Патенты с меткой «доменов»

Номер патента: 1513517

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Гаевский, Красин, Ксиров, Малаховский, Нецепляев, Орлов, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, структура, цилиндрических

...не покидает диск, перемещаясь вслое-носителе П 1 Щ в сторону вытравленной канавки 5, так как притягиваетсясмежным диском, который замыкает поле рассеяния ЦМД,Изложенное можно пояснить следующимобразом. Энергия ЦМД - Е определяетсяформулой Е - энергия, связанная с полемрассеяния Ц 1 рЩ,Из формулы (1) видно, что Е увеличиваетсв с ростом На и бе"ГА НаТ.е. при увеличении одноосной анизотропии Нд в слое-носителе ЦМД подсмежным диском энергия ЦМД будет возрастать, а при нахождении ЦМД на краюсмежного диска будет уменьшаться, таккак за пределами диска НА меньше. Таким образом, при повышении однооснойанизотропии под смежным диском ПМДбудет стремиться покинуть центр диска и сместиться к его краю. При выходе ЦМД из-под диска резко возрастает...

Номер патента: 1571674

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Беккер, Папченко, Фролкова, Фролов, Чабаненко

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, оптической, регистрации

...получения предельного разрешения при использовании дифракционного метода построения изображения элементов продвижения доменов, Получен1571674 ное изображение проецируют на мишень телекамеры 8, где оно преобразуется в электрический сигнал, а в компараторе 9 - в сигнал двоичного последовательного кода, . Блок 11 обработки и хранения информации, в качестве которого может быть использована ЭВМ, через блок 10 ввода информации считывает информацию об изображении элементов продвижения в свою память,Затем перестраивают устройство для наблюдения магнитных доменов. Для этого снимают рассеиватель 3, в результате чего освещение доменосодержащей пленки теперь происходит когерентным светом с малым.диаметром перетяжки пучка света. Такое освещение...

Номер патента: 1573440

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Белый, Еременко, Харченко

МПК: G02F 1/09

Метки: антиферромагнитных, доменов, кристаллах, топографирования

...магнитного поля вдоль направ 25 ления распространения света, а кристаллографцческой оси Е параллельно направлениям поля и света. Изменение направления ЛФМ вектора на противоположное при фиксированных величине и направлении внешнего магнитного поля приводит к изменению знака линейного двупреломленця линейно полярцзованного света, Это обстоятельство дает возможность различать состояние АФМ кристалла с противоположно ориентированными АФМ векторами.В отсутствие магнитного поля оптическая индцкатриса кристалла представляет собой элЛипсоид вращения, ось 4" которого совпадает с осью симметрии высокого порядка. Сечение индикатрисы плоскостью, перпендикулярной оси высокого порядка, в данном случае С 1, является окружностью, радиус которой...

Номер патента: 1608750

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Линев, Муравский, Полонейчик, Фигурин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...переходит в однодоменное состояние (достигается насыщение магнитной пленки).При выходе образца 1 из зоны взаимодействия величина действующего на него магнитного поля уменьшается от максимального значения до нуля и в образце 1 формируется решетка ЦМД,При выдвижении образца 1 из зоны взаимодействия величина магнитного поля постепенно уменьшается сначала от максимального значения до значения, равного полю одноосной анизотропии, затем до значения, при котором формируется гексональная решетка ЦМД. При этом образец 1 находится в насыщенном однодоменном состоянии и изменение ориентации постоянного магнитного поля или иные воздействия на него не могут привести к возникновению доменной структуры,При дальнейшем выдвижении образца 1 величина...

Номер патента: 1656592

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Волков, Гомзина, Зиборов, Савотин

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, считывания, узел, цилиндрических

...поля прототипа в два раза,ОУстройство работает следующим абра- ЬЭ зом.Управляющее поле на ферромагнитных аппликациях создает положительные принимающие и отрицательные отталкивающие полюса. При направлениях управляющего поля, показанных на чертеже, ЦМД, прошедший под колонками расширителей 2 и 3, растягиваются в полосовой домен, занимая под тонкопленочным датчиком 4 позицию 11, а под тонкопленочным датчиком 5 -1656592 позицию 12. Сигнал считывания регистрируется при подключении регистрирующего устройства к контактам 8 - 10 и пропускании по тонкопленочным датчикам 4 и 5 тока, При прохождении полосового домена под тонко пленочным датчиком 4, т,е. в позиции 11, регистрируется сигнал "1", а при его отсутствии - сигнал "0". Функции...

Номер патента: 1666993

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Гиматов, Гресько, Путин, Храпаль

МПК: G01R 33/05

Метки: доменов, коллапса, магнитных, полей, разброса, цилиндрических

...ЦМД с меньшей энергией коллапсируют, Таким образом. после выключения магнитного поля в образце реализуется решетка ЦМД второго типа.Решетка ЦМД первого типа имеет низшее энергетическое состояние, а решетка ЦМД второго типа имеет высшее энергетическое состояние, Если в магнитном материале не реализуются ЦМД с большим числом вертикальных блоховских линий, то существует только решетка первого типа, низшего энергетического состояния,Определение разброса полей коллапса ЦМД осуществляется в два этапа. На первом этапе для последовательно создаваемых двух типов (" мягкая", "жесткая") решеток снимается зависимость изменения частоты измерительного генератора 9 при перестройке низкочастотного контура 11 с магнитным образцом 4 от поля Н,...

Номер патента: 1674260

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Баркова, Варданян, Колчанов

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...с входа начальной установки устройства, устанавливается в начальное состояние,В зависимости от устанавливаемых уровней амплитудной дискриминации и вида преобразования информации, осуществляемого блоком 9 обработки, имеетсянесколько режимов работы устройства.В процессе считывания уровни дискриминации можно изменять, подстраивая их под параметры считываемого сигнала, илисохранять постоянными. присвоив им одинаковые либо различные значения. В случаеприсвоения одинаковых значений дискриминация осуществляется по одному уровню, а считываемая информация формируется блоком 9 посредством мажоритарной обработки данных, зафиксированных в первом регистре 4 данных. В случае присвоения различных значений дискриминация осуществляется по...

Номер патента: 1716569

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Волков, Гомзина, Зиборов, Савотин

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменной, доменов, магнитных, памяти, считывания, узел, цилиндрических

...расширитель доменов, магнитно объединяющий обе разделенные части расширителя и аннигилятор доменов. Такое конструктивное выполнение узла считывания ЦМД повышает частотные свойства каждой части и дает воэможность увеличить считанный сигнал, так как детекторы обеих разделенных частей соединены через аннигилятор последовательно друг с другом, а подвижность двух укороченных доменов, синхронно проходящих. по каждой части расширителя, выше, чем подвижность одного длинного домена, проходящего через неразделенный расширитель и длиннь 1 й детектор,Сущность предложенного технического решения поясняется при помощи фиг,1 и 2,Узел 1 считывания ЦМД фиг.1) содержит детектор 2 доменов, расширитель 3 доменов из ферромагнитных аппликаций шевронной...

Номер патента: 1718163

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Жметко

МПК: G01R 33/12

Метки: витых, доменов, изменения, магнитных, магнитопроводах, объема, относительного, поперечных

...- В) малой величин им с учетом (3) 1+К+ Пренебрега К 1 (В - В 1), полопределяет отклонение сопротивления магнитопровода от его расчетного значения, полученного в предположении бесконечно большого сопротивления междувитковой электроизоляции,При намагничивании магнитопровода сопротивление магнитной ленты изменяется. При больших индукциях (больших В 1 на фиг.2) в процесс намагничивания интенсивно вовлекаются 90-градусные доменные стенки и тем в большей мере, чем выше индукция, что описывается первым правилом четных эффектов Акулова, устанавливающим линейную зависимость магнетосопротивления от квадрата индукции- "11 = К (В- В), (3)В1где К 1 - коэффициент пропорциональности.Если процессы намагничивания смещением 180-градусных и...

Номер патента: 1718271

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Аверьянова, Гулько, Мартыненко, Смишный

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯРИ ГКНТ СССР(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНОВ(57) Изобретение относится кной технике и может быть исзапоминающих устройствах н из микро- диагонаы 5 и 6 моменты а выходе Оп 0 р (фиг. ет сигнал ационные (фиг, 2 в), ряд реги- оответстмоменты фронтампервого и второго синхроимпульсов, в первый и второй разряды регистра 15 записывается "Лог, 1", а по фронту третьего синхроимпульса в третий разряд записывается "Лог. 0". Помехи, возникающие в моменты времени О и а, не изменяют содержимого регистра 15. В момент времени тз на входах мажоритарного элемента 16 образуется кодовая комбинация 110, и на выход устройства поступит сигнал "Лог.1",Мажоритарный элемент "2 из 3" вырабатывает выходной сигнал...

Номер патента: 1767531

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...10 и 11 симметрии вырезов совмещены, а точки пересечения границы выреза с его осью 13 и 14 симметрии лежат на продольной оси 12 проводников(находятся в одной плоскости),Устройство находится в постоянном магнитном поле смещения Н и подключено к источникам тока (на фигурах не показаны).В качестве диэлектрика может использоваться диоксид кремния, проводники могут быть выполнены из алюминия методами микроэлектроники (напыление сплошного слоя, фотолитография, травление), а магниторезисторный элемент - из пермаллоя,Устройство для считывания ЦМД работает следующим образом.ЦМД любым известным способом, например, двумя проводниками в форме меандра, продвигается в область вырезов 4 и 7 к 5 10 15 20 25 30 симметрии вырезов совмещены, а точки...

Номер патента: 1767532

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Подкорытов, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...от отверстия создается магнитное поле, направленное встречно полю смещения, Такая область с пониженным значением поля смещения создает в слое магнитоодноосного материала МСЛ, притягивающую ЦМД.Продвижение доменов по каналу основано на взаимодействии ЦМД с последовательно создаваемыми токами управления в слоях 2,3 и 4 МСЛ. Токи в слоях 2 и 3 выбираются из условия создания на краях отверстий 5 и 6 МСЛ равной глубины, обеспечивающей перемещение ЦМД, В связи с тем, что слой 3 расположен дальше от магнитоодчоосного материала, чем слой 2, ток в нем больше (практически на 20 - 30), За исходное состояние примем такой момент, когда в проводниках 2 и 3 токи протекают в противоположных направлениях, причем в проводнике 2 он отрицательный, в...

Номер патента: 1810906

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бородянский, Волков, Тараненко, Чупряков

МПК: G11B 5/31, G11B 5/39, G11C 19/08 ...

Метки: детектирования, доменов, магнитных, цилиндрических

...13 головки, диск-.носитель ЦМД 14.На неподвижном доске-носителе ЦМД 14 нанесены ДПС 9, с одной стороны кото .рой расположен С-образный магнит 1, под,-которым в диске-носителе ЦМД 14 образуется ЦМД 14. С-образный магнит 1 связан с валом 3 кронштейном 2, С другой стороны ДПС 9 расположен компрессор ЦМД 5, содержащий ЦМД 10. Между ДПС 9 и проводником-компрессором ЦМД 5 расположены пермаллоевые элементы 6. На конце компрессора ЦМД установлен триггер ЦМД 7, являющийся магнитным выходом 13 голо1810906 Формула изобретения Составител ехред М,М Б.Сычевентал дакто Корректор С.Лиси Заказ 1447 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж. Раушская наб 4/5ий комбинат "Па...

Номер патента: 1829047

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Гришин, Мартынович, Пермяков

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных

...шина разр зания 7 полюсового магнитного домена 9 (фиг.4), Токовая шина переброса 8 размещена между тупиковой частью и самим каналом переброса,Генератор работает следующим образом,При пропускании импульса тока через шину генерации б (фиг.5), магнитное поле которого превышает критическое значение для материала пленки Нс = Фо/2 Г 21 (где Ф - квант магнитного потока, Л- глубина проникновения магнитного поля в сверх- проводник,- длина когерентности) на краю пленки возникает полосовой домен 9 с шириной 2,2 /Ь, где й - толщина пленки (фиг,4 а, домен заштрихован), который прорастает вглубь пленки. Верхушка полосового домена достигает тупиковой части канала переброса 3 и входит в нее (фиг,46). При пропускании импульса тока той же полярности через...

Номер патента: 1833009

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Гловацкий, Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коммутатор, коммутации, коммутирующий, магнитных, многоканальной, потоков, элемент

1. Способ многоканальной коммутации потоков магнитных доменов, включающий расширение одного или нескольких исходных магнитных доменов в магнитоодноосной пленке в заданном направлении и блокировку расширения этих доменов в тех позициях магнитоодноосной пленки, в которых последовательность импульсов электрического тока создает локальные магнитные поля, отличающийся тем, что, с целью упрощения коммутации и уменьшения потребляемой мощности, расширение каждого исходного магнитного домена происходит по направлению, определяемому градиентами вектора напряженности локальных магнитных полей.2. Коммутатор потоков магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку с магнитными доменами и...