Патенты с меткой «доменов»

Номер патента: 955193

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Литвинов, Никитов, Шепшелей

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...(1000-2000 Л ) пленки диэлектрика. При считывании МСВ воз-: ЗО; бчждаются микрополосковым преобраэова955193 формула изобретения аж 622 Подписное э 6447 ВНИИПИ филиал ППП "Пате Ужгород, ул.Проектная,4 телем 3 и распространяются вдоль пленок 1 и 2 ЖИГ. Если в положении А ре" гистра 1 находится ЦМД, то под действием его магнитного поля в пленке 1 в локальной области с размерами 26 будут меняться магнитные свойства (внутреннее поле, дисперсия и т.д.). Магнитостатическая волна, распространяющаяся вдоль пленки 1, будет тормозиться в указанной локальной области, и ее фазовая скорость изменится. Если 10 бы домена в положении А не было, то волна распространялась бы от воэбужцающего к приемному электроду вдоль пленки 1 в течение времени...

Номер патента: 955199

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Манянин, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...то полярность импульсов должна бать такой, чтобы импульсное магнитное поле Нц, создаваемое проводником 1 в области 2, было антипараллельно гюлю смещения Н. Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника импульсного магнитного поля.ННоюгде Н- поле эародышеобразования. Затем поле смещения снижается до величиныН ННгде Н- поле коллапса ЦИД в даннойпленке.55 При этом в области 2 образуется регулярная решетка ЦМД, плотность ко" постоянным магнитным полем смещения, равным полю насыщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентным магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения, причем амплитуда импульсов градиент ного магнитного поля в заданных участках доменосодержащей...

Номер патента: 955200

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Абрамов, Розенталь

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...Б,. В, Г, взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних,Переменная Х представлена наличием или отсутствием ЦМД во входном З 5 канале продвижения ЦМД 4, а переменная у - наличием или отсутствием токавшине 7 управления. ЦМД, поданный на вход .устройства, в соотВетствии с вращением вектора поля Й 9 пос ледовательно проходит по позициям А, Б, В и поступает в позицию Г, магнитосвяэанную с шиной 7 управлекия.При наличии сигнала У, запрещающего переход ЩЧД в позицию А второго основ:45 ного выходного канала б, ЩЩ переходит в позицию Б первого основного выходного к анала 5, и далее по позициям В, ГА поступает на выход устройства, на котором реализуется Функция ХУ. В отсутствие сигнала У 1 ЩЦ поступивший в позицию Г входного канала...

Номер патента: 960948

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Красовский, Федотов

МПК: G11C 17/00, G11C 8/10

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...магниторезисторногодатчика, либо с выходом устройства.На фиг. 1 и 2 изображена прин ципиальная схема предложенного устройства.Устройство для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, наповерхности которой расположены 30 магнитосвязанные канал 2 продвнже 9 б 0 948ния ЦМД и узел 3 расширения ЦМД смагниторезисторным датчиком 4 изФерромагнитных аппликаций, группаферромагнитных аппликацийзащитногоограждения Р и делитель б ЦМД , выполненный в виде токопроводящей петли, соединенной либо со смежными аппликациями магниторезисторного датчика 4 (фиг. 1), либо с выходом устройства (фиг. 2)Работа предложенного устройстваначинается с включения магнитногополя управления Н Ри перемещения ЦМДпо каналу 2, а также с подачи в...

Номер патента: 960951

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Манянин, Прудников, Ходосов, Хребтов

МПК: G11C 11/14

Метки: генерации, доменов, магнитных, цилиндрических

...локальное изменение магнитных свойств феррит-гранатовой пленки. Линейные размеры области и ее конфигурация определяются в каждом конкретном случае топологией соз-,6 О даваемого ЦМД-устройства. При приложении к Феррит-гранатовой пленке поля смещения необходимой величины все свободные страйп-домены .коллапсируют, и сохраняются только страйп домены 4 (полосовые домены), связан" ные с областью 3. Величина напряженности поля смещения выбирается в диапазоне больше величины поля при коллапсе свободных страйпов и меньше величины поля при коллапсе ЦМД.На фиг. 2 приведена форма применяемого импульса треугольной формы планарного поля и отмечены моменты вре мени T, в г в фазах подъема и спада амплитуды напряженности импульса Н+ с указанием Н...

Номер патента: 963097

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Зельдин, Новожилова

МПК: G11C 11/14

Метки: аннигилятор, доменов, магнитных, цилиндрических

...этой аппликации - клинообразный выступ.Щель в ферромагнитной аппликации может быть выполнена в форме клина.3 96309На фиг. 1 и 2 дана конструктивная схема предлагаемого аннигилятора ЦМД.Аннигилятор ЦМД,содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположена ферромагнитная аппликация 2, магнитосвязанная с аппликацией 3 канала продвижения ЦМД, Буквами а-в обозначены положения доменных ловушек в различные моменты времени : а - .положение доменной ловушки, занимае мой вторым ЦМД в момент поступления первого. ЦМД; б- положение доменной ловушки, занимаемой первым ЦМД в момент его поступления; в - положение доменной ловушки в момент слияния 15 первого и второго ЦМД.Достигаемый в предлагаемом устройве эффект определяется разделением во...

Номер патента: 982087

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Манянин, Ходосов, Хребтов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, цилиндрических

...способу размеры канала продвижения ЦМД и.период транспортной структуры не зависят от геометрических размеров элементов продвижения ЦМД, в частности проводника с током, а зависят только от свойств доменосодержащего материала и параметров импульсного тока. Вследствие этого, предлагаемый способ продвижения оказывается работоспособным практически во всем. интервале температур от 4,2 К до температуры Нееля используемого ЦМД-материала (за исключением интервала монодоменности в том случае, ког. да ЦМД-материал имеет точку компенсации Т, ).На фиг. 1 изображена гребенчатая доменная структура в виде разнополярных полосовых доменов с волнообразной границей между ними; на фиг. 2 и 3 - некоторые варианты кодировки информации (расположения ЦМД в...

Номер патента: 982088

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Зубаускас, Маркялис

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, поля, цилиндрических

...плотности, ионного токав пределах 0,01-4 мкА/см при по 2стоянной дозе имплантированных ионов, роИмплантацию проводят при Фиксированной дозе внедряемых ионов, а изменение поля коллапса осуществляют варьированием плотности ионного тока,Согласно существующим теоретическим 25представлениям изменение плотностииойного тока существенно влияет накинетику возникновения и коническуюплотность дефектов в облучаемомкристаллическом материале. 30Тип ионов выбирают в соответствиис целью имплантационного легированияданного гранатового материала. Энергию имплантируемых ионов определяютв соответствии с требуемой толщинойлегированного материала. Требуемуюдозу определяют экспериментальнымпутем. Плотность ионного тока нерекомендуется выбирать более 5...

Номер патента: 991505

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Кузин, Никонец, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...в результате их магнитостатического взаимодействия к образованию ЦИД и в конечном итоге к формированию решетки цилиндрических. магнитных, аоменов. При необходимости изменений амплитуды и длительности импульсного магнитного поля, а также при необхо- бО димости изменения эоны формирования решетки ЦМД к доменсодержащей пленке требуется дополнительно приложитьвнешнее поле смещения, направленное параллельно оси легкого намагничиваю 65 Технико-экономические преимущества предложенного способа заключаются в значительномупрощении существующих устройств формирования решеток ЦИД, в ускорении процесса формированиями в значительном расширении эоны формирования решетки ЦИД; в снижении энергоемкости устройств, использую-. щих реше.тки ЦМД. Формула...

Номер патента: 995124

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Миляев, Чиркин

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...которой сформирован канал продвижения ЦМД 3 ввиде последовательно расположенныхнеимплантированных смежных дисков 4Токовая шина 5 имеет прямоугольныйучасток б, размеры которого превышают период канала 3, Край ЪБ участка б пересекает границу. одного нздисков 4 в единственной точке В, Токовая шина 5, соединенная с токопроводящим слоем 7, подключена к импуЛьсному источнику тока 8, Пленканаходится во вращающемся плоскостноммагнитном поле, создаваемом источЗ 0 ником 9В качестве тока проводящего слоя7 на поверхности дисков 4 может бытьоставлено проводящее покрытие, используемое в качестве маски при проведении ионной имплантации.Работа предлагаемого генератораЦМД осуществляется следующим образом.При подаче импульса тока- надлежащей полярности...

Номер патента: 1001175

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Карасев, Раев, Сперанский

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменов, магнитных, цилиндрических

...токовая шина и пермаллоевая аппликация, в токовой шине, 5 в месте ее сопряжения с пермаллоевойппликацией, у края последней выполено отверстие вытянутой формы.Ма фиг.1 и 2 изображена конструкция предлагаемого генератора. 10Генератор ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на поверхности которой расположены магнитосвязанные токовая шина 2 с отверстием 3 вытянутой форьы и пермаллоевая апплика ция 4. Область 5 зарождения ЦМД расположена вблизи края отверстия 3 в месте сопряжения токовой шины 2 и пермаллоевой аппликации 4.Предлагаемый генератор работает следующим образом.При пропускании импульса тока генерации ЦМД ) соответствующей поНлярности через токовую шину 2 на краях отверстия 3, обтекаемых током, в частности, в области 5, возникает...

Номер патента: 1008790

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Гиль, Нестерук, Потапов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, копирования, магнитных, цилиндрических

...взаимосвязан с состветствующей основной динамической ло- .вушкой ЦМД 2.Недостатком известного устройства длякопирования ЦМД является ограниченнаяобласть применения, определяемая выполнением функций простого копирования данных.35Цель изобретения - расширение области применения устройства для копированияЦМД путем реализации сперации инвертирования входных сигналов.40Поставленная цель достигается тем,что устройство для копирования ЦМДсодержит дополнительные выходные кана-,лы продвижения ЦМД и дополнительныединамические ловушки ЦМД, причем каждая дополнительная динамическая ловуш 45ка МД взаимосвязана с двумя смежными основными динамическими ловушкамиЦМД, каждая из которых соединена ссоответствующим дополнительным выходным каналом...

Номер патента: 1010655

Опубликовано: 07.04.1983

Автор: Аникеев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, фиксатор, цилиндрических

...аппликация 2 в510 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 форме диска, входной 3 и выходной 4 каналы продвижения ЦРД, выполненные на Ферромагнитных асимметричных полудисках, токопроводящую шину 5 стирания. Вектор управляющего поля 6 вращается в плоскости доменосодержащей пленки по часовой стрелке, Буквами А-Г обозначены позиции, занимаемые ЦМД во время работы устройства. Фиксатор ЦМД может работать в трех режимах: Фиксации домена,замены домена и стирания домена. В режиме фиксации домена диск 2 не содержит ЩМД. При подаче ЦМД на вход 7 входного канала 3 домен продвигается по аппликации в соответствии с изменением направления вектора управ ляющего поля б по позициям В, Г, А, Б, В и через. боковой выступ 8 пере-, ходит на диск 2. Далее он...

Номер патента: 1015434

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Миляев, Скиданов

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...канал продвижения ЦМД иэ неимплантированных смежных дисков, и последова тельно соединенные прямоугольные ферромагнитные аппликации, расположен- ные на поверхности магнитоодноосной пленки у выхода канала продвижения ЦМД, содержит токопроводящую шину, 45 расположенную у одних торцов прямоугольных ферромагнитных аппликаций, причем длина каждой прямоугольной ферромагнитной аппликации превышает три диаметра ЦМД, а отношение сторон составляет не менее 3:1. Предлагаемое устройство работает следукщим образом.Каждый раз, когда направлеуе вращающегося поля управления Нупр совпадает с изображенным на чертеже, в шину 5 подается импульс тока, способный растянуть домен б. При отсутствии ЦИД пермаллоевые аппликации намагничены в направлении фар ....

Номер патента: 1015438

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Аникеев, Огнев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...цель достигаетсятем, что переключатель ЦМД дополнительно содержит расположенные намагнитоодноосной пленке канал записи и канал стирания управляющего домена иэ пермаллоевых аппликаций,причем последняя пермаллоевая аппликация канала записи управляющего домена магнитосвязана с пермаллоевымдиском, а первая пермаллоевая аппликация канала стирания управляющегодомена гальванически связана с пер 25 маллоевым диском и токопроводящей шиной стирания информации. Токопроводящая шина стирания информации может быть выполнена в одном слое с пермаллоевыми аппликациями.На фиг. 1 изображена принципиальная схема переключателя ЦМД; нафиг 2 - этапы перехода ЦМД припереключении из основного н до олнительный канал продвижения ЦМД;на фиг, 3 - этапы стирания...

Номер патента: 1022218

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Аникеев, Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...цель достигается тем, что переключатель ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения ЦМЛ из ферромагнитных аппликаций, содержит в основном канале продвиже ния ЦМД "образную ферромагнитную аппликацию, вершина которой магнито,связана с основаниями соответствующих ферромагнитных аппликаций дополнительного канала продвижения ЦМД.На фиг. 1 изображена принципиальная схема переключателя ЦМД;фиг. 2 - этапы продвижения домена при переключении,Переключатель ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены основной канал продвижения ЦМД из фс рромагнитных аппликаций 2и 3 и 5 -образной Ферромагнитной апликации 4 и дополнительный каналпродвижения...

Номер патента: 1022219

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Аникеев, Сергеев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...10 управляющего поля Н,г вращается в плоскости пленки 1 по часовой стрелке. Вектор поля сме-. щения направлен к плоскости пленки и перпендикулярно ей, На Фиг. 1 показаны ферромагнитные аппликации 1115, токопроводящие перемычки 16 и17 и аппликация 18.Буквами А, Б, В, и Г обозначеныпозиции, занимаемые ЦИД во времяработы переключателя. 5Переключатель ЦИД работает вдвух режимах: разомкнутых каналовпродвижения ЦИД и замкнутых каналовпродвижения ЦИД,8 режиме разомкнутых каналовферромагнитный диск 2 не содержитуправляющего домена. Поступающий впервый входной канал 3 домен Р продвигается в соответствии с изменениемвектора управляющего поля Нщр помагнитным полюсам А,. Б, В, Г, АПри вращении вектора управляющего поля от направления Б 1 фиг....

Номер патента: 1034071

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Аникеев, Сергеев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...момент в токопроводящую шину 4 управления подается импульс тока длительностью равной половине периода управляющего поля и полярностью, при которой домен, находящийся на С-образнойаппликации, при дальнейшегл вращении вектора Й рфиг.2 б) растягивается по верхйему краю токопро,водящей перемычки 7 и фзахватываетсяф притягивающим полюсом С-образной аппликации б дополнительного канала, Величина амплитуды импульса тока около 20 мА. При дальнейшем повороте вектора Ня домен вследствие магнитного барьера по нижнему краю токопроводящей перемычки 7, создаваемого то О ком, не двигается по притягивающим.полюсам С-образной аппликации 5, а полностью переходит на аппликацию б фиг.2 в ) и начинает перемещаться по дополнительному каналу 3 (фиг.2 г ). 15...

Номер патента: 1038840

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Бородин, Бородина, Кузнецов

МПК: G01N 21/17

Метки: 180-градусных, бария, выявления, доменов, кристаллах, пластинчатых, титаната, топографии

...выглядит темным в скрещенных николях, а структура доменов не выявляется. Не выявляется она и при наклонном падении света: домены просветляются одинаково, Возбуждение в кристалле электрического поля, направленного перпендикулярно оси С., сопровождается появлением компоненты поляризации, направленной по полюс. При этом происходит деформация оптических индикатрис в соседних доменах. Кристалл становится оптически двуосным; при этом главные оси индикатрис соседних доменов отклоняются от оси с на некото рый угол Ы в противоположные стороны. И в этом случае при нормальном падении светового потока доменная структура не выявляется: домены просветляются одинаково. Если же световой поток проходит вдоль главной оси индикатрисы доменов с одним...

Номер патента: 1038966

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Кузин, Никонец, Редченко, Ходосов

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, продвижения, решетки, цилиндрических

...доменосодержащей пленки; Н кол - напряженность поля коллапса решетки ЦМД,На фиг. 1-4 изображены зоны формирования решетки ЦМД в различные моменты времени.В соответствии с предлагаемым способом продвижение решетки ЦМД осущестнляется следующим образом.К магнитной пленке с. исходной лабиринтиой доменной структурой прикладывают перпендикулярно ее поверхности постоянное магнитное поле смещения и однородное импульсное магнитное поле. Импульсное магнитное поле создают путем подачи импульсов тока в два параллельных проводника плоскбй формы (такая форма проводников значительно улучшает однородность поля между ними, когда одинаковые по величине токи текут в них в противоположных направлениях). Токопронодники могут наноситься или...

Номер патента: 1083230

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...расстояния между С- и Т-образными аппликациями при повышенном поле Н,и, соответственно, повышенной ам плитуде тока в шине ЦМД не переключаетсяв выходной канал, а коллапсирует в зоне переключения. Этот недостаток является существенным при работе переключателя совместно с другими функциональными узлами доменного накопителя, поскольку общая об ласть устойчивой работы накопителя в об. ласти высоких полей смещения резко снижается (почти на 50 й; по сравнению с генератором и датчиком считывания ЦМД).Т-образной пермаллоевой аппликации входного канала продвижения ЦМД, и дополнительную токопроводяшую шину, расположенную между каналами продвижения ЦМДпараллельно токопроводяшей шине, причем токопроводяшая и дополнительная токопроводяшая...

Номер патента: 1083231

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Сергеев, Холопкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, репликатор, цилиндрических

...10 в устройствах с малыми размерами ЦМД,в которых сечение управляющей шины не обеспечивает прохождение импульса тока требуемой плотности. Кроме того, управляющие импульсы тока высокой амплитуды увеличивают потребляемую мощность устрой ства.Цель изобретения - снижение потребляемой репликатором ЦМД мощности,Поставленная цель достигается тем, чторепликатор ЦМД, содержащий магнитоод 20ноосную пленку, на которой расположены входной и выходной каналы продвижения ЦМД из С-образных пермаллоевых аппликаций и токопроводящая шина, выполненная в одном слое с С-образными пермаллоевыми аппликациями каналов продвижения ЦМД, содержит в выходном канале продвижения ЦМД две дополнительные Т- и 3-образную пермаллоевые аппликации, а во входном канале...

Номер патента: 1088064

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Гловацкий, Горшков, Зельдин

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...ферромагнитные аппликации 40 смежных ячеек которого развернуты относительно одна другой на постоянный угол О ( Ы ( 90, и интегратор, причем магниторезисторные датчики расположены между смежными ячейками 45 компрессора ЦИД и подключены к входу интегратора, выход которого является выходом устройства. На чертеже изображена принципиаль 50ная схема предложенного устройства. 064 1Устройство для считывания ЦИДсодержит,магнитоодноосную пленку 1,на которой расположены последовательно соединенные магнитореэисторные датчики 2, компрессор ЦИД 3,выполненный из ферромагнитных аппликацнй 4, интегратор 5, выполненныйна базе операционного усилителя б иконденсатора 7,Одноименные ферромагнитные аппликации 4 дугового компрессора 3. развернуты друг...

Номер патента: 1089626

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Выгоцкий, Ильяшенко, Киселев, Орлов, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, магнитных, переключатель, цилиндрических

...при работев режиме переноса информации,Горизонтальный балочный элементслужащий приемной частью устройствав режиме переноса, отстоит от горизонтального участка С-образногс элемента на расстоянии 2-2,5 номинального диаметра домена, Такое расстояние необходимо для предотвращениярастяжения домена между горизонтальным балочным элементом и С-образнымэлементом ц режиме пассивнсго прохождения, Это приводит к необходи -мости увеличивать длину участка проводниковой шины между горизонтальнымучастком С-образного элемента до 4номинальных диаметров домена, вследствие чего увеличивается сопротивление проводниковой шины переключателя и ухудшаются энергетическиехарактеристики устройства, 1089626Цель изобретения - снижениепотребляемой мощности и...

Номер патента: 1108352

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Линев, Лисовский, Муравский, Полонейчик, Фурса

МПК: G01N 27/72

Метки: доменов, магнитных, решетки, формирования, цилиндрических

...его плоскости, максимальное значение которого превышает .поле одноосной анизотропии образца, в нем на образец воздействуют градиентным,радиально-симметричным постоянным магнитным полем, при этом одновременно перемещают образец в его плоскости и компенсируют составляющие поля, перпендикулярные этой плоскости. На чертеже представлено устройство для формирования решетки ЦИД в магнитных пленках, реализующее предлагаемый способ.Устройство для формирования решетки ЦЩ содержит исследуемый образец 1, закрепленный в кассете 2 с воэможностью перемещения в зазоре 3 по направляющим 4, постоянные магниты 5 и 6, обращенные одноименными полюсами в.сторону зазора 3 и закрепленные на основании 7,снабженном механизмом 8 регулировкивеличины зазора...

Номер патента: 1109800

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Бухштаб, Васильева, Гал, Касаткин, Кузнецова, Куликов, Малютин, Седых, Тимофеев

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, каналами, магнитных, низкокоэрцитивными, пленок, плоских, продвижения, тонких, ферромагнитных

...силу пленки, примыкающей к каналам. Затем на протравленную часть магнитомягкой пленки наносят магнитожесткую пленку. Таким образом, исчезает необходимость в обменном взаимодействии ,между магнитомягкой и магнитожест-, кой пленками, так как коэрцитивная сила пленки вне каналов определяется минимальной коэрцитивной силой или протравленной части магнитомягкой пленки, или магнитожесткой пленки, В то же время магнитожесткая пленка устраняет полученный в результате . травления перепад в толщине магнитомягкой пленки, уничтожая существовавшие на краях канала рассеивания, и одновременно может служить материалом для магнитожестких аппликаций для регистра сдвига на ПМД с локальными полями стабилизации (ЛПС) .На фиг. 1 изображена конструкция...

Номер патента: 1109802

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Брякин, Вашкевич, Говоров

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, коллапса, магнитных, напряженности, полосовых, поля, цилиндрических

...ЬС-генератора периодических колебаний, а выход подключен кизмерительному блоку и генератору пи.лообразного тока.Пои этом блоК обнаружения изменения частоты содержит генератор эталонной частоты, два счетчика и пороговый элемент, причем первый вход первого счетчика является входом блокаобнаружения изменения частоты, второй вход первого счетчика подключенк выходу генератора эталонной частоты и входу второго счетчика, выхоцкоторогосоединен с третьим входомпервого счетчика, выход которого подключен к входу порогового элемента,выход которого является выходом блока обнаружения изменения частоты,На чертеже изображена блок-схемапредложенного устройства.Устройство для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических ипзлосовых магнитных...

Номер патента: 1112408

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Бедертдинов, Раев, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...цель достигается тем, чтов канале для продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены изолированныеодин от другого токопроводящие слои, в каждом из которых выполнена основная группапериодически расположенных отверстий, вкаждом токопроводящем слое выполнена дополнительная группа отверстий, причем ось,5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 соединяющая центры отверстий дополнительной группы, расположена параллельно исмещена относительно оси, соединяющейцентры отверстий есновиой группы, на расстояние, равное- О диаметров ЦМД,На фиг.изображена конструкция предложенного канала для продвижения ЦМДс двумя токопроводящими слоями и прямоугольными отверстиями (возможны варианты выполнения канала с другим...

Номер патента: 1117710

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Раев, Смирягин, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменов, канал, магнитных, продвижения, цилиндрических

...изолированные один от другого токо. проводящие слои с выполненными в них,группами периодически расположенных отверстий, каждое из которых ограничено двумябоковыми и двумя торцовыми стенками, покрайней мере одна боковая сторона отверстий выполнена вогнутой формы,На фиг. 1 изображены для варианта выполпения предложенного канала для продвиже.йия ЦМД; на фиг. 2 - распределениеуправляющего тока вблизи отверстий,Канал для продвижения ЦМД (фиг. 1 а)содержит магнитоодноосную пленку,1, на которой расположены токопроводящие слои 2и 3, изолированные друг от друга и отпленки 1 слоями диэлектрика 4 и 4В слоях 2 и 3 соответственно выполненыгруппы периодически расположенных отверс.тий 5 и б.Отличительной особенностью канала явля.ется форма...

Номер патента: 1123059

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Службин, Темерти

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, неразрушающего, считывания, цилиндрических

...формирование протяженной магнитостатической ловушки (МСЛ) переменной длины. При этом длина МСЛ может равняться длине одной из полупетель или суммарной длине обеих полупетель, что обеспечивает растягивание домена, введенного из одной ветви регистра памяти, считывание соответствующей информации и последующее перемещение домена в другую ветвь регистра памяти. Продвижение домена через беззазорный по длине контур расширителя более надежно по сравнению с известными устройствами, так как домен не может выйти за пределы этого проводникового контура расширителя.На чертеже изображена конструкция предложенного устройства для не- разрушающего считывания ЦМД.Устройство содержит магнитоодноосную пленку 1, изолированные друг от друга...