Патенты с меткой «доменов»

Номер патента: 691924

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...полосовых доменов запределы каналов ввода-вывода, приближая, таким обра.зом, их доменные стенки к местам разветвления дополнительного разветвленного канала продвиже Ония ЦМД на расстояние, которое меньше трех диаметров ЦМД. Можно сказать,что в.этом случае оказываются магнитосвязанными информационные каналыпродвижения ЦМД, канал ввода-.вывода 65в канале ввода-вывода, попадают далеепо этому каналу через элемент 8 расширения в датчик 14 и далее в элемент 9 ограждения. Поля рассеянияЦМД 16, 17 изменяют сопротивлениедатчика 14, и на выходе мостовой схемы имеются двоичные сигналы 1положительной полярности. В случае,если в некотором разряде выбранногослова отсутствует ЦМД (инфоГмационный ноль), то находящийся в местеразветвления 15...

Номер патента: 705516

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Новиков, Чиркин

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...ЦМД,Поставленная цель достигается тем, чтов генераторе ЦМД йетля образована участ.ками даменопродвигающей аппликации, авершина петли расположена на конце вышеукаэанной доменопродвигающей аппликациивдоль канала продвижения ЦМД,На фиг. 1 а, б, в представлены различные варианты конструктивного исполнения 1 егенератора ЦМД в зависимости от типа при.меняемой доменопродвигающей аппликации;на фиг. 2 - фазовая диаграмма работы ге..нератора, на фиг. 3 - . экспериментально полученные ОУР известного генератора ЦМД"кривая а и предложенного генератора ЦМД 14кривая б.Генератор ЦМД (фиг, 1 а) содержит магнитоодиоосную пленку 1 с ЦМД, на поверх-,ности которой расположена пермаллоеваятоковая шина 2, выполненная .в виде петли, 30.которая...

Номер патента: 706879

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Ломов, Юдичев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 2 - 9 Р-образной формы, ориентированные вдоль оси 10 канала продвижения ЦМД. Р-образные аппликации 2 - 9 (фиг. 1) состоят из замыкающей перемычки 11, которая может иметь разрыв 12, и перемычек 17, примыкающих к замыкающей 11 и выпуклой 14 перемычкам. Перемычки 13 могут быть выполнены разной ширины (фиг. 1, в).Работает канал продвижения ЦМД следующим образом.Вращающееся магнитное поле Йу намагничивает аппликации, создавая притягивающие и отталкивающие полюса на ферромагнитных аппликациях, На фиг. 2 притягивающие полюса отмечены знаком +, а отталкивающие - знаком- . При положении вектора Йу, показанном на фиг. 2, а ЦМД может...

Номер патента: 708416

Опубликовано: 05.01.1980

Авторы: Прохоров, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: делитель-аннигилятор, доменов, магнитных, цилиндрических

...их дополнительный канал продвижения ЦМД, выполненный на крестообразной ферромагпит. ной аппликации 6 и шина управления 7 источник управляющего магнитного поля ка чертеже не показак) .Устройство работает следующим Образом.Фиг, 2 иллюстрирует стирание информации и запись на это место новой информации. Если импульсные токи не пропускаются по шике управления, квжд,л из доменов 8 или 9 пере. мещается по соответствующему каналу продви 55 жения ЦМД (фиг.2, а-б).При пропускакни импульского токапо шине управления в момент времени когда вектор намагниченности направлен вверх фиг.2, 6 в), домен 8 может быть уничтожен вихревым О магнитным полем проводника с током, что равкосильно стиранию соответствуюгдто бита информации. Домен 9,...

Номер патента: 720505

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Белкин, Юров

МПК: G11C 11/00, G11C 11/14, G11C 11/155 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...прохождения ЦМД 2 под магниторезистором 3 его нормальная компонента вызывает изменение сопротивления магниторезистора, а радиальная компонента поля рассеяния ЦМД (в плоскости пластины) переключает (перемагничивает) ферромагнитную пленку 5 в направлении оси трудного намагничивания. За счет высокой магнитной проницаемости, большей 104 ф, пленка, насыщаясь слабым полем домейа, рассеивает непосредственно у своего торца индукцию порядка 104 Гс. Расчет показывает, что нормальнач компонента этой индукции В усредненная по толщине полупроводниковой пленки (2 - 3 мкм), составляет величину 300 - 600 Гс, т. е. в 4 - 9 раз превышает собственно поле ЦМД. В этом случае ЭДС Холла возрастет пропорционально этой величине. В отсутствие ЦМД поле...

Номер патента: 720506

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Новиков, Чиркин

МПК: G11C 7/00, G11C 7/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...аппликация 2, гальванически связанная с доменопродвигающей пермаллоевой аппликацией 3, расположенной в канаде продвижения ЦМД, пермаллоевая токовая шина 4, гальванически связанная с основной и доменопродвигающей аппликациями 2 и 3, и дополнительные пермаллоевые аппликации 5,Генератор ЦМД функционирует следующим образом. В соответствии с фазовой диаграммой по токовой шине 3 пропускается растягивающий импульс тока, с помощью которого вдоль шины вытягивается конец зародышевого домена вплоть до его за. крепления на притягивающих полюсах доменопродвигающей аппликации 3, пересекае. 5 15 29 И 36 35 46 мой токовой шиной. Закрепление конца зародышевого домена происходит при направлении вращающегося магнитНого поля, близком к направлению ОА...

Номер патента: 721851

Опубликовано: 15.03.1980

Автор: Белкин

МПК: G11C 11/00, G11C 11/14, G11C 11/155 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...высокочастотного устройства 5 недостаточно для перемагничивяния чувствительного элемента в направленииоси твердого намагничивания (ОТН). В момент прохождения ЦМД вблизи устройства чувствительный элемент второго высокочастотного устройства 2 пере мвгничиввется в направлении ОТН (Мй ОТН) и в нем возбуждается ФМР с частотой и, определяемой полем доменеНц и полем анизотропии Н.Целью изобретения является повышение уровня выходного сигнала и отношения сигнал/помеха при считывании ЦМД. 20Поставленная цель достигается путем того, что возбуждают в тонкой ферромагнитной пленке гельвацомагнитный резонанс, а частоту переменного тока выбирают равной частоте собственного ферромагнит ного резонанса тонкой ферромагнитной пленки.На чертеже изображено...

Номер патента: 731472

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Белкин, Юров

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...устройство содержит 20 магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, наповерхности которой расположена магнитострикционная пленка д, магнитосвязанная с пленкой 4 из магнитожесткого материала, и пьезоэлектрический преобразова тель 5 с контактными выводами 6.Работает предложенное устройство следующим образом.В момент отсутствия ЦМД 2 в той области пленки 1, где осуществляется его считывание, магнитострикционная пленкаИзд.257 Тираж 673 дарственного комитета СССР по делам изобре 113035, Москва, Ж, Раушскаи набд. 4/5Подписноеий и открытий каз 304/509ПО Поиск Г ип, Харьк. фил. пред, Патент 3, играющая роль генератора акустических волн (АВ), не перемагничивается магнитным полем управления ЦМД и не возбуждает АВ, При прохождении ЦМД под...

Номер патента: 739647

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Раев, Юров

МПК: G11C 11/14

Метки: домено, доменов, магнитного, магнитных, носителя, содержащего, считывания, цилиндрических

...возбуждаетсяв виде импульса, длительность которогоопределяется тем, чтобы не проходило взаимодействия между входным и отраженнымимпульсами акустической поперечной волны, Таким образом, наличие ЦМД в местепрохождения импульса поперечной акустической волны приводит к повороту плоскости поляризации этой волны на угол,определяемый выражением (2), которыйс помощью пьезоэффекта может быть преобразован в соответствующий электрический сигнал, Величина удельного вращенияус 1 существенным образом зависит от частоты, с которой возбуждается поперечнаяакустическая волна. Резкий рост величиныудельного вращения происходит по мереприближения частоты со к частоте магнитоупругого резонанса 03 о, определяемой из Шсоотношения - = Н+ И д (3) и равной...

Номер патента: 741318

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Ломов, Юдичев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, распространения, цилиндрических

...между короткой и длинной сторо ной более 90 (фиг. 150) продвижениедомена поясняется на фиг. б.При вращении вектора йпо часовой стрелке и положении вектора у,показанном на фиг. бс, домен 36 эаЗ 5 нимает позицию 1. При переходе вектора Йу в положени, показанное нафиг. бб домен 36 переходит в пози-.цию векторав положение, показан -ное на фиг. 6, домен 36 переходит 40 в позицию В . При. переходе вектораЙу в положение, показанное нафиг. б , домен 36 занимает позициюПри дальнейшем повороте вектораЙу домен переходит в следующий пере ход и занимает позицию, аналогичнуюпозиции 1 (позиция, занимается доменом после полного оборота вектораК, показаны как 1 на фиг. 6 О).Для случая, когда-аппликация37 имеет угол между длинной и короткой стороной...

Номер патента: 743033

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Раев, Растокин, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...аппликации прямоугольной формы, соединенные с крайними в группах Ч-образными ферромагнитными аппликациями.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного канала продвижения743033 Формула изобретения Составитель Ю Техред К. Шуф Тираж 662 Розентальич Шарош Редактор Т. ИвановаЗаказ 3474/44по д113035, МоФилиал ППП КорректорПодписноем итета СССРоткрытийая наб., д. 4/5ул. Проектная, 4 ого ко ий и Раушск ж город,Государствен нам изобрет ква, Ж в . 35, Патент, г. довательно уменьшающимся числом аппли. каций в группе и ферромагнитные аппликации 4 прямоугольной формы, соединенные к крайними в группах Ч-образными ферромагнитными аппликациями 5.Канал продвижения ЦМД работает следующим образом,Вращающееся поле Ну, последовательные...

Номер патента: 744723

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Потапов, Раев, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...канала 8 от ге.нератора 16 записываются ЦМД 4, которые поступают в место связи 15 одновременно с ЦМД 3 канала 9,Если в канале 9 находится информационная единица (ЦМД 3), то в месте связи 15 узла 13 ЦМД 3 выталкивает ЦМД 4 в аннигилятор 18 и, далее, проходя по каналу 9 попадает в датчик 21, вызывая с выхода мостовой схемы сигнал отрицательной полярности.Если в канале 9 находится информационный нуль, то ЦМД 4 не испытывает магнитного воздействия в месте связи 15,а выходит с выхода узла 13 по каналу 8 н попадает в датчик 20, вызывая с- выхода мостовой схемы сигнал положительной полярности.Таким образом, в режиме считывания информация, представленная ЦМД, выводится и считывается в парафазном коде, например, в и, п + 2 и т. д. Периоды...

Номер патента: 746723

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Ломов, Черкас, Чиркин, Юдичев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижением, цилиндрических

...показана на фиг. 1,б. На осях отмечены фаза и соответствующие этой фазе позиции устойчивого положения,В каналах продвижения движение магнитных доменов из олной позиции устойчивого положения в другую происходит при некотором Ну,; . При величинах напряженности магнитного поля в плоскости пластины ЙЖу существует область в осях координат - ось абсцисс Иу и ось орлинат Ц, где Н - магнитное поле смешения, направлейное антипараллельно намагниченности домена - в которой наблюдается продвижение магнитных доменов в канале (фиг. 1,в), Кривая 4, определяющая границу этой области в своей внутренней области, содержит совокупность точек, опрелеляемых коорлинатами (Нм, Н), при которых наблюдается продвижение магнитных доменов. В этой области из всей...

Номер патента: 746724

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Красовский, Раев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...устройства для считывания ЦМД.Устройство для считывания ЦМД содержит на поверхности магнитных кристаллов 1 доменные регистры 2 сдвига и матрицу магниторезисторных датчиков 3, причем смежные магниторезисторные датчики в каждом столбце матрицы повернуты друг относительно друга на 180. Магниторезисторные датчики доменных регистров сдвига746724 формула изобретения Составитель Ю. РозеТехред К. ШуфрнчТираж 662 аль Корректор Г. Региетни Подписное Редактор Т. ПетроЗаказ 3969/44 ета СССРрыгийнаб., д. 4/5Проектная 1 Н ИИПИ Государственного по делам изобретений5, Москва, Ж, Рау ППП Патентъ, г. Ужго ом нт от кая1филиа д,каждой строки матрицы соединены последовательно и включены в плечо мостовой схемы, причем в смежное плечо мостовои схе"мывключены...

Номер патента: 748507

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Ломов, Новиков, Паринов, Скобелин, Черкас, Чиркин, Юдичев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...область 5 в этом.случае располагается на соседствующих концах аппликаций 2,причем оттапкивающий пьпюс аппликации 3 способствует "отжима,- нию" области 5 к следующей аппликации 3.При последующем повороте вектора Й (фиг. 2 г) возникшие на аппликациях 2 и 3 отталкивающие полюса "сталкиваютф область 5 на оставшийся притягивающий полюс соседней .аппликации 2. 1 О 3 74 85Недостатком известного канала дляпродвижения ЦМД является то, что величина зазора не может превышать величиныпорядка диаметра ЦМД, так как в противном случае могут не обеспечиться условияодновременного притягивания ЦМД обоимсоседним аппликациям.Цель изобретения - повышение надежности известного канала для продвиженияЦМД.Поставленная цель достигается тем,что канал содержит...

Номер патента: 750558

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Игнатенко, Ильяшенко, Кармацкий, Ломов, Матвеев, Самров, Скобелин, Усов, Юдичев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...2 выполнены в форме фигуры, ограниченной двумяподобными трапециями 9 и 10, имеющими общее основание и расположенными одна вдругой, и имеющей срез 11, проходящий через основание и боковую сторону параллельно другой боковой стороне, причем углы приосновании трапеций составляют 40 - 75.Канал продвижения ЦМД (фиг. 2, б) может быть выполнен в виде ломаной линии,причем угол излома относительно направления продвижения может быть как положительным, так и отрицательным, Поворотныеаппликации имеют ту же самую конфигурацию, как и аппликации линейных участков.только примыкают друг к другу (к предыдушей аппликации) другой своей стороной. Канал продвижения ЦМД работает следующим образом.Магнитное поле смещения Й создаваемое блоком 4 постоянного...

Номер патента: 752473

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Гловацкий, Живулин, Зельдин, Смолов, Шумилов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, компрессор, компрессоре, магнитных, сдвига, цилиндрических

...сдвига ЦМД реализуется в компрессоре ЦМД, в котором одноименные ферромагнитные аппликации смежных динамических ловушек ЦМД сдвинуты одна относительно другой на угол а, где 0 а 90.На чертеже изображен компрессор ЦМД для осуществления предложенного способа сдвига ЦМД в компрессоре ЦМД.Компрессор ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД, на поверхности которой расположены последовательно соединенные динамические ловушки ЦМД 2 из ферромагнитных аппликаций 3. Одноименные ферромагнитные аппликации, например 3 и 3, смежных динамических ловушек ЦМД 2 сдвинуты одна относительно другой на угол а, где 0 а 90. Стрелка Я, указывает направление сдвига ЦМД в компрессоре, стрелка 5 - направление вращения магнитного поля управления продвижением...

Номер патента: 763964

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Гришечкин, Игнатенко, Королева, Мартыненко, Шифрин-Крыжаловская

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: датчик, доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...датчика длясчитывания ЦМД,Поставленная цель достигается тем,что в датчике разделительные слои выполнены из немагнитного металла.На чертеже схематически изображенпредложенный датчик для считыванияФЯДатчик для считывания ЦМД содержитмагнитоодноосную пленку 1, на поверх"ности которой расположен диэлектрический слой 2, и магниторезисторы 3и 4, между которыми расположен разцелительный слой 5 из немагнитногометалла, Толщина магнитореэисторов0,15-0,2 мкм. Толщина разделительного слоя 5 должна быть достаточнойдля того, чтобыисключить обменноевзаимодействие между магниторезисторами 3 и 4,При условии исключения обменноговзаимодействия, взаимное расположение векторов 6 намагниченности в отдельных участках магниторезисторов3 н 4, определяемое...

Номер патента: 769618

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Ломов, Новиков

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: датчик, доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...электропроводящих перемычек с одной стороны относительно оси пермаллоевых аппликаций; на фиг. 3 - пример реализации датчика на основе шевронов с расположением электропроводящих перемычек с двух сторон относительно оси пермаллоевых аппликаций.Предложенный датчик считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на поверхности которой расположены пермалло 769618евые аппликации 2 шевронной (фиг, 1) или С-образной (фиг. 2) формы, соединенные попарно электропроводящими перемычками 3, геометрические центры которых расположены на определенной кривой, например синусоиде,Предложенный датчик работает следующим образом,ЦМД, предварительно растянутый с помощью расширителя, подходит к датчику. Преобладанием в колонке пермаллоевых аппликаций...

Номер патента: 780037

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Карасев, Потапов, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...ферромагнитные аппликации шевронной формы, одна иэ которых соеди вена с каналом продвижения ЦМД,при О 5 Ю.В. Федотов, Е.В. Карасев и В.С. Потаповаппликаций 2 и 3 охвачены токопрово. дящей шиной 5, вершина которой соединена с первым концом дополнительной ферромагнитной аппликации 6 Ч-образной формы, Второй конец аппликации б магнитосвязан с центральной частью аппликации 3.Предложенный генератор ЦЙД работает следующим образом.Первоначальное зарождение ЦМД в генераторе (см.фиг.2 а) производится ,путем подачи импульсного тока 31 гри направлении управляющего поля Н (см.фиг.26). В результате действия притягивающих полюсов на конце аппликации 2 шевронной формы и на вершине токопроводящей шины 5 зарожденный ци линдрический домен несколько...

Номер патента: 783851

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Ломов, Редько

МПК: G11C 11/14

Метки: бистабильных, доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...ния ЦМД соответственно с малыми 4 и большими 5 диаметрами и шина 6 управления, выполненная в виде токовой петли, подключенной к блоку 7 управления, Каналы 2 и 3 продвижения цМЙ выйолнены из Т-образных 8 и 1-образных 9 пермаллоевых аппликаций. Период первого канала продвижения ЦМД 1 и период второго канала продвижения ЦМД 4 находятся в отношении /Я сЯ. Расстояние между каналами "продвижения. ЦМД равно. 0Предложенный переключатель работает следующим образом.Когда малый ЦМД 4 йод воздействием вращающегося магнитного поля К попадает в период канала 2, в котором 15 расположена токовая петля - шина 6, блок 7 управления вырабатывает импульс тока, который создает локальное магнитное поле, переводящее ЦМД 4 малого диаметра в ЦМД 5 большого 2...

Номер патента: 783852

Опубликовано: 30.11.1980

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, копирования, магнитных, цилиндрических

...соединены соответственно с генераторомЗО 71 и аннигилятором Ч 11 ЦМД.Буквами Х и У, , УР обозначенысоответственно ЦМД-оригинал и ЦМД-копии. Цифрами 1,2,3 и т.д. обозначеныпозиции, занимаемые ЦйЩ подпермаллоевыми аппликациями Ч 111 во время работы устройства.-"-"- Предложенное устройство функционирует следующим образом,ЦМД-оригинал, поступая в позицию2 канала 11, вызывает параллельноесмещение резидентных ЦМД ДП компрессора из позиции 1 в позиции 2 вы 1ходных каналов 111,что приводит к ихпоявлению на выходах устройства в позициях 4" через 0,75 такта, прошед="шйх" с"момента поступления ЦМД-оригинала в позицию 1.На этом процесс копирования заканчивается.Для восстановления схемы в исходное состояние необходимо заполнитьосвободившиеся в...

Номер патента: 796910

Опубликовано: 15.01.1981

Автор: Белкин

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155

Метки: доменов, регистрации, цилиндрическихмагнитных

...перпендикулярная плоскости пленки, не определена,что следует из соотношения неопределен-ностей Гейзенберга. Поэтому энергияэлектрона в пленке, так же как и любойдругой квазичастицы, определяется продольными проекциями кваэиимпульса (вплоскости) и дискретным квантовым числом по нормали. В полупроводниковыхпленках кваэидискретность спектра носителей тока проявляется в осциллирующейзависимости термодинамических, оптиче -ЭЮских и кинетических характеристик оттолщины пленки, причем размерные зависимости удельного сопротивления, магнитосопротивления, постоянной Холла и халовской подвижности претерпевают аномально большой скачок при определенныхзначениях толщины пленки. Аномальное(квантованное) изменение магнитосопротивления и постоянной Холла...

Номер патента: 797071

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Гугнов, Энтина

МПК: H03K 17/60

Метки: доменов, магнит-ных, переключатель, цилиндрических

...в виде магнитомягких аппликаций, расположенные взоне пересечения укаэанных каналовмагнитомягкую аппликацию в формедиска и проводниковую шину, проводниковая шина выполнена в виде ра"зомкнутого кольца, охватывающегоаппликацию в Форме диска, и подключена к шинам управления.На чертеже изображена структурапереключателя цилиндрических магнитных доменов,797071 35 НИИПИ Заказ 9801/7 Тираж 999 Подписно Устройство содержит среду-носитель 1 ЦМД магнитоодноосная пленка) магнитомягкие аппликации входного канала 2 магнитомягкие аппли.кации первого выходного канала 3; магнитомягкие аппликации второго выходного канала 4; отдельную магнитомягкую аппликацию в форме диска 5 проводниковую шину 6, подключенную к шинам 7 и 8 управления.Переключатель работает...

Номер патента: 801099

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, компрессор, цилиндрическихмагнитных

...ДЛ ЦМД под угломо(90 по отношению к основоным связующим 1-образным ферромагнитным аппликациям и между смежными ДЛ ЦМД параллельно основным связующим 1-образным ферромагнитным аппликациям.ЦМД, поступающий на вход Х, отслеживая полюса аппликаций, возникающие под действием магнитного поля управления Н, в момент времени, соответствующий фазе Ф, деформируется в растянутый магнитный .домен на аппликациях 6 и вызывает смещение резидентного ЦМД 2 иэ первой ДЛ 3 и его одновременное растяжение на концах аппликаций 5 и 6 между первой и второй ДЛ. Это в свою очередь вызывает выталки" вание резидентного ЦМД иэ второй ДЛ 3 и его растягивание на концах аппликаций 5 и б между второй и третьей ДЛ и т.д. Резидентный ЦМД последней ДЛ 3 появляется на...

Номер патента: 803011

Опубликовано: 07.02.1981

Авторы: Прохоров, Сергеев, Федотов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, переключатель, цилиндрическихмагнитных

...занимает позицию внутритоковой петли (см.фиг.4). Пропусканием импульсного тока через шину(см.фиг.5) этот конец домена уничтожается магнитным полем проводникас током, а та часть домена, котораяоказывается при указанном на фиг.4направлении н-вектора, управляющегомагнитного поля за пределами петли,приобретает в магнитном поле смеще"ния цилиндрическую форму и переходитпри дальнейшем вращении вектора управляющего поля в канал связи 3.фиг. 2-5 иллюстрируют переключениеинформационных потоков ЦМД из регистра хранения в канал связи (разрушающее считывание или стирание информации из накопителя) .Если импульсный ток не пропускается по управляющей шине в моментвремени, когда растянутый домензанимает позиции, соответствующиенаправлению вектора,...

Номер патента: 809346

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Паринов, Чиркин, Юдичев

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилин-дрических

...прохождении через расширитель 2 ЦМД растягивается в полосовой домен. Наличие в -образных ферромагнитных аппликациях 4 дополнительных растягивающих полюсов облегчают домену переход из межэлементного зазора на очередной полюс доменопродвигающей структуры и обеспечивает удовлетворительную область устойчивой работы данного устройствапри зазорах в 1,5-2 раза больших,чем в устройствах на шевронах.В датчике 3 считывания вклад в 15сигнал от перемагничивания наклонныхполюсов ослаблен боковыми замыкающими перемычками, эффективная формаэтих зон датчика близка к квадрату,так как наклонные полюса в значитель-;щной мере поглощены перемычками, амагниторезистивный эффект аппликацииквадратной конфигурации, как известно, равен нулю. В...

Номер патента: 809373

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Ломов, Скобелин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, продвижения, цилиндрическихмагнитных

...б) притягивающий полюс образуется на узком конце аппликации 2 , а также на вершине аппликации 3, н ЦИД 5 растягивается, захватывая аппликации 2 и 3. Когда вектор Н займет положение, показанное на Фиг. 2 в, на аппликации 2 образуется отталкиаающий ЦМД полюс, а на аппликации 3 притягиваищий полюс сместйтся 15 на левую среднюю часть и ЦМД 5 переместится вслед. эа притягивающим полюсом. При положении вектора Н показанном на Фиг, 2 г, притягивающий полюс образуется на нижней части аппли кации 3 и ЦМД 5 переместится вслед за перемеСтившимся полюсом. При положении вектора Но,показанном на фиг. 2 д притягивающий полюс образуется на правой средней части аппликации 3, ку- . да соответственно переместится ЦМД. При положении вектора Н ,...

Номер патента: 830572

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Клейменов, Наумов, Самров, Усов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижениемцилиндрических

...15 - с аналогичными точками вканале У, Точка соединения конца первой катушки 5 и канала второй катушки б связаны с шиной 16 питания.устройство для управления продвижением ЦЩ работает следующим образом,Логический сигнал с выхода узла11 Фазового управления поступает набазу транзистора соответствующего токового кл:оча и на вход инвертора. Навыходе инвертора Формируется логический сигнал, протинопоЛожный логическому сигналу на его входе. Перепад потенциала между противоположными логическими сигналами приложенк управляющему переходу транзисторатокового ключа и надежно запираетданный транзистор. Логический сигнална четырех выходах узла 11 Фазовогоуправления Формируетсятак, чтобыфазы их были 0-90-180-270 . Эпюрылогических сигналов на каждом...

Номер патента: 841041

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Маркелис, Пранявичюс

МПК: G11C 11/14

Метки: дляподавления, дозы, доменов, жестких, ионов, цилиндрическихмагнитных

...схема эксперимента и распрелеление дозы в образце,Образец облучался сканирующим ионным пучком относительно оси У, угол сканирования - 6. Имплантировались иоцы аргона, с энергией 50 кэВ, дозой Оц см ф и плотностью ионного тока в пучке 1 О мкА/смф На расстоянии 1 - 3 мм от имплацтируемой пленки 1 находился экран 2, которым закрывалась часть образца. Вследствие условий, в пленке феррит-граната после имплантации получены 3 различные области: не- облученная - 1, облученнаая с максимальной дозой Фо - 1 и цеолнородно облученная 11. Область 11 вследствие неоднородного облучения: при сканировании ионного пучка относительно оси У формируют с линейно изменяющейся дозой (фиг. 1 б)Ф(У) = Фсм (1) гдс д - ширина области 11, Фо - максимум дозы...