Сондаевский

Номер патента: 1229823

Опубликовано: 07.05.1986

Авторы: Ольховский, Паринов, Сондаевский

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижением

...вблизи пленки 1,1 Устройство для создания управляющего магнитного поля может содержать (фиг. 2) дополнительные последовательно соединенные генератор 6, щелевую линию 7 передачи и фазовращатель 8 отражательного типа, причем основная и дополнительная щелевые линии передачи развернуты одна относительно другой на 90.Первое устройство (фиг. 1) может быть применено в ЗУ на магнитных носителях информации, например ЦМД, вертикальных блоковских линиях, уп-. равляемых с помощью сканирующего магнитного поля,10. Второе устройство (фиг. 2) можно применять в ЗУ для управления отдельными ЦИД или потоками, в частностипо траекториям, образованным доменопродвигающими структурами (ферромагнитными, ионно-имплантированными и др.) посредством...

Номер патента: 978081

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Владимиров, Сондаевский, Уздовский

МПК: G01R 15/24, G01R 29/12

Метки: напряженности, поля, электрического

...реперной и рабочей призмы, фотонриемник 5 с преоб-разователем импульсов световой энергии в сдвинутые по времени последо-.,вательности импульсов электрического тока, блок б регистрации, осуществляющий Фиксацию сформированных временных интервалов.Работа устройства базируется надвух физических эффектах: электрооптическом (Покквльса ) и боковойволныЛинейный электрооптический эффектзаключается, как известно,в том,что с изменением нацряженности электрического поля изменяется плотность 35электрооптического материала. Эффект боковой волны наблюдается при паде нии светового монохроматического, коллимированного пучка из оптическиболее плотной среды на границу раздела сред под критическим углом. Вэтом экстремальном случае,...

Номер патента: 648921

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Сондаевский, Уздовский

МПК: G01R 33/00

Метки: магнитного, напряженности, поля

...величиной постоянного магнитного поля. При прохождении шнуром тока области с периодически изменяющейся шириной базы на выходе генерирует-Ю ся импульс напряжения, амплитуда и длительность которого определяются изменением ширины базы диода. При изготовлении диода с Я-образной вольтамперной характеристикой иэ кремния 50 с глубокими уровнями золота, с удельным сопротивлением 5 10 фом.ом для изменения ширины базы диода в 50 мкм амплитуда генерируемых импульсов будет составлять фь 5 в. Изменяя конфигу рацию одного из электродов диода с 8-образной вольт-амперной характеристикой, используя различные материалы для ее изготовления, можно получить Импульсы нужной длительности и амплитуды. Таким образом, в отсутствии внешнего переменного...

Номер патента: 509992

Опубликовано: 05.04.1976

Авторы: Айрапетянц, Сондаевский, Уздовский

МПК: H03K 13/20

Метки: постоянного, токав, частоту

...6, 7, с которых снимают выход- ук ные сигналы, соединены с резистором 9, текоторому подключен источник напряжения10. Резистор 9 и источник 10 образуютисточник опорного тока. В качестве функцио6 нального элемента могут быть использованы распределенные диодные структуры изкомпенсированных полупроводников на основе кремния, германия, арсенида галия, четырехполюсные р-"Й - э - Й-сструктуры структ 3М ры с фазовыми переходами полупроводникВметалЛ"идругие, обладающие р -образнойрольтамперюй характеристикой,Преобразователь постоянного тока в частоту работает следующим образом.Аналоговыя сигнал, поступающий на об-,Мотку 2 преобразователя, сздает магнияминое поле, пропорциональное величине постудающего сигнала и направленное перпещпМ.кулярно...