Ток

Номер патента: 836235

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Гимельфарб, Любченко, Поздеева, Ток, Шлугер

МПК: C25D 3/56

Метки: xpom-молибден, осаждения, покрытийиз, сплава, электролит

...становится некачественным (покрытия серые, ухудшается рассеивающая 0способность). Ведение процесса электроосаждения при температурах ниже20 С незначительно увеличивает выходпо току, но требует применения дорогостоящих холодильных агрегатов. Повышение температуры выше ЗООС приводитк снижению выхода по току и ухудшению внешнего вида покрытий, Изменяясостав электролита и режимы электро-лиза в укаэанных пределах, можно получать блестящие покрытия с выходомпо току до 177,Результаты исследования, проведенные на микроаналиэаторе "Сотевах" атакже с помощью атомно-адсорбционного и фотоколометрического анализовпоказывает, что содержание молибденав осадке при введении молибдата нат Таблица 1 Хромовый ангидридМолибдат натрия . фторид натрия...

Номер патента: 834264

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Белоглазов, Гимельфарб, Ионычева, Любченко, Ток, Шлугер

МПК: C25D 3/56

Метки: ochobe, xpoma, осаждения, покрытийиз, сплава, электролит

...Порченный раствор нагревают до 70-80 С и при перемешивании вводят. малыми порциями ванадиввую кислоту . до полного растворении. Затем в расъ вор вводят расчетное количество свленовой кислоты. После ттпатвльного переме- щения электролит готов к работе. рН раствора при 25 фС составляет 0,4-0 П р и м е р, Готовят 3 состава электролита, Электролиз каждого из них приводят в течение 30 мин при комнатной температуре, плотности тоа, соответст венно, 30,60 и 90 Аlдм и рН раствора 0,6, 0,5 и 0,4.Составы и свойства полученного электролита приведены в табл. 1 и 2,Таблица 1. 0 0018 0,0020 0,002320 35 Филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 5 8842Изменяя состав электролита и режимыэлектролиза в указанных пределах,можно получить качественные...

Номер патента: 711181

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Игнатьев, Ионычева, Квятковская, Манторова, Москвин, Ток, Файзулин, Шлугер

МПК: C25D 3/56

Метки: нанесения, основе, покрытий, хрома, электролит

...получаемых покрытий изменяется в зависимости от ре.жимов электроосаждения от 600 до 1100 кг/мм.Внутренние напряжения, измерен. ные методом растяжения-сжатия ленточного катода, составляют 7- 11 кгс/см"(внутренние напряжения для сплава хром-молибден составляют 30- 40 кгс/см.Износостойкость определяют на машине СМЦпри рабочей поверхности ,образца 12,5 см, скорости вращения 200 об/мин длине пути 30000 му в качестве контртела используют сталь 30 хГсА. при этих режимах ис Опытаний износ составляет 9-14 мг, что на 35-40 меньше, чем для покрытия хром-молибден.Полученные покрытия обладают высокой пластичностью и высокой износостойкостью. При толщине слоявыше 15 мкм покрытие беспористое.Коррозионную стойкость определяют ускоренным методом в 3-ном...

Номер патента: 494439

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Башкиров, Матюшин, Остратенко, Пряшникова, Ток

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектрических, нанесением, подготовки, покрытий

...никеля с подложкой после активации проводят анодное травление в 5 - 10%-ном растворе хлористого натрия с наложением ультразвука.Технология обработки по предложенному 1 способу следующая.Обезжиривают в ультразвуковом поле в водном слабощелочном растворе, травят в кислом растворе, сенсибилизируют в растворе двухлористого олова, активируют в растворе 2 хлористого палладия, производят анодное удаление переходного слоя с поверхности металлических включений в 5 - 10%-ном растворе 1 чаОН с наложением мощного ультразвукового поля с использованием в качестве катода мембраны магнитострпкционного преобразо. вателя и далее ведут химическое осаждение меди или никеля.По предложенному способу изготавливают би-и многослойные платы печатного монтажа....

Номер патента: 373852

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Величиной, Волнового, Генератор, Длительность, Если, Конденсатор, Некотором, Нельный, Сопротивлелие, Сы, Так, Ток, Транзистора, Туннельиый, Туннельный, Ющее

МПК: H03K 3/315

Метки: автоматики, аппаратуры, быть, вычислителб, генератор, генератора, других, импульсной, импульсов1изобретение, качестве, может, относится, радиоэлектронной, реализовано, синхроимп1улъ, сов, также, узлам, устройств

...импульсной и вычислительной техники.Известны генераторы импульсов, содержащие туннельный диод и транзистор, в кото,рых температурная стабильность частоты повторения импульсов определяется как стабильностью тока максимума туннельного диода, так и стабильностью тока минимума туннельного диода.Недостатком известных генераторов явл ется низкая температурная стабильность ч стоты повторения импульсов.С целью повышения стабильности частоты повторения импульсов в предлагаемом генераторе температурная стабильность достигается путем изменения взаимного соединения элементов и введения в схему линии задержии, при этом коллектор транзистора подсоединен к общей точке соединения конденсатора и резистора времязадающей цепи.На чертеже дана схема...

Номер патента: 383033

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: База, Возникающее, Выходе, Вычислительной, Держит, Дополнительный, Замыкани, Запирает, Защитный, Может, Надежность, Напр, Обеспечение, Ове, Олннтес, Подключенным, Пока, Полупроводникового, Практически, Предлагаемое, При, Регулирующий, Резистор, Содержащие, Средств, Схема, Так, Ток, Транзистор, Устройство, Чем, Что, Электровакуумных, Эталонный

МПК: G05F 1/571

Метки: за, защитой, коротких, наиряжнния, пкакик1, пост05шного, стабилизатор

...СССР по деламраж 780 ПИ Государственного комитета Совета Министризобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Богодуховская типография Предмет изобретения Стабилизатор постоянного напряжения с защитой от коротких замыканий, содержащий регулирующий и защитный транзисторы, эталонный и дополнительный источники питания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности защиты и обеспечения автоматического включения стабилизатора при устранении короткого замыкания, на выходе стабилизатора параллельно нагрузке последовательно включены полупроводниковый диод, резистор и дополнительный источник питания с 5 внутренним отводом, подключенным к эмиттеру загцитного транзистора, база которого подсоединена к общей точке резистора и...