстоит от датчиков 23 и 24 на одинаковом расстоянии.ЦМД 31 и 32 находятся в основном канале 3, ЦМД 33, 34, 35, 36 находятся во входной ветви 5 дополнительного канала 4, ЦМД 37 находится в регистре 21 кода маски, а ЦМД 38 - в регистре 22 кода маски.Работа устройства для считывания ЦМД начинается с момента, когда от непрерывно действующего источника 8 в место магнитной связи 30 основного канала 3 и...

Номер патента: 1180976

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Нецветов, Темерти, Хохлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...Отверстия имеют удли.пенную форму (фиг.1 ). Отверстия одного ряда в каждом слое размещены относительно друг друга на расстоянии Я, Одна из коротких сторон каждого отверстия размещена на прямой 9, образующей ось пути продвижения доменов. В каждом из рядов отверстия слоев 2 - 4 сгруппированы по три, например, одну группу составляют отвер.стия б - 8, другую - 6 - 8 и т, д, В каждой группе отверстий проекции на магнитоосную пленку коротких сторон, лежащих на прямой 9 (фит. 1), выполнены с расстоянием между центрами/3 вдоль пути проди вижения, Проекции противоположных корот.ких сторон совмещены. Один ряд отверстий является зеркальным отображением другого оо сдвигом вдоль оси канала на/2, Цифрами 10 - 15 на фиг. 1 обозначены позиции домена...

Номер патента: 1181570

Опубликовано: 23.09.1985

Автор: Арнульф

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...цилиндрических магнитных доменов в виде колонок шевронных ап пликаций иэ ферромагнитного материала, магнитосвязанный с тонкопленочным магниторезистивным датчиком в виде прямоугольной полоски, расположен"ной между смежными колонками шевронных аппликаций перпендикулярно осидоменопродвигающего канала, В результате растяжения домена, продвигающегося в расширителе, его поле рассеяния захватывает большую площадь ивоздействует на магниторезистивныйдатчик, выполненный в виде полоски,расположенной между соседними группами шевронных аппликаций и гальванически связанной с ними 23,В известном устройстве для считывания ЦМД в результате наличия гальванического контакта между датчикоми аппликациями расширителя ЦМД значение насыщения относительного...

Номер патента: 1185291

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Алексеев, Гинзберг, Донцова, Злоказов, Проклов, Тихомирова, Шувалов

МПК: G02B 5/18

Метки: доменов, регулярной, сегнетоэлектрических, структуры, формирования

...границы 5 локальной неоднородности электрического поля, Этот до" мен под действием электрического поля начинает расти за счет бокового движения доменных стенок 10 и 11, Причем сначала передвигается доменная стенка 10, которая находится в области ступени 3 поля Е" а па достижении ею края пластины 1 - доменная стенка 11, расположенная в области пьедестала 4 поля. В процессе этого движения доменная стенка 11, не изменяя сваей конфигурации, последовательно проходит положения б, 7, 8 и т,д. и может быть зафиксирова - на в любом из них, например, в положении 8 снятием воздействия электрического поля. В связи с тем, что скорость бокового движения доменной стенки в сегнетоэлектриках однозначно связана с величиной приложенного...

Номер патента: 1229823

Опубликовано: 07.05.1986

Авторы: Ольховский, Паринов, Сондаевский

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижением

...вблизи пленки 1,1 Устройство для создания управляющего магнитного поля может содержать (фиг. 2) дополнительные последовательно соединенные генератор 6, щелевую линию 7 передачи и фазовращатель 8 отражательного типа, причем основная и дополнительная щелевые линии передачи развернуты одна относительно другой на 90.Первое устройство (фиг. 1) может быть применено в ЗУ на магнитных носителях информации, например ЦМД, вертикальных блоковских линиях, уп-. равляемых с помощью сканирующего магнитного поля,10. Второе устройство (фиг. 2) можно применять в ЗУ для управления отдельными ЦИД или потоками, в частностипо траекториям, образованным доменопродвигающими структурами (ферромагнитными, ионно-имплантированными и др.) посредством...

Номер патента: 1244720

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Епанчинцев, Силантьев, Шелухин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, цилиндрических

...доменосодержащей пленке образуют решетку ЦМД путем воздействия параллельной плоскости составляющей магнитного поля. Затем на пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направление которогр нормально плоскости пленки, а амплитуда изменяется от нуля до Н (фиг, 1). Амплитуда импульса Н, йарастает от импульса к импульсу по ступенчатому закону. Длительность импульсазначительно превышает время коллапсйрования доменов. В паузах длительностью С между импульсами магнитного поля проводят анализ решетки ЦМД. В случае, если сколлапсировал цилиндрический домен при Н;, то после снятия поля один из соседних доменов в решетке растягивается в полосовой, занимая освободившийся объем пленки. Ширина полосовых доменов в нулевом магнитном...

Номер патента: 1249585

Опубликовано: 07.08.1986

Автор: Низель

МПК: G11C 11/14

Метки: динамических, доменов, изображения, магнитных, формирования

...14 сравнения формируется сигнал длительностью в один период частоты импульсов синхоонизаиии который подается на установочный вход триггера 13 и формирует на его3 249 выходе импульс длительностью в одинпериод частоты импульсов синхронизации, фронты которого жестко привязаны к фронтам импульсов синхрониза- Фции. Импульсы с выхода триггера 13 поступают через формирователь 12 импульсов на управляющий вход электронно-оптического преобразователя 4 и формируют на его выходе иэображение ЦМД, как было описано. оЪДлительность импульсов, формируемых триггером 13 (в единицах угла поворота напряженности магнитного поля управления), при этом определяет 360ся как вгде и - емкость счетчиика 8. Частота следования этих импульсов равна частоте поля...

Номер патента: 1273998

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Иерусалимов, Половинкин, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, полосовых, продвижения

...линией 5, к колонкам аппликаций, где преобразуется вполосовой домен, Полосовой домен 6продвигатеся по колонкам аппликапийвдоль оси 5. Под действием поля Нврмагнитные полюса, наводимые этимполем в аппликациях, создают магнитостатистические ловушки ( МСЛ),обеспечивающие растяжение и продвижение доменов, при этом верхушки доменов магнитосвязаны с допелнительными аппликациями 3, При отключенииполя Н аппликации 3 остаются намагниченными, так как они выполненыиз Ферромагнитного материала с повышенной коэрцитивной силой. Таким образом, верхушки ПМД остаются в МСЛ,которые фиксируют их положение ипрепятствуют стягиванию полосовыхдоменов в ЦМД, что повышает надежность канала продвижения полосовыхмагнитных доменов.Чтобы аппликации 3 могли...

Номер патента: 1275539

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Андреев, Миляев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...5 продвижения ЦМД, Пленка 1 находится в параллельно ее плоскости вращающемся магнитном поле источника 10. Мини 1 мальная ширина токовой шины 3 равна восьми диаметрам ЦМК,и ограничена возрастанием вероятности сбоя эа счет растяжения ЦМД вдоль края токовой шины 3 между соседними каналами 5 продвижения ЦМД. Максимальная ширина токовой шины 3 ограничивается лишь длиндй каналов 5 продвижения ЦЩ. Переключатель ЦМД работает следующим образом.Импульс тока источника 7 подается в токовую шину 3, когда фазамагнитного поля источника 10 составляет 180 . В этот момент времени ЦМД 2 находится в положении А у границы неимплантированных областей 6 первого канала 4 продвижения ЦМД. Наибольшая плотность тока в шине 3 локали 2зуется между вырезами 8 и 9....

Номер патента: 1275541

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Брякин, Вашкевич, Говоров

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, цилиндрических

...ЗИ-НЕ 17 поступают навычитающий вход счетчика 15, цифро 5 вой код которого уменьшается. Приэтом уменьшается и выходное сопротивление 35 резистора 18, которыйвключен параллельно активному сопротивлению колебательного контура гел 1 О нератора 9 гармонических колебаний. я Частота последнего возрастает. а При достижении момента, когда частота генератора 9 гармонических колебаний станет больше, чем реэонанс 15 ная частота фильтра 23, в П-триггер я запишется единица, которая разрешитпрохождение импульсов с делителя 19через элемент ЗИ-НЕ на суммирующийвход счетчика 15, и величина выход - 2 О ного сопротивления резистора 18 увеличивается, что вызывает уменьшениечастоты генератора 9 гармоническихколебаний.Далее наступает динамическое...

Номер патента: 1300559

Опубликовано: 30.03.1987

Авторы: Кузнецов, Матвеев, Шотов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...3 сигнал полокителягой полярности устанавливает регистр данных 11 в состояние логической , Нри этом схема выбора компараторов обеспечивает выбор дополнительного компаряторя 9. Если на входе компяратора сигнал отсутствует (ЦМД присутствует о 11 новременно В датчиках 1 и 4 или 2 и 3 или щобгце отсутствует), то в регистре данных1 Охраняетс 51 предыдущее состояние, а иг появлении ЦМД В датчиках 2 или 4 т. е.с приходом сигнала отрицательной полярности, регистр данных1 переходит в состояние,гогицеского О, а блок выбора ком 8 подк;ггочяег ко вход, реИстралапых 1 компаратор 7.Госледовательность появлен и я ЦМД в д 1 тчикях сле 1 ующгя.Внгчггге ЦМД из первого капала вывода проходит рабочий датчик 1, а затем в следуюпем акте он появляется в...

Номер патента: 1300561

Опубликовано: 30.03.1987

Автор: Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...для продвижения ЦМД.Каььал для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которойпоследовательно расположены пермаллоевыеэлементы 2 в форме несимметричных полудисков, у которых приемные перемычки3 выполнены большей длины, чем передающие перемычки 4, и расположены под углом я=43 - 47 к оси канала, причем зазор о между смежными несимметричными 5полудисками 2 равен среднему значениюди ам етра ЦМД г.Указанное расположение элементов 2 поотношению к оси канала позволяет минимизировать расстояние между приемной 3 ипередающей 4 перемычками, которое в данном случае равно ширине зазора о (илидиаметру ЦМД д), что примерно в 1,8 раза меньше, чем в прототипе. В результате этого градиент магнитных нолей рассеивания увеличивается в 1,8...

Номер патента: 1325557

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Воротинцев, Гиль, Нестерук

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...последовательностей одновременно достигают шевронных аппликаций первых столбцов 15 в первом и втором элементах растяжения ЦМД. Однако информационный бит во втором элементе растяжения ЦМД поступает под активный датчик 7 на 0,5 периода изменения поля управления Н раньше (вектор Ннаходится в положении 1), чем соответствующий бит в первом элементе растяжения, который оказывается под активным магниторезистором 7 при повороте вектора Н в положении 111. Причем к моменту поступления ЦМД первой информационной последовательности к активному датчику 7 первого элемента растяжения одноименный ЦМД из второй информационной последовательности уже покидает активный датчик 7 второго элемента растяжения ЦМД, что исключает компенсацию выходного...

Номер патента: 1334178

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Вермишян, Шакарян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, плоских, репликатор

...1 и выходной 2каналы продвижения ПМД сформированыразмагничивающими полями (Н, ) высококоэрцитивных ферромагнитных1-образных аппликаций, которые в 25области соединения формируют У-образную аппликацию 6.Репликатор плоских магнитных доменов работает следующим образом.Под действием наносекундного импульсного магнитного поля Ьи однородного магнитного поля Й низкокоэрцитивная ферромагнитная пленка 3в области действия размагничивающегополя (Н) 1-образной аппликацииМок 35переходит в однодоменное состояние,в результате чего обеспечивается условие для синхронного направленногоперемещения информационных доменов.Так как область соединения У-образ 40ной аппликации 6 шире 1-образной аппликации, что соответственно приводит к уменьшению Нв этой...

Номер патента: 1336106

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Вермишян, Шакарян

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, плоских

...4 в форме ромба. Край аппликации 4 (вершина ромба) расположена в одной вертикальной плоскости с торцом высококоэрцитивной ферромагнитной 1-образной аппликации 5, размагничивающее поле Н"к которой формирует канал продвижения ПМД.Генератор ПМД работает следующим образом.Под действием наносекундного импульсного магнитного поля Н. известной величины и формы в ферромагнитной пленке 1 возбуждается высокочастотное сползание доменных границ, При приложении однородного магнитного поля Нл, удовлетворяющего условию( Нр + Нлок) ) Нл) )Нл.крит., (1) где Н; - текущее значение однородногомагнитного поля;Н - размагничивающее поле низкокоэрцитивной ферромагнитнойпленки в области действия НН - размагничивающее поле предварительно насьпценной...

Номер патента: 1341681

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Мамалуй, Сирюк, Ярош

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, магнитоодноосной, пленке, решетки, формирования, цилиндрических

...формирование решетки импульсныммагнитным полем н поле смещения,Как видно из фиг.1, с ростом положительного.поля смещения диаметр домена с 1 уменьшается, с ростом отрицательного поля смещения диаметр домена увеличиваетсяПериод решетки аот поля смещения не зависит. Зависимость температуры распада решетки отполя смещения показана кривой 2 нафиг.3. При таком формировании решетки температурный интервал устойчивости решетки можно только увеличивать;плотность увеличивается при Н0уменьшается при Н, ) 0 (фиг,1,таблица),На фиг,2 показано влияние полясмещения на. параметры решетки ЦМДпленки (УБпй.цба) (Ребе)О, ,сформированной при воздействии суйерйоэицииполей, С ростом величины приложенного при формировании решетки гголожительного поля...

Номер патента: 1363304

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...шин, причем ширина вырезов равна диаметру цилиндрического магнитного домена. 1 13633Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении накопителейинФормации на цилиндрических магнит 5ных доменах (ЦМД).Целью изобретения является повышение надежности генератора,ЦМД.На. Фиг,1 изображена конструкцияпредложенного устройства; на Фиг.2и 3 представлено распределение магнитного поля вокруг токопроводящих шин(разрезы А-А и Б-Б на Фиг,1 соответственно),Генератор ЦМД содержит магнито г,одноосную пленку 1 /Фиг,1/, напримермонокристаллическую пленку Феррит"граната, на поверхности которой методами напыления и ФотолитограФииустановлена токопроводящая шина 2,одна из продольных боковых сторонкоторой снабжена вырезом 3,...

Номер патента: 1365128

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Вермишян, Шакарян

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, плоских

...перемещается по дополнительному каналу 7 и поступает на его выход, Увеличивая длительность импульса тока 1, можно переключить иэ основного канала : дополнительныи непрерывную последовательность ПМД. 28ну увеличения ведет к самопроизвольному возникновению,ПМД, генерирование которых обусловлено большой величиной размагничивающего поля перемычки 10. Токопроводящая шина 11 управления выполнена иэ немагнитного материала, в противном случае возникает опасность влияния локального магнитного поля токопроводящей шины на работу переключателя. Величина магнитного поля Н, возникающего вокруг аппликации 9 под действием тока 1 и в области ферромагнитной пленки 1 совгадающего по направлению с магнитным полем Н, (Й 4 1 Й), должна удовлетворять условию...

Номер патента: 1399815

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Нецветов, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...11 и 12 тока соеди 45 иены соответственно с первым и вторым выходами синхронизатора 13, Устройство должно быть размещено в поле смещения Н , создаваемом источником 14 поля смещения.Устройство работает следующим образом.Пусть с помощью запуска от синхронизатора 13 первый источник 11 тока формирует импульсный ток 1, положительной полярности (фиг. 2), который поступает непосредственно в проводник 2 в виде меандра, а через диод 9 - в прямолинейный проводник 5 ограничителя (ток 1 ).Тогда при указанномна фиг. 1 направлении поля смещенияНв позиции 1 канала продвижениядоменов магнитоодноосной пленки 1формируется магнитостатическая ловушка (МСЛ) для ЦМД эа счет локальногопонижения вертикальной составляющеймагнитного поля с анутренних...

Номер патента: 1418810

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Добрынин, Езупов

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, плоских, считывания

...проводником, направленное всторону намагниченности домена. Действие поля Н приводит к уничтожению доменов в низкокоэрцнтивной области магнитной пленки эа исключением начала н конца участка, магнитосвяэанного со считывающим проводником, где поле Н компенсируется противоположно направленным полем Н .УВ момент времени 5 оканчивается воздействие на магнитную пленку импульсами магнитных полей Ни Нг К этому моменту информационный домен состоит из двух независимых частей, каждая из которых представляет собой полосу, вытянутую вдоль оси трудного намагничивания, при этом первая часть информационного домена расположена в начале участка магнитной пленки, магнитосвязанного со считывающим проводником, а вторая часть - в конце этого участкаВ...

Номер патента: 1437813

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Аленин, Службин, Темерти

МПК: G01R 33/05

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, поля, цилиндрических

...дифракции из-за коллапса ЦМД, Зафиксированная в этот момент величина поля в зоне расположения образца численно равна полю коллапса ЦМД для контролируемой пленки. Для облегчения изготовления зеркало состоит из двух частей с границей раздела, проходящей через малую ось эллипса и перпендикулярной большой оси.Поляризаторы 2 и 3 установлены так, что плоскости поляризации прохо дящего света пересекаются по оси устройства и повернуты на угол 90 друг относительно друга. Между поляризаторами в магнитную систему помещена контролируемая доменосодержащая пленка 8, Магнитная система 4 содер 35 жит пару катушек, обеспечивающих в зоне контролируемого образца нормальное поле, достаточное цля коллапса ЦМД в пленке, Зеркало 5 служит для40 сбора...

Номер патента: 1444886

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Кузнецов, Ланко, Матвеев, Уланова

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...предварительного каскада, и улучшающие отношения сигнал/помеха на входе компаратора,Устройство работает следующим об Оразом.При считывании информации из ЦМДнакопителя сигнал, снимаемый с диагонали мостов через конденсаторы 15 и16, усиливается и имеет вид, представленный на фиг.2 а,б. Сигналы отрицательной полярности не пропускаютсядиодами 12 и 13, а сигналы положительной полярности логически суммиру-ются, За счет нелинейности вольтамперной характеристики диодов сигналБ, на втором входе 17 компаратора11 приобретает форму, изображеннуюна фиг,2 в. При превышении величиныпорогового значения Б, на первом входе 18 компаратора 11 на выходе 19 компаратора 11 вырабатываетсяинформационный сигнал ТТЛ-уровня.Вместо одиночных диодов 12 и...

Номер патента: 1456993

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Гловацкий, Зельдин

МПК: G11C 11/14

Метки: глаз, гловацкого, доменов, магнитных, многоканальной, репликации, управляемой

...с подачей тока в шину3 последовательностью импульсов тока,соответствуюЩей набору значений управляющих переменных, возбуждают шины 4 управления блокировкой расширения магнитных доменов, Тогда вследствие прямой (совпадающей по направлению с направлением вектора напряженности поля стабилизации магнитных доменов) модуляции поля стабилизации магнитных доменов внутри техканалов ( петель шины 3), которые пересекают возбужденные шины, на путирасширения доменов будут образованымагнитные потенциальные барьеры, "высота" которых соответствует значению тока в шинах управления блокировкой,Пусть минимальное значение тока вшинах управления блокировкой, которое обеспечивает блокировку каналов,равно 1 6 . мин В тех случаяхкогдавозбужденные шины...

Номер патента: 1481855

Опубликовано: 23.05.1989

Автор: Орлов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, ключа, копирования, магнитных, формирователь, цилиндрических

...4 и величиной управляемого напряжения на входе 10 от источника питания Б, Изменяя величину напряжения питания У, и измеряяпадение напряжения на измерительномрезисторе 4, можно установить требуемую амплитуду 1 Р, тока копирования. Через ключ 2 ток в это времяпрактически не протекает, так какон зашунтирован открьггым ключом 1,В момент времени г. управляющий сигнал Б, на входе 6 становится положительным, В результате этого ключ 1 закрывается. Так как ключ 2 продолжает оставаться открытым, то теперьток 1 Р в ключе 8 копирования определяется сопротивлением измерительного резистора 4, сопротивлениемсамого ключа 8 копирования, сопротивлением токозадающего элемента 3 инапряжением питания Пп, на входе 10,При этом амплитуда тока 1 р...

Номер патента: 1494039

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Раев, Шорыгин, Юров

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, доменосодержащей, магнитных, пленке, продвижения, цилиндрических

...акустическиеволны небольшой амплитуды, достаточной лишь для того, чтобы вызнатьвысокочастотные радиальные колебаниядоменных границ ЦГЦ не сдвигая самЦГ 1 Д. Таким образом, амплитуда упругих колебаний выбирается меньшей, чемта, при которой начинается поступательное движение ЦИД в поле акустической волны (амплитуда поля стартаЦГЩ), Для создания таких колебанийиспользуется маломощный генераторупругих акустических волн, расположецный, например, ца поверхности доме цосодержащей пленки либе на торцекристалла с доменосодержащей пленкойлибо ца кристалле со стороны подложки.Малые колебания доменной границыобуславливают существенное сциыешевеличины коэрцитпшсой силы, тормозящей продвижение ЦМД, Так, при Создании высокочастотных...