Архив за 2002 год

Номер патента: 1773208

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Маргулев, Сергеев

МПК: H01J 23/36

Метки: волны, типа, трансформатор

1. Трансформатор типа волны замедляющей структуры, содержащий отрезок прямоугольного волновода с короткозамыкателем, расположенным со стороны, противоположной вводу мощности, и отверстием в широкой стенке для присоединения цилиндрического волновода замедляющей структуры, и емкостный элемент связи, расположенный на противоположной широкой стенке с внутренней стороны отрезка прямоугольного волновода соосно с отверстием и на расстоянии порядка четверти длины волны от короткозамыкателя, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей трансформатора за счет обеспечения широкополюсного согласования и повышения тепло- и электропрочности при работе со структурой типа...

Номер патента: 1678168

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Камышный, Николаева, Подяпольский

МПК: H01J 19/04

Метки: прибор, электровакуумный

1. Электровакуумный прибор, содержащий термоэлектронный катод, отличающийся тем, что, с целью придания катоду автономности действия, снижения его энергопотребления и времени готовности прибора, в корпус прибора герметично встроена ампула, содержащая по крайней мере одну термитную шайбу с расположенным в ней электрозапалом, при этом обращенная внутрь прибора наружная поверхность ампулы покрыта эмиттирующим веществом.2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что ампула и близлежащая поверхность корпуса закрыты теплоизолирующей насадкой.

Номер патента: 413533

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Гусев, Камышный, Ларионов

МПК: H01C 7/13

Метки: пленочный, резистор

Пленочный резистор, выполненный в виде нанесенного на диэлектрическое основание слоя резистивного материала, снабженный токоподводящими выводами, отличающийся тем, что, с целью осуществления необратимой однонаправленной регулировки сопротивления, он снабжен последовательно расположенными между слоем резистивного материала и диэлектрическим основанием слоем термохимически активного диэлектрика, например двуокиси кремния, слоем термохимически активного металла например алюминия, термостойкой диэлектрической пленкой и пленочным подогревателем с плавно изменяющимся вдоль оси сечением, подключенным к вспомогательным электродам.

Номер патента: 1823958

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Ежов, Кравченко, Медведев, Смирнов, Соколинский, Цыбуля

МПК: C03B 37/00

Метки: волокон, минеральных, непрерывных

Способ изготовления непрерывных минеральных волокон из базальтовых пород путем плавления базальта, подачи базальтового расплава в зону выработки для струйной подачи к фильерам, отличающийся тем, что, с целью повышения качества базальтовых тканей за счет снижения удельной обрывности получаемых волокон, отбор базальтового расплава для подачи к фильерам ведут в зоне, расположенной на высоте 0,2-0,8 высоты уровня расплава в зоне выработки.

Номер патента: 1681685

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Камышный, Ларионов

МПК: H01H 37/76

Метки: коммутатор, одноразовый

Одноразовый коммутатор, содержащий материалы, вступающие в термохимическую реакцию, и нагреватель, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности выполнения коммутатора пленочным и уменьшения влияния его на окружающие элементы, перемычка между контакт-деталями выполнена из металла, вступающего в термохимическую реакцию с прилегающим материалом диэлектрика с образованием непроводящего вещества, причем указанные материалы выбираются таким образом, чтобы при температуре реакции не образовалась жидкая или газообразная фаза, например цинк и сера.

Номер патента: 1825280

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H05H 1/52

Метки: электровзрывной, элемент

Применение полупроводниковых материалов для изготовления электровзрывных элементов.

Номер патента: 961305

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Воронков, Кузнецова, Леонтьева, Малькова, Тимохина, Усов

МПК: A61K 31/145, C07C 325/02

Метки: 3-амино-5, 5-диметил-2-циклогексен-1-тионы, n-замещенные, антистафилококковым, действием, обладающие

N-Замещенные 3-амино-5,5-диметил-2-циклогексен-1-тионы общей формулыгде R - n - аминофенил, диметиламиноэтил или оксиэтил,обладающие антистафилококковым действием.

Номер патента: 1828313

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H01H 69/00

Метки: подключения, резервирующих, цепей

1. Способ подключения резервирующих цепей по авт. св. 1667604, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, полупроводниковый ключ с трансформируемой структурой ставят в такой режим перегрузки, при котором для каждой заданной длительности коммутируемого тока его уровень устанавливают между уровнем, ниже которого необратимой трансформации структуры нет, и уровнем, выше которого она обязательна.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что уровень трансформируемого тока устанавливают не превышающим границы обратимых пробоев в полупроводниковом ключе.

Номер патента: 1828314

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H01H 69/00

Метки: подключения, резервирующих, цепей

Способ подключения резервирующих цепей по авт. св. 1667604, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, длительность трансформирующего импульса выбирают не превышающей длительности, необходимой для сквозного проплавления всего междуэлектродного промежутка, а интервал между трансформирующими импульсами устанавливают достаточным для рекристаллизации расплавленного полупроводникового материала и образования нового p-n-перехода, восстанавливающего запирающие свойства ключа.

Номер патента: 1828318

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H01H 69/00, H03K 17/00

Метки: подключения, резервирующих, цепей

1. Способ подключения резервирующих цепей по авт. св. 1667604, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, уровень трансформирующего тока выбирают в интервале между минимальным током, приводящим к возникновению скрытых дефектов кристаллической решетки полупроводникового материала, вызывающих необратимый термоэлектрический пробой p-n-перехода, и уровнем обязательной его трансформации первым импульсом коммутируемого тока.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что уровень минимального тока выбирают в соответствии с экспериментально снятой зависимостью N = f(I), где N - максимальное число операций, реализуемых полупроводниковым ключом с трансформируемой структурой,...

Номер патента: 1457690

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Богомолов, Бурдань, Горчаков, Сопиков, Титов

МПК: H01F 41/06

Метки: намотки, соленоида

1. Способ намотки соленоида, выполненного из дисковых катушек, при котором сверхпроводящий провод с бобины укладывают рядами на вращающийся сердечник катушки, отличающийся тем, что, с целью улучшения условий эксплуатации и повышения надежности работы соленоида путем уменьшения числа спаянных мест, укладку провода второго ряда заканчивают без последнего витка у торца сердечника, а на его месте с дополнительной бобины производят укладку провода в виде двух витков плоской спирали, затем при укладке провода каждой последующей пары рядов с недостающим витком у торца сердечника дополнительную бобину с проводом вращают совместно с сердечником катушки, а после их укладки осуществляют укладку...

Номер патента: 1829787

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Андреев, Барышев, Сидоров, Столяров

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, микропробоя

Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур, заключающийся в том, что МДП-структуру заряжают путем пропускания прямоугольного импульса тока и одновременно измеряют временную зависимость напряжения на МДП-структуре, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерения и упрощения способа, одновременно с МДП-структурой заряжают емкость сравнения произвольной величины, определяют отношение емкости МДП-структуры к емкости сравнения n = Cмдп/Cср, при этом заряжают МДП-структуру импульсом тока с амплитудой Iмдп = k Iпор, где Iпор - пороговая величина тока; k -...

Номер патента: 711915

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Залетных, Исаев, Клинов, Мамелин, Топоров, Федотов

МПК: G21G 1/02

Метки: блок, накопления, нуклидов, радиоактивных

Блок для накопления радиоактивных нуклидов, состоящий из герметичной камеры, в которой размещены мишени, выполненные в форме дисков, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода накапливаемого радионуклида, камера выполнена в виде двух соосных полых цилиндров с общим основанием, в зазоре между которыми расположены диски, плоскости которых перпендикулярны основаниям камеры, причем диаметр внутреннего цилиндра удовлетворяет соотношениюа величина зазора между цилиндрами hгде D - диаметр диска;

Номер патента: 714935

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Исаев, Клинов, Мамелин, Топоров

МПК: G21C 1/02

Метки: реактор, ядерный

Ядерный реактор, содержащий ловушку нейтронов, в которой размещены мишени для накопления трансурановых элементов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода накапливаемых элементов, в ловушке размещены сменные блоки из замедляющего нейтроны вещества.

Номер патента: 1697545

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Камышный, Подяпольский

МПК: H01J 1/22

Метки: действия, катодный, кратковременного, приборов, узел, электровакуумных

1. Катодный узел для электровакуумных приборов кратковременного действия, содержащий термоэлектронный катод и подогреватель, отличающийся тем, что, с целью придания катоду автономности действия, повышения надежности, снижения энергопотребления и времени выхода катода в рабочий режим, его подогреватель выполнен в виде герметизированной ампулы, наружная поверхность которой имеет тепловой контакт с эмиттирующей поверхностью катода, заполненной составом, при взаимодействии реагентов которого имеет место экзотермическая реакция, например термитной смесью, в которую помещен электрический запал.2. Катодный узел по п.1, отличающийся тем, что, с целью нагрева катода в процессе его изготовления...

Номер патента: 1473452

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Белолипецкий, Зайцев, Проценко, Ромашко, Рязанов, Тур

МПК: F16F 15/30

Метки: маховик

1. Маховик, содержащий обод из композиционного материала, соединенный со ступицей подмоткой из композиционного материала, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, он снабжен размещенными между ступицей и подмоткой склеенными с ними кольцами из композиционного материала, а ступица выполнена с насечкой.2. Маховик по п.1, отличающийся тем, что на внутренней поверхности обода со стороны торцов выполнены канавки.

Номер патента: 1792184

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Атманов, Близнюк, Иванов, Лелехов, Лыхин

МПК: H01B 12/00

Метки: кабель, сверхпроводящий

Сверхпроводящий кабель, содержащий навитые вокруг центрального композиционного сверхпроводника и проводника из стабилизирующего материала отдельные сверхпроводники и стабилизирующие проводники, расположенные в чередующемся порядке и находящиеся в контакте друг с другом, и припой, заполняющий пространства между центральным сверхпроводником и расположенными вокруг него проводниками и сверхпроводниками, отличающийся тем, что, с целью повышения качества путем улучшения криостатической стабилизации поверх навитых сверхпроводников и проводников из стабилизирующего материала размещен слой капиллярно-пористой структуры, который в поперечном сечении образует кольцо, причем между участками контакта...

Номер патента: 1124827

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Клименко, Попова, Распопова, Харченко, Шишкевич, Ярцева

МПК: H01M 4/60, H01M 6/18

Метки: источника, катодный, материал, твердым, химического, электролитом

Катодный материал для химического источника тока с твердым электролитом на основе ионных органических солей, отличающийся тем, что, с целью повышения электропроводности, в качестве органической соли взят перхлорат 2-метоксифенил-4-фенилтетраметилентиапирилия.

Номер патента: 1651733

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Максимов, Пелых

МПК: H02M 7/515

Метки: автономный, инвертор

Автономный инвертор тока, содержащий подключенный к входным выводам через дроссель трехфазный тиристорный мост с отсекающими диодами, выводы переменного тока которого подключены к выходным выводам, а к точкам соединения тиристоров и диодов каждого плеча подключены коммутирующие конденсаторы, отличающийся тем, что, с целью увеличения реактивной мощности и повышения устойчивости коммутации тиристоров, в анодную и катодную группы введены компенсирующие конденсаторы, подключенные пофазно к выходным выводам и соединенные с компенсирующими конденсаторами по схеме "звезда-звезда" с общей нулевой точкой.

Номер патента: 1598813

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H03B 1/02

Метки: активного, аппаратуре, использования, кратковременного, образования, одноразового, основе, полупроводниковой, радиоэлектронной, структуры, элемента

Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре, например для генерирования электрических колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности активного элемента, через полупроводниковую структуру диодного типа пропускают в прямом и обратном направлении электрический импульс для инициирования в ней необратимого электрического или термоэлектрического пробоя с последующей подачей на образованный нелинейный элемент рабочего тока и напряжения.

Номер патента: 1600597

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Борисенок, Новицкий, Толстиков

МПК: H01L 41/08, H02N 2/00

Метки: генератор, пьезоэлектрический

1. Пьезоэлектрический генератор, включающий генератор ударной волны, выполненный плосковолновым, пьезоэлектрический преобразователь, выполненный в виде набора основных пьезопластин с электродами на двух противоположных гранях, параллельных направлению распространения волны, векторы поляризации которых перпендикулярны электродам, соединенных электрически параллельно, а грани их, обращенные к генератору ударной волны, расположены в одной плоскости, пороговый элемент, блок пьезопластин, подключенный параллельно к пьезоэлектрическому преобразователю и через пороговый элемент - к выходным клеммам пьезоэлектрического генератора, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия...

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.

Номер патента: 1307735

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Камышный

МПК: B64G 1/16

Метки: исследования, планет, поверхности, системы, солнечной

1. Устройство для исследования поверхности планет солнечной системы, содержащее исследовательские приборы, привод перемещения и шасси, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатрат на исследования и упрощения конструкции, привод перемещения выполнен в виде термобиметаллической пластины, на углах которой установлены шасси, выполненные в виде изогнутых в одну сторону заостренных опор.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что заостренные опоры с одной стороны пластины выполнены короче, чем заостренные опоры с другой стороны пластины.3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено жесткой рамкой, поджимающей термобиметаллическую пластину.

Номер патента: 1307972

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Пленцов

МПК: G01C 19/34

Метки: горизонта, линии, полете, положения

Устройство для определения положения линии горизонта в полете, содержащее датчики тангажа и крена самолета, соединенные каждый со своим приводом, генератор оптических сигналов, включающий источник света с линией искусственного горизонта и внешним и внутренним корпусами, соответственно соединенными с приводами, а также блок индикации с отражающей поверхностью и датчик курса самолета, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения положения линии горизонта при разворотах самолета в условиях отсутствия видимости естественного горизонта, в него введены привод и кронштейн, при этом источник света установлен на кронштейне и кинематически связан с приводом, вход которого подключен к...

Номер патента: 1551029

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Новицкий, Садунов, Толстиков

МПК: F42C 11/00

Метки: импульсов, нагрузках, последовательного, формирования

Устройство для последовательного формирования импульсов в нагрузках, содержащее источник питания и N цепей, каждая из которых содержит последовательно соединенные пороговый элемент и нагрузку, причем один вывод порогового элемента первой цепи соединен с первым выводом источника питания, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, в нем в каждую цепь, начиная с N-1, включен между пороговым элементом и нагрузкой по крайней мере один поляризованный пьезоэлемент, причем вывод пьезоэлемента, полярность которого противоположна полярности первого вывода источника питания, подключен к второму выводу порогового элемента, второй вывод пьезоэлемента подключен к первому выводу...

Номер патента: 805667

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Сытин, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методу

Устройство для выращивания кристаллов по методу Вернейля, включающее кристаллизатор со смотровым окном и горелку, установленную над ним, отличающееся тем, что, с целью более равномерного обогрева торца растущего кристалла и улучшения за счет этого его оптической однородности, нижний торец горелки выполнен сферическим с радиусом R = 2F, где F - расстояние от нижнего торца горелки до оси смотрового окна, и имеет зеркальную поверхность.

Номер патента: 1441576

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Боженков, Васянович, Кундас, Нефедов, Семенов, Сятковский, Тявловский, Черняев

МПК: B21F 21/00

Метки: ленты, проволоки

Устройство для изготовления ленты из проволоки, содержащее два соосно размещенных бойка, по крайней мере один из которых соединен с источником ультразвуковых колебаний, а деформирующие и калибрующие поверхности бойков расположены под углом одна к другой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности устройства за счет увеличения степени единичных обжатий, каждый боек выполнен с углом между деформирующей и калибрующей поверхностями, равным 10-18o, а длина L калибрующей поверхности выбрана из условиягде 2A - расстояние между крайними положениями калибрующей поверхности бойка;

Номер патента: 403236

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов

Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристалла, она снабжена дополнительным бункером с дозатором и шихтопроводом, введенным в кристаллизационную камеру эксцентрически относительно ее вертикальной оси.

Номер патента: 1814465

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Агаларов, Новицкий, Садунов, Садыков, Толстиков

МПК: H01L 41/24

Метки: импульсной, поляризации, сегнетокерамики

Способ импульсной поляризации сегнетокерамики, заключающийся в приложении к образцу из сегнетокерамики, помещенному в диэлектрическую среду, при комнатной температуре однополярного электрического импульса, отличающийся тем, что, с целью обеспечения заданного уровня поляризации, электрический импульс прикладывают к цепи из последовательно соединенных образца из сегнетокерамики и дополнительного образца из сегнетотоэлектрика, а поляризацию прекращают по достижении дополнительным образцом состояния насыщения, причем характеристики материала и площадь электродов Sдоп дополнительного образца выбирают из соотношения

Номер патента: 1389587

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Камышный, Рукман

МПК: H01H 67/00

Метки: коммутатор, координатный

1. Координатный коммутатор, содержащий контактные исполнительные механизмы в точках пересечения шин коммутатора, контакты которых соединены с указанными шинами, и источник управления, отличающийся тем, что, с целью снижения габаритов и стоимости и повышения быстродействия, в качестве указанных контактных исполнительных механизмов использованы датчики давления, а в качестве источника управления использован источник когерентных ультразвуковых колебаний, предварительно пропущенных через акустическую голограмму.2. Коммутатор по п.1, отличающийся тем, что каждый указанный датчик давления снабжен фиксатором замкнутого состояния его контактов после снятия воздействия указанного источника...