Узел для растяжения цилиндрических магнитных доменов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК я орыгин ронных управляш 8.8)У 4181978,опублик. 19804142247,опублик. 1979 СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬГГИЙ(71) Институт элекщих машин(54)(57) УЗЕЛ ДЛЯ РАСТЯЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ.МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитооднооснув пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои,в которых выполнены группы периоди"чески расположенных отверстий, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью расширения области устойчивой работы узла для растяжения цилиндрических магнитных доменов, периодически расположенные отверстиягруппы в каждом токопроводящем слоевыполнены трапецеидальными, причемдлины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы большедлин других оснований соответствующих трапецеядальных отверстий группы не менее чем на 0,2 диаметрацилиндрического магнитного доменаи меньше длин прилежащих оснований смежных трапецеицальных отверстий,группы не менее чем на 0,2 диаметрацилиндрического магнитного домена.Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих и логическихустройствах, в которых носителямиинформации являются цилиндрическиемагнитные домены (1 ЩЦ).Известен узел для растяжения ЦМД,содержащий магнитоодноосную пленку,на которую нанесены изолированныеслои проводника с периодически расположенными отверстиями, выполненными в виде шевронов Г 1 .Однако в этом устройстве для расширения ЦИД требуется ток, вращающийся в плоскости проводникового слоя 15что существенно усложняет проектирование ЦМД кристалла. Кроме того, припродвижении растянутого ЦМД вдоль канала продвижения изменение длиныЦИД носит существенно неравномерный 20характер. Расширение ЦИД происходитлишь на 1/4 части пространственногопериода схемы В , в то время какна пути 3/4 расширения не происходит,это влечет за собой увеличение размеров узла считывания, что ведет к1 увеличению энергопотребления и снижению надежности устройства,Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности является узелдля растяжения ЦИД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которойрасположены изолированные один отдругого токопроводящие слои, в которых выполнены группы периодическирасположенных отверстий 2 ,Однако в известном устройствеизменение длины ЦМД носит пульсирующий характер. ЦМД за один такт растя.гивается на величину шага удлинения й, далее в течение одного такта сжимается на ту же величину и заследующие два такта растягиваетсяна величину 2 йЬ, Таким образом,ЦИД эффективно растягивается тольков течение полупериода, т.е. на половине пространственного периода 3, что значительно снижаетэффективность работы устройства. Этовызывает необходимость увеличенияразмеров .узла для растяжения ЦМДцля обеспечения требуемой длины домена. За счет увеличенных геометрических размеров устройства увеличивается значение рабочих токов управления, что ведет к увеличению, перегрева и снижает область устойчивойработы устройства. Кроме того, увеличенные размеры узла для растяжения ЦИД снижают плотность записиинформации на ЦИД-кристалле.Целью изобретения является расширение области устойчивой работыузла для растяжения цилиндрическогомагнитного домена.Поставленная цель достигается тем,что в узле для растяжения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, накоторой расположены изолированныеодин от другого токопроводящие слои,в которых выполнены группы периодически расположенных отверстий, пос-.ледние в каждом токопроводящем слоевыполнены трапецеидальными, причемдлины одноименных оснований трапецеидальных отверстий группы большедлин других оснований соответствующих трапецеидальных отверстий группыне менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена и меньшедлин прилежащих оснований смежныхтрапецеидальных отверстий группыне менее чем на 0,2 диаметра цилиндрического магнитного домена,На чертеже изображена конструкцияпредлагаемого узла для растяжения ЦИД.Узел для растяжения ЦМД содержитмагнитоодноосную пленку 1, на которойрасположены изолированные один отдругого токопроводящиеслои (не показаны), в которых выполнены группыпериодически расположенных отверстий 2 и 3 трапецеидальной формы, образованные основаниями 4 и 5 и боковыми стенками 6. На участке расширения доменов основания 4 и 5 последовательно увеличиваются в направленииот входа узла 7 к его выходу 8, ана участке стягивания домена -уменьшаются. Устройство работает следующимобразом,При пропускании через первыйи второй токопроводящие слои управляющих токов 1 и 1соответственно под основаниями отверстий 4и 5 поочередно генерируются магнитостатические ловушки, обеспечивающиерастяжение круглых ЦИД 9 в растянутые домены 10 и их перемещение отвхода 7 к выходу 8, При этом длиныоснований отверстий 2 и 3 последовательно изменяются не только припереходе от отверстия к отверстию,как в известном устройстве, но и всамих отверстиях за счет их трапе1160471 Составитель Ю.РозентальТехред Л,Мартяшова Корректор Г,Решетник Редактор О.Черниченко Заказ 3831/49 Тираж 584 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4 цеидальной формы. Поэтому изменение длины растянутого домена при его движении от входа к выходу носит монотонный характер, т,е. обеспечивается последовательное изменение длины домена при переходе его в каждую из своих четырех устойчивых позиций (во всех четырех тактах), на всем периоде схемы 3 . В предложенном устройстве при том же шаге удлинения домена на один такт за один период Т домен растягивается на величину 4 ВЬ, а в известном устройстве - на величину 2 дЬ.Таким образом, для растяжения домена на какую-то длину в предлага;емом устройстве требуется примерновдвое меньшее число периодов про,движения Я. 5 Уменьшение размеров узла длярастяжения ЦМД позволяет вдвое снизить амплитуду рабочего тока, протекающего через токопроводящиеслои, и позволяет существенно умень О шить рассеиваемую мощность. Это приводит к уменьшению нагрева ЦИД-кристалла и увеличивает область устойчивой работы устройства. Кроме того,.уменьшение размеров устройства 15 позволяет увеличить плотность записи информации на ЦМД-кристалле.