Архив за 1978 год

Страница 1132

Приспособление для ликвидации обрыва нити при раздельных процессах кручения и намотки

Загрузка...

Номер патента: 203528

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Иванов, Коритысский, Кровцова, Оськин, Рудина, Самойлов, Усатенко, Шагов, Шетлер

МПК: D01H 1/00

Метки: кручения, ликвидации, намотки, нити, обрыва, процессах, раздельных

...тем самым пряжу. Исполнительный механизм 11 вводит ролик 5 между мотальным барабанчиком 3 и паковкой 4, осуществляя реверс вращения паковки 4 и сматывание пряжи.Пряжа, попадая в компенсатор 2, всасывается в прядильную камеру и, натягиваясь, воздействует на датчик, который через исполнительные механизмы 10 и 11 возвращает валик 6 и ролик 5 в исходное положение. 1, Приспособление для ликвидации обрыва нити при раздельных процессах кручения и намотки по авт.св,9333233,о т л и ч а ю щ е е с я тем, что,с целью использования его при пневмомеханическом прядении, на участкемежду компенсационным каналом и механивмом намотки нити установленапара валиков, один из кдторых, б нажимной, смонтирован на рычаге,перемещаемом по сигналу датчиковобрыва...

Полупроводниковый переключающий прибор

Загрузка...

Номер патента: 405473

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...базе 4, дополнительной области 8 Ь -типа и изолирующего покрытия 9.Геометрические размеры и электро" физические. характеристики. слоев выбирают из условий реализации необходи мых значений рабочих токов и напряжений. Глубину выемки выбирают в зависимости от требуемой величины поверхностной концентрации, соответствующей дну выемки и однозначно определяющейнапряжение пробоя-)1- ПЕРЕХОДа, ОбразованногО базой 4и областью 8.Принцип работы прибора заключается в следующем.При рабочем напряжении на электродах 2 и 6,меньшем величины напряжения пробояр--перехода, образованного базой 4 и областью 8, прибор находится в закрытом состоянии. Увеличение внешнего напряжения до значения напряжения пробоя р- й -перехода, образованного базой 4 и областью 8,...

Регулирующая сборка ядерного реактора

Загрузка...

Номер патента: 410695

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Будников, Евсеев, Самойлов, Сухарев

МПК: G21C 7/10

Метки: реактора, регулирующая, сборка, ядерного

...Увеличение длины регулируюшей сборки приводит к увеличению высотных габаритов реактора, а следовательно, и установки в целом, что является нежелательным по конструктивным и экономическим соображениям. Вследствие этого приходится ограничивать длину и ресурс работы регулирующей сборки.Предлагаемая регулирующая сборка ядерного реактора отличается тем, что общая газовая полость расположена между элементами с поглошающим материалом, герметично сообшенными с этой полостью.Такое выполнение сборки позволяет су- щественно уменьшить ее длину (на вели43чину, равную длине газовой полости), а следовательно, и высотные габариты реактора при сохранении или увеличении ресурса ее работы и практически неизменном радиусе активной зоны.Последнее...

Процессор цифровой вычислительной системы

Загрузка...

Номер патента: 475897

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Антонов, Егорычева, Жуков-Емельянов, Климов, Королева, Коханов, Левин, Михайлов, Папилина, Пебарт, Попова, Почечуев, Пряхин, Храмцов, Шульгин

МПК: G06F 15/00

Метки: вычислительной, процессор, системы, цифровой

...таб лицы накапливаются (суммируются логически) в зоне С, а если правильно, то неинвертированные диагностические таблицы накапливаются в зоне С,При неустойчивых неисправностях в основном используется только зона С (С - 10как вспомогательная информация по усмотрению оператора), Для устойчивых неисправностей необходимо находить лополнительное пересечение зон С и С. Это делают либо визуально, либо путем вывода содер жимого зоны С на перфокарты и репродукцией на эти перфокарты солержимого зоны С, Пульт оператора чожет содержать переключатель управления выводом этих зон. Для ввода в зону С и Св блоке диагностики предусмотрена специальная схема коррекции канальной программы в зависимости от удачного или неудачного прохожления теста локализации...

Полупроводниковый переключающий прибор

Загрузка...

Номер патента: 481227

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Курносов, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...-типа, защитное покрытие 10.Прибор работает следующим образом.Рабочее напряжение подается междуэлектродами 2 и б полупроводникового фф переключателя и при его значении,меньшем напряжения переключения, прибор находится в закрытом состоянии.При превышении величины напряженияна электродах 2 и б, большей значения напряжения пробоя р-И-перехода,образованного базой 4 и областью 9по цепи 2-1-3-9-4-7-5-6 начинаетпротекать ток, являющийся токомуправления четырехслойной структурыпо узкой р-базе, под действием кото481227 Формула изобретения Составитель О.федюкинаахтар Е,Месропова Техред Н.Бабурка Корректор 3, Се 1 краж 960рственного комиелам изобретениМосква, Ж,Заказ 5463/1 ЦНИИПИ Гноеинистр Подпкста Совета Ми открытийушская наб.,.4/ атент,...

Способ получения антидиффузионного барьера

Загрузка...

Номер патента: 361748

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Димант, Иноземцев, Люскин, Николаев, Пешель, Прохоров, Смирнов, Сыркин, Уэльский

МПК: H01C 1/02

Метки: антидиффузионного, барьера

...и гальванический способы создания антидиффузионного барьера сопровождаются газовыделением,приводящим к плохому контакту барьерного слоя с полупроводником,С целью уменьшения тепловых иэлектрических сопротивлений контактатермическую диссоциацию легколетучего тетракарбонила никеля проводятна поверхности полупроводника, нагретого до низкой температуры, кото,рая не вызывает нежелательных изменений свойств полупроводника. Полупроводник на основе,В( 1 е ЗЪ , Зе помещают в герметичную камерую оборудованную инфракрасным нагревателем. В камере создают разрежение порядка 1-10 мм рт.ст. После нагрева образцов до температуры 100 140 С в камеру направляют дозированный тетракарбонил никеля со скоростью (2-6) 10 мол/мин, который при...

Электронно-оптическая система для электронно-лучевых трубок

Загрузка...

Номер патента: 364260

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Гейзлер, Романюк, Траубе

МПК: H01J 29/48

Метки: трубок, электронно-лучевых, электронно-оптическая

...предлагаемая электронно=оптическая система.Она состоит из катода , модулятслэа 2, ускоряющего электрода 3, диафрагмы 4 фскусирующего электрода, собранных в арматуру на изоляторах 5 и посаженных на ножку 6, которая вварена в горловину 7 прибора. Элект. ростатическая фокусвующая линза системы образована кольцами токо- проводящего материала, нанесенного на энутреннюю поверхность горловины в виде Фокусирующего кольца В,которое соединено с диафрагмой фокусиру" ющего электрода. Высоковольтное анодное кольцо 9 соединено с анодным вводом на баллоне ррибора.Вариантом предлагаемой элно-оптической системы являетструкция без ускоряющего злеГлавная фокусирующая линззуется между двумя кольцами364260 лФормула изобретения Составитель Р.Алешин...

Способ сенсибилизации панхроматических слоев кинофотоматериалов

Загрузка...

Номер патента: 430747

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Гречко, Кудрявская, Москаленко, Тарасенко, Тимофеева

МПК: G03C 1/12

Метки: кинофотоматериалов, панхроматических, сенсибилизации, слоев

...М ЛОо о о о (Ч о о о л нх о е а М 1лонс е 1ое хаеео н1еКОФеНОо11 мх йохмВО 1 ХХ днцЕсч ФЕь 3х01 м Х,ЦАП ФЛЕ Ь О 1 Хцхецх 5хеОххнххне1 ЯНХЯХ- ххмо еио1 1 ХМОм 1;- ыоад с о ххлопаюцо -а еоа- ехх1. ф Э Х Ц Нэ 1 1 Ц 1 Х Н оооо ахах ссай она е вех х д я Фм 1;хх .х цнм е ох 1 чэ(с м о О 3 сею х 1 чха ЦВ ХФ мфеех сх о х м нх 1;П р и м е р 1, В 1 л расплавленной аммиачной негативной бромйадосеребряной эмульсии вводят 225 мл 0,020-ного раствора триэтиламиновой соли 33(-ди-сульфопропилэтил-б -метокси,5-бензо , 5I Р / -(тиено,3) -тиакарбоцианин-бетаина, После 30 мин выстаиванияв 5 термостате при 40 С сенсибилизированной эмульсией поливают стеклянные пластинки (5 мл эмульсии на 9 х 12) ( см,таблицу, опыт 1). Во вторую порцию сенсибилизированной...

Ультразвуковое импульсное устройство для контроля параметров листовых материалов

Загрузка...

Номер патента: 306767

Опубликовано: 05.10.1978

Автор: Бражников

МПК: G01N 29/00

Метки: импульсное, листовых, параметров, ультразвуковое

...излучения.На чертеже дана схема предлагаемого устройства.Импульсный генератор 1 возбуждает с постоянным периодом следования импульсов акустическую излучающую головку 2, которая посылает в иммерсионный слой 3 короткий монохрочатический и узкосгсктраьныи ч 1 ьт 111 зв ЬОвой чль. Он;110. ходит контролируемое издс 1 ие 1 но 1 рч;ль и его поверхности и через ждко 1 ный слоГ 5 на противоположной стороне изделия итупает на приемную акустическую головку 6, которая преобразует эгот пч:ульс в - трпчеки им,ьс чьтраз 11 новой ,хыПринятыи изульсиив;етя чсил - телем 7 и подается на пиковый детектор ч, которым вырабатывается постоянное напряжение, равное ачплитуде его опбающейяжение поступает на измерительный б 9, шкала которого градуирована в е цах...

Ультразвуковой способ

Загрузка...

Номер патента: 308607

Опубликовано: 05.10.1978

Автор: Бражников

МПК: B06B 1/06

Метки: ультразвуковой

...относится к области ультразвука для автомаонтроля технологических металлообрабатывающей, и других отраслях народи противопол в жидкости дшей через по амплиту о Формула изобретен е ультразвуковые способы олщины материала путем жидкость, приема и ре- рошедшей через контроли- риал волны, обладают не- и точностью и диапазоном етения - повышение т рение диапазона изме точиренивую симальной идкость в контвводят бегущуюдлина которой ого черей материковую ветверен олну, ной м Изобретеприменениятического,кпроцессов вхимическойго хозяйствИзвестныизмерения тизлучения вгистрации пруемый матеточнымрений,Цель изоности и расшрений,Для этролируемыультразвубольше уч Ультразвуковой способ измерения толщины материала путем излучения в жидкость, приема и...

Полупроводниковый датчик давления

Загрузка...

Номер патента: 545214

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Бронштейн, Коробов, Лукичева, Маслов, Синицын, Сокуренко, Юрова

МПК: H01J 29/84

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...0,01-0,10.Кроме того, отношение объемов соседних участков выбрано в пределах от 1 до 10.На чертеже изображен полупроводниковый датчик. давления.Он представляет собой параллелепипед, состоящий иэ полуизолирующей подложки 1, выполненной, например, из арсенида.галлия, легированного хрбйом, и слоя 2 твердого раствора с изменяющимся по длине датчика содержанием компонент. На крайние слои чувствительного элемента нанесены контакты 3 и 4, к которым присоединены выводные электроды 5 и б.Чувствительность описанного выше датчика для случая дискретного йзменения компонент определяется Формулой:Яю,.ю,Цг 4где б - коэффициент чувствительности к давлению слоя состава Оо Аь-х; РхМ - начальное сопротивление-го слоя.В случае плавного изменения состава в...

Устройство для измерения скорости потока

Загрузка...

Номер патента: 494955

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Биренберг, Голий, Гринберг, Карпов, Марченко, Михайлюк

МПК: G01P 5/12

Метки: потока, скорости

...направляюшего устройства 7, которое служит для стабилизации воздушного потока, обтекаюшего термоэлемент, и с помощью диафрагм 8, устанавливае- мых на входе и выходе, обеспечивает возможность изменения диапазона измеряемых скоростей.Высокоомные терморезисторы 1 и 2, намотанные по краям термостойкого основания 5, включены в одну ветвь моста и выполняют роль измерителей разности течператур потока на входе и выходе устройства. Низкоомные терморезисторы 3 и 4, намотанные в центре термостойкого основания. включены в другую ветвь измерительного моста и выполняют роль нагревателей воздушного потока.Устройство работает следующим образисторы, нагретые протекающим ктрическим током и вынесенные няют свою температуру, а слеи сопротивление при...

Способ изготовления индикаторных устройств на жидких кристаллах

Загрузка...

Номер патента: 496853

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Банников, Берестенко, Быков, Мягков, Сотников

МПК: G02F 1/07

Метки: жидких, индикаторных, кристаллах, устройств

...вещества выбирают таким, чтобы на поверхности ванны образовался разреженный мономолекулярный слой. Поверхность, занимаемая мономолекулярным слоем, ограничена по параметру: с трех сторон краями ванны, а с четвертой стороны подвижным барьером, скользящим по краям ванны так, что вода легко проходит пол барьером при его движении. Для молекул поверхностно-активного вещества, находящихся на поверхности, барьер явчяется непроницаемым. Далее, контролируя поверхностное натяжение воды, уменьшают с помощью барьера площадь, занимаемую мономолекулярным слоем. При увеличении поверхностной концентрации молекул поверхностно-активного вещества возникает взаимодействие между молекулами мономолекулярного слоя, и они ориентируются...

Устройство синфазирования тактовых импульсов

Загрузка...

Номер патента: 497875

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Бугрова, Соколовский

МПК: G06F 1/02

Метки: импульсов, синфазирования, тактовых

...подан запрешаюший сигнал с триггера 1. На нулевом плече триггера 9 имеется низкий потенциал. На вход счетчика 5 поступают сигналы с генератора 2 опорных импульсов, однако просчета этих сигналов не происходит, так как на шину сброса счетчика 5 с триггера 9 памяти синфазирования через усилитель 11 подан запрещающий сигнал. По этой же причине не происходит переписи информации из счетчика 4 в счетчик 5 по цепи: тактовый вход, линия задержки 12, схемы 13 - 15 совпадения. При поступлении сигнала из линии связи триггер 1 приводится в рабочее состояние, на его единичном выходе появляется высокий потенциал. В результате этого на входах схем 3, 6 совпадения появляется запрешающий сигнал. Счетчик 4 фиксирует число импульсов генератора 2,...

Цифровое устройство числового программного управления

Загрузка...

Номер патента: 441858

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Гульденбальк, Ивченко, Казакевич, Козлов, Колосов, Колосова, Мелехин, Попандопуло, Чечурин

МПК: G05B 19/18, G05B 19/4155

Метки: программного, цифровое, числового

...в соответствии с адресом ячейки, указанным от блока 16.Вьполнив описанным образом программу передачи из блока 2 в блок 3 и выявив при этом характерные особенности последующих программ (по информации фразы, переданной из блока 2), блок 16 обеспечивает настройку схемы 14 приоритета по вхо.,у 58 в 1 жим, соответствующий либо эквил 1 стантн., у, либо безэквидистантному контурному управлению. Кроме того, по выходу 59 блок 16 посылает сигнал пуска программоносителя 60 в блок 15. При этм начало отработки из блока 2 фразы совмещается с вводом в блок 2 очередной фраы.Отработка фразы, ввод слелующей фразы с преобразованием десятичного кода В двоичный и определение коорлинат эквилистантного контура осуществляктся в режиме)1 язделения Врех 1 енп...

Полупроводниковый многослойный переключающий прибор

Загрузка...

Номер патента: 380222

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Беленков, Курносов, Малицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: многослойный, переключающий, полупроводниковый, прибор

...-типа, контакт 8 и изолирующее покрытие 9. Размеры и элвктрофизические характеристики слоев выбирают из условий 10 реализации и необходимых значенийрабочих токов и,напряжений.Принцип работы прибора заключается в следующем. Для получения величины напряжения включения более 12 В йо управляющему электроду величину поверхностной концентрации Р -базы выбираютлф 10 см , благодаря чему реализуется достаточная эффективность й -эмиттера 5, а наличие выемки обеспечивает снижение концентрации в области дна выемки и тем самым увеличивает пробивное напряжениеР-и- перехода, образованного Р-базой 4 н слоем 7. Из" меняя глубину выемки можно в щиро" ком диапазоне значений менять величину управляющего напряжения.Для получения значений управляющего...

Устройство для нанесения мастики на цоколь

Загрузка...

Номер патента: 557695

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Гришаев, Цыганкин

МПК: H01K 3/00

Метки: мастики, нанесения, цоколь

...установлена крышка 10 с подшипником 11 скольжения.0 По оси штока установлена тяга 12 с направляющей втулкой 13 и пружиной 14.Звездочка 15 служит для центрации отсекающего клапана 16. В нижней части бачка установлена втулка 17 и подвижное кольцо 18 с пружиной 19. Втулка 17 прикрепляется к бачку фасонной гайкой 20. К бачку с помощью винта 21 прикрепляется ось 22, на которой вращается звездочка 23 с ножами 24, взаимодействующими с неподвиж ной стойкой 25. Движение штока осуществляется под действием неподвижного кулачка 26, имеющего определенный профиль, Цоколь 27 находится в гнезде непрерывно движущегося цепного транспортера (гнездо и транспортер на чертеже не показаны).При совпадении траектории движения бачка 1 и цоколя 27 цоколь вместе с...

Способ получения борида алюминия а1в 12

Загрузка...

Номер патента: 266748

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Ламихов, Неронов

МПК: C01B 35/04

Метки: а1в, алюминия, борида

...Сернокислый алюминий и сернокислый кальцийпредварительно прокаливают при температуре соответственнс, 500 и 700-80(Г С.Все шихтовые материалы применяют ввиде порошков с крупностью частицне более 60-70 меш,Шихтовые материалы, взятые в количестве, г: В 03 1200, АР(0)З600, СаЗО 600, Ас 1900, тщательноперемешивают. 1/3 часть реакционнойсмеси помещают в сухой графитовыйтйгель и, слегка уплотняют. Зажиганиереакционной смеси производят электрической дугой. Цосле сгорания первойпорции шихты в тигель по мере прокол(дения рекции подсыпают оставшиесяшихтовые материалы. Образовавшийсяметаллический королек механическимпутем отделяют от шпака, Для полногоудаления поверхностных шлаковых включений королек сплава выдерживают в2-5-ном водном растворе...

Способ выращивания монокристаллов кремния

Загрузка...

Номер патента: 331607

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...

Способ выращивания монокристаллов кремния, ориентированных в направлении 111

Загрузка...

Номер патента: 331608

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных

...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...

Устройство для регулирования толщины полосы при прокатке

Загрузка...

Номер патента: 512612

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Выдрин, Давлятшин, Дукмасов

МПК: B21B 37/16

Метки: полосы, прокатке, толщины

...в валки клети давление жидкости в месдозах 1 увеличивается, в результате обратный клапан 5 запирается и отсекает полость меслоз 1 от гидро- аккумулятора О. При этом образуется замкнутая система месдоза 1 - полол ь И клапана 6 давления. Рост давления в замкнутой системс изменяет положение золотника клапана давления. В результате изМС и яс ГСяу МЕИЬИ)аЕТСя) И ПрОХОЛНОЕ СЕЧС- )ше для жидкости между селлом и золотником, Вследствие чего повышается давление жидкости во второй гидросистеме. Вслелствие повышения давления во второй гидросистеме устройство включается в работу, золотник 1 отсекает полость плуцжсров 2 и полость Л от гидроаккумулятора 10, в результате чего образуется замкнутая система плункеры 2 - полость Л регулятора...

Способ создания распределенной обратной связи в активной лазерной среде

Загрузка...

Номер патента: 621267

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Ващук, Гороть, Забелло, Тихонов, Шпак

МПК: H01S 3/09

Метки: активной, лазерной, обратной, распределенной, связи, создания, среде

...распределенной обратной связи в активной лазерной среде делением пучка накачки на два и последующего сведения их в активной среде, в активной среде совмещают прямые изображения пучков излучения источников 5 накачки.На чертеже представлена одна из возможных схем ОКГ с РОС для реализации предложенного способа.На чертеже приняты следующие обозна чения: 1 - ОКГ накачки, 2 - телескоп для формирования профиля пучка, 3 - полупрозрачное зеркало, 4 - зеркала для сведения пучков накачки, 5 - активная лазерная среда, 6 - дополнительное зеркало для обращения изображения правого пучка накачки, ав. - волновой фронт излучения накачки.Излучение накачки формируется в пучок прямоугольного сечения с помошью телескопа 2 для формирования профиля...

Устройство для регулирования толщины полосы при прокатке

Загрузка...

Номер патента: 513545

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Выдрин, Давлятшин, Дукмасов, Тищенко

МПК: B21B 37/16

Метки: полосы, прокатке, толщины

...полость Г гидроцилиндра совместно с гидростанцией 3 образуют вторую замкнутую гидросистему.В исходном положении, когда в валках клети металла нет, во всех полэстях первой гидросистемы Гдроаккуммл 51 гором 2 создается эталонное давление жидкости. В полостях второй Гидросистемы эталонное давление создается при нагнетании жидкости гидростанцией 3 ц рсз клапан 7 давления, работа 1 ощий в рскиме срсливного клапана, на золотник которого дсйствует давлеие жидкости в полости 1идромссдозы.Г 1 од действием давления жидкости в полОстл; БГ Гпроцлиндра э,1 сзенгы клети 1 с.анина. ажикОе сгроиство, подмц 1513545 Формула изобретения 10 ки верхнего валка) испытывают усилие предварительного напряжения.При задаче металла в валки возникает давление...

Способ получения поглотительной массы для улавливания платиноидов

Загрузка...

Номер патента: 567487

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Алексеенко, Атрощенко, Ивахненко, Караваев, Лобойко, Молчанов, Морковкин, Музыченко, Мумчян, Олевский, Олейник, Присяжнюк, Салей, Тихоненко

МПК: B01J 1/22

Метки: массы, платиноидов, поглотительной, улавливания

...способа сухую размельченную бкись кальцияобрабатывают водным 2 - 22%-ным раствором хлористоводородной кислоты, тщательно перемешивают в смесителях до образования вязкой, тестообразной массы, из которой формуют гранулы разнообразной формы,стремясь придать им наиболее развитую геометрическую поверхность.Полученные гранулы сушат в течение2 - 3 ч при 150 - 200 С, а затем прокаливают при 900 в 9 С в течение 2 - 3 ч, причемразогрев и охлаждение печи ведут вместес загруженной массой.Пример 1. 100 г окиси кальция обрабатывают 160 мл 3%-ного водного раствора НС 0 15(т, е. при отношении веса раствора к весуСаО, равном 1,6). Замес осуществляют вручную, формование - через ручной шприц.Сушку проводят при 200 С в течение 3 ч,а прокаливание -...

Способ извлечения мышьяка из кислых растворов

Загрузка...

Номер патента: 569259

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Золотов, Спиваков, Шкинев

МПК: C01B 27/00

Метки: извлечения, кислых, мышьяка, растворов

...мышьяк из растворов с рН 0,3 - 6 и повысить безопасность процесса, так как применяемый экстрагент мало токсичен,Пример 1. К 50 мл воды с рН 6, содержащей мышьяк ф), добавляют 50 мл 0,1 М раствора динитрата динонилолова (ДНДНО) в хлороформе с 25% трибутилфосфата (ТБФ) и экстрагируют 10 мин. Фазы разделяют. Процент извлечения мышьяка (Ч) в органическую фазу составляет 99,9%.569259 Пример 2.К 50 мл водного раствора с рН 2, содержащего 104 - 10 в М мышьяка (Ч), добавляют 50 мл 0,1 М раствора ДНДНО в хлороформе с 30/о бутилового спирта и экстрагируют мышьяк 10 мин. Процент извлечения мышьяка составляет 99,3 - 99,7 о/оПример 3, К 50 мл водного раствора с рН 6, содержащего 104 - 1 О М мышьяка (Ч), добавляют 50 мл 0,1 М раствора ДНДНО в толуоле...

Устройство для подъема и поворота узлов металлургическй печи

Загрузка...

Номер патента: 516891

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Дубодин, Мочалов, Орлов, Шелепов

МПК: F27D 1/02

Метки: металлургическй, печи, поворота, подъема, узлов

...посредством башмаков, пропущенных через продольные окна колонны, кроме того, фиксаторы выполнены в виде тормозов, расположенных у противоположных концов колонны и сблокированных на раздельное включение.На чертеже представлено предлагаемое устройство.Устройство содержит корпус 1, который смонтирован на печи. В корпусе 1 установлена полая поворотная колонна 2, имеющая возможность вращения вокруг своей оси и опирающаяся на корпус через упорный шарикоподшипник 3,Нижняя цилиндрическая часть колонны выходит за пределы корпуса и охватывается башмаками нижнего тормоза 4, установленного неподвижно с корпусом,Внутри колонны, соосно ей, установлен ходовой винт 5, имеющий возможность вращения относительно колонны. Ходовой винт верхней своей...

Электрохромовая композиция

Загрузка...

Номер патента: 401293

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Дистанов, Крайнов, Митичкин, Оксюк, Проценко, Тищенко, Худенский

МПК: H03K 3/40

Метки: композиция, электрохромовая

...содерая вещество формул 1-111,в указанорганическом растворителе имеетокий температурный интервал примеияФП р и м е р 1.Ю -метил,4-6 трифенилпиридинийперхлорат растворяютв диметилсульфо)сиде (концентрация0,05 моль/л и ваде). При длительности воздействия управляющего электрического импульса (Г ) 02-0,35 В/с приэлектродный слой окрашивается праКтически ЙгновеннО. Контрастность ( К ) окрашенной (черной) формы составляет 1:100 (по визуальной оценке). Внутренняя память ( Ф время памяти) от 1 до 40 мин.П р и м е р 2. Активное вещество 2,4,б-трифенилпирилийперхлорат растворяют в диметилформамиде или другом полярном органическом растворителе. Концентрацию раствора устанавливают от 0,07 моль/л до состояния насыщения. Раствор помещают в...

Устройство для навески сельскохозяйственных машин

Загрузка...

Номер патента: 627772

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Дроздов, Зеников, Кузнецов, Моргачев, Попов, Сдобников

МПК: A01B 59/06

Метки: машин, навески, сельскохозяйственных

...к ней боковыми поными брусьями, выполненными вразновеликих шарнирных четыреников 2, соединенных с секциями раих органов 3 посредством шатунов 4,дроцилнндры 5 перевода в транспорположение, соединенные с четыремниками коромыслами 6, связаннымисобой тягой 7,Рама 1 снабжена прицепным элементом 8 и опорными колесами 9.Устройство работает следующим образом.Сельскохозяйственные машины переатываются на собственных опорных опесах, 9, Гидроцилиндры 5 находятся в плавающем положении. При переводе агрегата в транспортное положение включают гидроцилиндры на подъем боковых поворотных брусьев, Так как они выполнены в виде разновеликих параллелограм-, мных четырехэвенииков 2, то секции ра бочин органов 3 поднимаются параллельно самим себе и...

Способ обработки почвы

Загрузка...

Номер патента: 627773

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Ельцов, Шаталин

МПК: A01B 79/00

Метки: почвы

...водно-воздушного режима почвы.Для этого в предложенном способе обрабожи почвы перед оборотом пласта дерновый слой надрезают в продольном направлении без отрыва его от пласта, причем надреэание дернового слои производят на глубину до 2/3 его толщины,На чертеже приведена схема надре-( эания дернового слоя.Огреэанне пласта с двух сторон, подрезание снизу и надрезание дернового слоя в продольном направлении по ширине эахввга корпуса плуга на глубину до 2/3 годщины дернины обеспечиваег беэ сгруживания полный оборот лдасга, облегчается укладка его на дно борозды, улучшаегся заделка расгигельных осгагков и дерннны, обеспечивается опгимвдьный водно-воздушный режим почвы вследствие надрезов и наличия в них защемленногоСоставитель Б....

Способ выращивания растений на каменистых почвах

Загрузка...

Номер патента: 627774

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Ежак, Мольдерф

МПК: A01C 5/04

Метки: выращивания, каменистых, почвах, растений

...посадокЭто достигается тем, чтоза растениями в период вегвидную часть щели углубляют Способ осуш вляется сл у мобразом.На склоне в горизонтальном направлении нарезают щель и 1 рыхлят ее верхнюю часть до образования рыхлой клиновидной зоны. Шелевание проводят в почве и в некрепких скальных породах до монолитного слоя непреодолимых материнских пород,встречающихся по глубине обработки.Щелевание можно провести шелеобразуюшим ножом с почвоподъемными пластинами. Отвалом, сочлененным со шелеобразуюшим ножом, в рыхлой клиновидной зоне щели, формируют микротеррасу так, чтобы середина щели располагалась в середине тер627774 Составитель М. ДранишниковРедактор Г. Яозжечкова Техред А, Алатырев Корректор Н. Тупица Заказ 5677 Л Тираж 748 Подписное...