Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

,кое бюро Донецкого физико-техничститута АН Украинской ССР(54) (57) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ,содержащий магнитоодноосную пленку, накоторой расположены три изолированныходин от другого токопроводящих слоя с периодически вынолненнымн в них отверстиями ехнологичес еского инГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕК АВТОРСКОМУ СВИДЕ удлиненнои формы, причем отверстия вкаждом токопроводящем слое расположенына расстоянии /2, одно от другого, где период канала продвижения цилиндрическихмагнитных доменов, и одна из коротких сторон каждого отверстия расположена на общейпрямой, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения области устойчивойработы канала, отверстия в токопроводящихслоях выполнены в два ряда, причем одинряд отверстий является зеркальным отображением другого со сдвигом вдоль оси симметрии на./2, н обьединены в группы, каждаяиз которых содержит отверстия, расположенные во всех трех слоях, центры проекцийодних коротких сторон отверстий каждойгруппы на магнитоодноосную пленку размещены на расстоянии /3, а проекции других ко.ротких сторон этих отверстий совмещены,1 11Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)Целью изобретения является, повышение области устойчивой работы канала для продвижения ЦМД.На фиг. 1 изображена принципиальная схе. ма канала для продвижения ЦМД; на фиг, 2разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - диаграмма токов в каждой из трех слоев.Канал для продвижения ЦМД содержит -магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены три токопроводящие слоя 2 - 4, разделенные между собой изолирующими слоями 5 (фиг, 1 и 2).В каждом токопроводящем слое 2 - 4 вы-полнены два ряда отверстий: 6 - 8 - в одномряду, б - 8 - в другом ряду (фиг, 1).Отверстия 6 и 6 выполнены в слое 2,Ьотверстия 7 и 7- в слое 3, а отверстия 8 и 8 - в слое 4. Отверстия имеют удли.пенную форму (фиг.1 ). Отверстия одного ряда в каждом слое размещены относительно друг друга на расстоянии Я, Одна из коротких сторон каждого отверстия размещена на прямой 9, образующей ось пути продвижения доменов. В каждом из рядов отверстия слоев 2 - 4 сгруппированы по три, например, одну группу составляют отвер.стия б - 8, другую - 6 - 8 и т, д, В каждой группе отверстий проекции на магнитоосную пленку коротких сторон, лежащих на прямой 9 (фит. 1), выполнены с расстоянием между центрами/3 вдоль пути проди вижения, Проекции противоположных корот.ких сторон совмещены. Один ряд отверстий является зеркальным отображением другого оо сдвигом вдоль оси канала на/2, Цифрами 10 - 15 на фиг. 1 обозначены позиции домена при продвижении вдоль канала. 80976 2Канал для продвижения ЦМД работаетследующим образом,В результате подачи в токопроводящиеслои 2 - 4 токов уа, ц (фиг. 3) на краях отверстий возникают локальные магнитные поля, с которыми взаимодействуют ЦМД,Домены в пластине магнитоодноосного материала стремятся занять позицию, в которойих энергия минимальна, т. е. стремятся по.О пасть в область пониженной энергии - магнитоотатическую ловушку (МСЛ), Пусть в. момент времени т 1 домен занимает пози.цию 10 (фиг. 1), так как глубина МСЛв этом месте максимальна. В следующий мо 15 мент времени т МСЛ переместится и домензаймет позицию 11. В последующие моментыт 3, т 4, т, т 6 происходит перемещение МСЛ,а вместе с ней и домена последовательно впозиции 12 - 15 н т. д. Таким образом, при20 питании предложенного канала трехфазнымтоком, вдоль пути продвижения доменовсоздается бегущая магнитостатическая ловушка, которая и перемещает ЦМД.При трехфазном питании в каждый момент времени сумма токов всех трех слоевравна нулю. В местах совмещения проекцийна магнитоодноосную пленку коротких сторонотверстий 6 - 8 и 6 - 8 суммарная Е-составляющая магнитного поля от трех слоев2 - 4, равна нулю, Следовательно, как притягивающего, так и отталкивающего полюса вэтих местах не существует, чем и достигается отсутствие боковой неустойчивости ЦМДпри его движении вдоль канала,Так как в предложенном канале продви 35 жения доменов каждый слой 2 - 4 питаетсяот отдельного источника тока, то в нем дос.тнгается более равномерное движение магнитостатической ловушки и практически полноеотсутствие нежелательной Е-компоненты магнитного поля на краях канала, что невозмож.но. в известном канале.180976 ФигЗ орре Л. Бескид Подписно Тираж 583ВНИИПИ Государственного комитета СССпо делам изобретений и открьггий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/ аказ 5934/52 илиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектнаи, 4 Составитель Ю. Розентальктор Л. Коссей Техред ЛМикеш