Архив за 2002 год

Страница 8

Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом

Номер патента: 1279279

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян

МПК: C30B 13/10, C30B 29/40

Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.

Приемник свч-излучения

Номер патента: 1281100

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Васильков, Денисенков, Дорошенко, Крымов, Стоян

МПК: H01L 31/0288

Метки: приемник, свч-излучения

Приемник СВЧ-излучения, выполненный на основе компенсированного n-InSb, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в InSb вводят висмут, мольное содержание которого не превышает 8 10-4, причем при минимально достижимой концентрации фоновой примеси в InSb должно выполняться соотношениеN 7,25 1021X2,где N - концентрация фоновой примеси, см-3;X - мольное содержание Bi.

Композиция адгезионного подслоя для фотоматериалов

Номер патента: 967187

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Дубровин, Петров, Поляков, Пыресев, Савенкова, Семененко, Шевцов

МПК: G03C 1/00

Метки: адгезионного, композиция, подслоя, фотоматериалов

Композиция адгезионного подслоя для фотоматериалов, состоящих из стеклянной подложки и желатинового галогенсеребряного слоя, включающая желатину, привитой сополимер желатины с бутилметакрилатом в количестве 0,7-10 г/л, хромокалиевые квасцы в количестве 2-10 г/л, гидроксид калия, или гидроксид натрия, или гидроксид аммония, или фенолят натрия, или их смесь в количестве 0,6-13 г/л до pH 4,5-6,0 и воду в количестве до 1 л, отличающаяся тем, что, с целью улучшения адгезии фотослоя к подложке при обработке фотоматериалов в режиме с обращением и повышения качества фотоматериалов, она содержит желатину в количестве 11-30 г/л.

Коронароактивное антиишемическое средство

Номер патента: 1464319

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Арутюнов, Бирман, Веверис, Виноградов, Дмитриев, Журавлева, Калвиньш, Лукевиц, Макарова, Симхович, Халев

МПК: A61K 31/20

Метки: антиишемическое, коронароактивное, средство

Применение милдроната - 3-(2,2,2-триметилгидразиний)пропионата в качестве коронароактивного антиишемического средства.

Способ создания дрейфового поля в базах фотопреобразователей

Номер патента: 774466

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Закс, Король

МПК: H01L 21/265

Метки: базах, дрейфового, поля, создания, фотопреобразователей

1. Способ создания дрейфового поля в базах фотопреобразователей, включающий введение донорной примеси в базу с тыльной стороны исходной кремниевой пластины n-типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью сохранения времени жизни неосновных носителей в базе и сокращения длительности процесса, в качестве донорной примеси используют натрий, который вводят в базе методом ионной имплантации с последующей диффузионной разгонки при температуре 600-700oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что доза ионов натрия составляет 100-200 мкКл/см2.

Способ получения фторированного углерода

Номер патента: 1061396

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Горностаев, Земсков, Кедренский, Митькин, Щипачев

МПК: C01B 31/00

Метки: углерода, фторированного

Способ получения фторированного углерода, преимущественно для химических источников тока, заключающийся в обработке порошка углеродсодержащего материала жидким трифторидом брома, отличающийся тем, что, с целью повышения разрядного напряжения и энергоемкости источников тока, в качестве углеродсодержащего материала используют фтороксид графита и предварительно его подвергают термолизу при 250-270oС.

Устройство для контроля герметичности оболочек трубчатых образцов при испытании их в ядерном реакторе

Номер патента: 1061630

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Козлов, Мельдер, Соболев

МПК: G21C 17/07

Метки: герметичности, испытании, оболочек, образцов, реакторе, трубчатых, ядерном

Устройство для контроля герметичности оболочек трубчатых образцов при испытании их в ядерном реакторе, содержащее цилиндрический корпус с фланцем, соединенным с испытываемой оболочкой образца в ее нижней части, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности определения герметичности образцов при упрощении технологии проведения необходимых измерений, внутри корпуса с зазором установлена трубка, соединяющая полость корпуса через отверстие во фланце с объемом испытываемого образца, причем часть полости между трубкой и корпусом и трубка в нижней части заполнены металлом, находящимся при температуре испытания в жидком состоянии, на поверхности которого в трубке расположен поплавок,...

Магниторезистор

Номер патента: 1228744

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Охрименко

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

Магниторезистор на основе антимонида индия, отличающийся тем, что, с целью снижения анизотропии, увеличения чувствительности и линейности, он выполнен из твердого раствора InSb1-xBix, где 0,04 < x < 0,7 ат.%, и содержит от 4,0 1012 до 2,5 1013 см-3 нескомпенсированных доноров.

Устройство для обнаружения дефектов оболочек облученных тепловыделяющих элементов

Номер патента: 1066372

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Матвеев, Сахаров, Симонов, Трифонов

МПК: G21C 17/06

Метки: дефектов, облученных, обнаружения, оболочек, тепловыделяющих, элементов

Устройство для обнаружения дефектов оболочек облученных тепловыделяющих элементов, содержащее герметичную камеру для размещения исследуемого тепловыделяющего элемента, электронагреватель, подводящий и отводящий газопроводы с детектором ионизирующих излучений, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения положения дефектов оболочек облученных тепловыделяющих элементов, устройство снабжено механизмом перемещения исследуемого элемента вдоль длины камеры и датчиком положения элемента, причем подводящий газопровод подсоединен в центральном сечении камеры, а отводящий газопровод выполнен в виде двух патрубков, подсоединенных к противоположным концам камеры и снабженных...

Контейнер для выращивания кристаллов из расплава и способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце

Номер патента: 976726

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Стоян

МПК: C30B 15/10, C30B 25/02

Метки: выращивания, кварце, контейнер, кристаллов, облицовки, расплава, углеродсодержащей

1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации...

Способ получения монокристаллов in sb lt; bigt;

Номер патента: 1360266

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Васильков, Дорошенко, Ковалев, Собина, Стоян

МПК: C30B 13/00, C30B 29/40, C30B 31/00 ...

Метки: биgt, монокристаллов

Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./мин, а расплавленную зону перемещают со скоростью 0,2-3,8 мм/ч.

Устройство для облучения материалов в ядерном реакторе

Номер патента: 1422883

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Середкин

МПК: G21C 17/06

Метки: облучения, реакторе, ядерном

Устройство для облучения материалов в ядерном реакторе, содержащее наружный корпус и ампулу с образцами, отделенную от наружного корпуса газовым зазором, отличающееся тем, что, с целью увеличения производительности эксперимента при одновременном упрощении конструкции устройства и сохранении возможности автоматического регулирования температуры образцов, наружный корпус и ампула выполнены цилиндрическими, причем наружный корпус герметично соединен с ампулой по периметру в верхнем и нижнем торцах посредством кольцевых гофр, выполненных из биметалла, а наружный корпус имеет продольные гофры.

Устройство для определения энергетического распределения ультрахолодных нейтронов, накопленных в сосуде

Номер патента: 1074260

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Косвинцев, Морозов, Терехов

МПК: G01T 1/36, G01T 3/00

Метки: накопленных, нейтронов, распределения, сосуде, ультрахолодных, энергетического

1. Устройство для определения энергетического распределения ультрахолодных нейтронов, накопленных в сосуде, содержащее сосуд хранения, снабженный входным и выходным патрубками с заслонками и запирающей заслонкой, детектор ультрахолодных нейтронов, присоединенный к выходному патрубку, и шток, введенный внутрь сосуда, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения энергетического распределения нейтронов, устройство снабжено детектором тепловых нейтронов, помещенным внутри сосуда хранения и заключенным в контейнер, на котором установлен нагреватель ультрахолодных нейтронов, причем контейнер соединен со штоком.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве...

Способ диагностики метастазов рака легкого

Номер патента: 1184125

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Аблицов, Вапник, Романычев, Шехтер

МПК: A61B 10/00

Метки: диагностики, легкого, метастазов, рака

Способ диагностики метастазов рака легкого путем исследования лимфоцитов крови, отличающийся тем, что, с целью ранней диагностики метастазов, дополнительно исследуют скорость оседания эритроцитов, цветной показатель, средний объем эритроцитов, в сыворотке крови определяют содержание натрия, общего белка, альбуминов и мочевой кислоты, устанавливают величину F по формулегде матрицы (Ajk) (j=1-3; k=1-8),(Blm) (l=1,2; m=1-8)имеют вид X1 - показатель...

Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа

Номер патента: 1245162

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Король, Крыштоп

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходов, глубоких, кремнии, п-типа

Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см2, а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750oС в течение 25-6 мин соответственно.